离子束应用国际会议简讯

第6届离子束材料改性国际会议将于1988年6月12—17日在日本东京召开。会议将交流与讨论(1)离子束与固体相互作用;(2)离子束混合;(3)离子束金属改性;(4)离子束绝缘体改性;(5)半导体中的离子注入;(6)材料改性新技术等多方面的学术内容。     

电子工业部四十八研究所召开今年第一次科研成果鉴定会

电子工业部四十八研究所于今年3月16日至19日在长沙召开了1984年第一次科研成果鉴定会,分别对HZ—1型汉字智能终端系统,LK—2型离子束刻蚀机、LY—2型空心阴极重离子源和LC—2B型中能离子注入机等四项科研成果进行了部级、局级和所级鉴定,参加这次鉴定会的有来自全国科研、生产和高等院校共88个单位的171名代表。     

硅-金刚石系统的离子束混合和欧姆接触

用离子束混合Si(700A)/C样品,在天然Ⅱb型金刚石上形成了梯度能带接触。选用Ge~+为注入离子,在能量120keV,剂量2.0×10~(16)cm~(-2),温度700℃下进行离子束混合。Rutherford背散射显示:有3—4％的Si与金刚石混合。红外吸收谱发现了Si—C键的形成,这表明形成了Si/SiC/C的梯度结构。Ⅰ—Ⅴ特性说明了离子束混合和高温热退火有助于欧姆接触的形成。而没有经过离子束混合的样品显示了Ⅰ—Ⅴ开路特性。     

离子注入非晶碳薄膜的SEM研究

离子束混合技术可在低温下通过非平衡态键合作用实现薄膜与基底界面间的原子级混合,甚至可在无相互反应和互不相容的物质之间也能完成这种过程,因此通过离子束混合增强薄膜与基体粘着效应的研究受到人们的重视[1—3]。本文考察了C+离子注入对非晶态碳薄膜的摩擦学性能以及膜与基底结合强度的影响,并用SEM对非晶碳膜的表面微观结构进行了分析研究。结果与讨论表1显示C+离子注入C/SiO2前、后,非晶碳膜脱离SiO2基底时的划痕临界载荷及非晶碳膜耐磨寿命的测定结果。离子注入前,非晶碳膜与基底的附着力很低,当划痕临界载荷仅为0.7N时,碳膜即…     

会议消息

*第五届离子注入设备与工艺国际会议将于1984年7月23—27日在美国弗蒙特州,杰斐逊维尔,斯姆格拉狭谷举行。会后紧接着在美国依萨卡召开离子束材料改性(简称IBMM)会议。本届会议的主要议题是离子注入设备和工艺技术的最新进展,特别着重在半导体器件上的应用。投稿论文可选择下述题目:高能注入,基片冷却,快速退火,掩蔽效果,离子束掺杂,金属除气,残余缺陷产生以及设备研究设计的最新进展等。     

离子束辅助低能碳离子注入工艺原理

离子束辅助低能碳离子注入是在低能含碳离子束轰击样品表面并沉积膜层的同时采用中能离子束辅助轰击注入，它可在低温下将碳离子注入到样品表层足够的深度，其注入深度比动态离子束混合(DIM)增加1～2倍。离子束流实行交替变化，有利于保持较低的样品基体温度，且比恒束流注入的深度有明显增加。它对材料表面改性效果明显优于DIM工艺，离子注入改性后，40Cr钢表面显微硬度HV可提高一倍左右。     

LC—2F型离子注入机研制成功

一、引言我所从事离子注入机的研究‘已近二十年的历史。在七十年代初‘首先研制出LC—1型低能离子注入机,紧接着又研制成功LC—2型中能离子注入机和LC—3型高能离子注入机等。初期的离子注入机,在束流强度方面还比较小,只有10μA(~(11)B~ )。到八十年代初,经过不     

