半导体激光器腔面高反射涂层的研究

通过对ＧａＡｓ－ＧａＡｌＡｓ激光器谐振腔后腔面蒸镀ＺｒＯ２，ＭｇＦ２工艺过程，从理论和实验上分析涂层特性，反射率由无膜时的３２％，镀膜后提高到９２．５％，保护了器件端面，降低阈值电流，提高了激光输出功率和工作寿命。     

外腔半导体激光器的稳定特性分析

本文中对外腔半导体激光器的频谱稳定性进行了理论分析,考虑到外腔中光波的多次反射及其随机性对激光器的影响,得出了求解稳定性问题的简单公式,对于弱反馈和强反馈的情况都是适用的,并且成功地解释了实验中的一些现象。     

连续半导体激光器驱动电源

本文介绍了由单片机控制的连续半导体圾光器驱动电源,系统的阐述了其工作原理、软硬件构成。实际应用表明,本驱动电源具有智能化程度高、抗干扰能力强、电源稳定度高、对激光器无损害等优点。     

PMMA镀减反射膜的研制

通过对PMMA光学塑料红、绿、蓝三种光减反射膜的设计和制备,研究了这种材料的真空镀膜技术,对制备的膜层进行了光谱、牢固性和防水性能的测试,并给出了其中一些实验结果.最后进行了简短的分析,对进一步提高薄膜质量提出了改进方法.     

半导体激光器的最新进展及其应用

在最近十几年来，半导体激光器已成为世界上发展最快的一门激光技术。由于半导体激光器的独特性能，使得它目前在国民经济中展现了一系列的优点，并已获得了广泛的应用。本文简述了半导体激光器的发展历史，介绍了半导体激光器的重要特征，阐述了目前主要的高功率半导体激光器结构。     

堆积式列阵半导体激光器

本文介绍堆积式列阵半导体激光器,着重在ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系列激光器。由于它们的Ｔｏ小,受环境温度影响大,用一般结构作列阵器件是很困难的。而采用大光腔结构的激光器。它的Ｔ０值可达１００￣１４０Ｋ,单个１．３μｍ激光器,脉冲峰值功率超过３ｗ（瓦）,单个１．５５μｍ激光器,脉丫峰值功率超过２Ｗ。我们用它们的芯片研制堆积列阵激光器在研制中发现,列阵的输出功率小于各单元器件输出功率之和;而减步的比率随着     

便携式半导体激光器自动测试仪

介绍了一种新型的便携式半导体激光器自动测试仪,它采用了先进的单片机技术和大屏幕液晶显示技术,可对半导体激光器和发光二极管的Ｐ－Ｉ和Ｖ－Ｉ曲线及相关参数进行自动测试、显示、存储、管理和打印,另外还可作为光功率计使用。     

半导体激光器的温度控制系统

由于温度对半导体激光器的性能有很大的影响.介绍了一种基于AT89C51单片机的半导体激光器温度控制系统.该系统由单片机进行程序化控制,由温度传感器AD590采集被控对象的实时温度,对温度的控制精确度可达到0.01℃.从而提高了半导体激光器的使用寿命和输出波长的单一性.     

准连续大功率半导体激光器电源

分析了大功率半导体激光器的工作原理，论证了电源主要环节的方案。其中，主从CPU结构的控制单元具有很高的控制精度。     

半导体激光器高精度温度控制系统的设计

温度对半导体激光器的特性有很大的影响，在要求半导体激光器输出稳定的波长情况下，必须对其温度进行高精度控制