《微细加工技术》一九九二年 第1—4期目次汇编

题 目d“毒—h1.毒●。毒电子柬技术; 。≈●占I毒●甚●t●O对一台先进电子束曝光机制作掩模过程的分析热场致发射电子源曝光系统的技术现状和应用前景电子束曝光机吊装结构工作台的分析研究亚微米电子束曝光机数控电流源系统LaB。阴极在电子束曝光机中的应用研究。尊‘如“岳●如·毒离子束技术善 。et鹄●也●e●4●。关于离子注入中温升的探讨LY一3A型冷阴极离子源氩离子束辅助反应溅射沉积氧化锆薄膜的微观分析铌酸锂的反应离子刻蚀第四届离子源国际会议简介离子注入机的国内外现状离子注入模型薄膜加工用考夫曼离子源的几个问题离…     

LY—2型空心阴极重离子源

一、前言丹麦哥本哈根大学Bohr实验室的G.Sidenius于1965年首先创造了一个在同位素分离器上使用的空心阴极离子源。后来经过许多改进,成为目前的911A型重离子源,这个源从阴极引出离子束,它需要大约200高斯的均匀磁场,来提高引出束流强度。911A型重离子源在高能加速器和离子注入机等设备上早已得到广泛的使用。该源的主要特点是:     

一台新型的宽束离子束混合装置

本文描述了材料表面改性或优化的新型宽束离子束混合装置。系统含有引出离子不同能量范围的三种离子源。可用于单离子注入,离子束混合,单离子或反应离子束溅射淀积以及离子束增强淀积。它装备有大的水冷却台,可进行各种复杂的运动,以满足处理各种复杂形状的大的工件的需要。本文还对该机的两种使用实例做了介绍。     

0913 真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺

0118519离子束薄膜合成及其应用[刊]/柳襄怀//功能材料与器件学报.—2001,17(2).—113～115(E)报道了中国科学院离子束开放研究实验室在离子束薄膜合成研究和应用方面的发展和现状。着重介绍离子束辅助沉积薄膜合成、真空磁过滤弧源沉积薄膜生长,以及离子注入 SOI 材料合成的方法及其物理过程,同时也对离子束合成薄膜在工业及国防上的应用进行了探讨。参17     

北大重离子所离子注入工作现况

北京大学初步建成能量直至兆电子伏级的离子加速器——离子注入设备系统。本文总结了北大重离子物理所离子束应用组几年来开展离子注入研究的工作,包括:开发应用微机计算离子射程分布的SARIS、TRION、MACA程序,其中后者可适用于高剂量注入动态靶;实验研究了MeV硼离子注入硅的分布,提出了多能注入形成平台载流子分布的实用方法;在离子注入高分子材料研究中观测到了增强氧化和C=C双键形成等现象,研究了光刻胶的离子束曝光特性;系统研究了应用离子束混熔技术在低碳钢表面形成的Al和Al合金镀层,大大提高了基体钢的耐腐蚀能力。     

全方位离子注入技术

等离子体离子注入(PII)是一种用于材料表面改性的新型离子注入技术。PII分为两类,用于金属表面改性时称为等离子体源离子注入技术(PSII),用于半导体材料表面改性时称为等离子体浸没离子注入(PIII)。本文介绍一种新的PII技术,称为全方位离子注入(All Orientation Ion Implantation),采用横磁瓶电子迴旋共振等离子体源,样品上的负高压可以是直流、交流或脉冲方式,本装置可以工作在离子注入和动态离子束混合两种模式。     

一种测定p型HgCdTe中空穴浓度的常规方法

近年来用CMT制作光电二极管的兴趣有所增长。CMT光电二极管可供电子扫描混合焦平面列阵使用。目前大多数器件是使用一块带n型表面的少型薄片制造的,该n型表面层是通过离子注入或扩散当中任何一种方法产生的。在两种类型的结中,R_0A乘积依赖于p型衬底的净掺杂浓度。例如在离子注入结中,如果衬底的掺杂浓度太高,即使在零偏压下,结的隧道电流也可限制其性能。要获得具有高零偏压的结面电阻—R_0A之积[1]—的离子注入探测器,就必须将载流子浓度确定为1×10~(16)cm~(-3)或者更小一些。     

美国费城德克斯克大学副校长参观电子工业部48研究所

1985年6月下旬美国费城德克斯克大学副校长J·K·李·史密斯先生在湖南省科委张启人副主任陪同下参观了电子工业部第四十八研究所。所长向来宾作了该所情况的简单介绍。而后,在所领导的陪同下史密斯先生高兴地参观了该所的部分产品与实验室。当他在LC—2B型离子注入机装配间里得知该产品是该所小批生产的产品时,高兴地说:“Good,Good”！。他在参观反应离子束蚀刻机、离子束蚀刻机时,详细地询问了蚀刻的情况,并看了蚀刻后放大的图片。在参观600keV高能离子注入机时,史密斯先生     

混合扫描式旋转靶离子注入机剂量控制系统

为了进一步提升旋转靶离子注入机的设备产能,提出了一种基于混合扫描式旋转靶离子注入机剂量控制系统;论述了该旋转靶离子注入机剂量控制系统设计思路、工作原理及控制离子束按设定的剂量精确均匀地注入到晶片表面的实现方法。介绍了该剂量控制系统硬件组成,并描述了剂量控制系统的核心部件剂量积分仪的详细硬件设计方案。基于该剂量控制系统的旋转靶离子注入机已批量交付客户使用,注入均匀性和重复性均达到1%以内。     

H-800透射电镜的修复和与离子注入机及串列加速器联机

为建立一套离子注入机和串列加速器-电镜联机装置,对停止运行多年的H-800透射电镜进行了修复,并通过适当改造和防震措施,实现了与离子注入机和串列加速器的联机,可以在离子注入现场原位研究材料微结构的演化过程,为在我国深入开展离子束与固体相互作用的基础和应用研究提供一个强有力的研究手段.本文详细介绍了一台H-800型透射电镜的修复过程和联机技术,及应用该联机电镜所获得的初步实验结果.     

第五届国际离子束设备和技术会议情况介绍

第五届国际离子束设备和技术会议,于1984年7月23日至27日在美国蒙特州举行。参加这次会议的有来自世界18个国家的310名代表,我国派出4名代表参加。会上共发表论文(包括特邀报告)91篇,我国占6篇。会议期间,还举办了有200余人参加的离子注入科学和技术讲座,有12位学者作了讲演,题目是:离子注入的历史发展;离子在硅中的阻     

永磁镜场边引出潘宁型离子源的研制与初步应用

本文介绍永磁镜场边引出潘宁型离子源的原理、结构特点、实验结果及应用。该源具有电离效率高,引出束流密度大和小巧轻便等优点,能提供总束流大于1mA的多电荷重离子束或轻离子束。其中多电荷离子比例较大。用N_2和BF_3等气体实验,~(14)N~+和~(11)B~+的离子比分别达到80％和60％。在离子注入机上初步应用,~(11)B~+靶流达300μA。     

离子束混合工艺对材料抗蚀性能的影响

本文介绍了离子束混合工艺方法。与直接注入相比较,离子束混合所使用的设备造价低1/4—1/2,而生产效率可提高1—2个数量级,因而使生产成本大幅度降低,这无疑对离子束工艺的实际应用将产生巨大的促进作用。 通过对轴承材料(GCr15和Cr4Mo4V)经Cr、N、Ta不同元素的混合处理后,在0.5M H_2SO_4和0.1M NaCl的缓冲溶液中的阳极极化曲线表明经混合处理后的两种材料试样,其抗蚀能力和抗点蚀能力均大大提高,这与直接注入的试样效果是一致的。 通过俄歇谱仪和透射电镜的分析结果表明混合是成功的,且在一定的条件下,形成非晶组织。 本文的结论是,无论是离子的直接注入还是离子束混合,对提高轴承材料的抗腐蚀性能都是有效的方法,特别是离子束混合技术具有更大的应用前景。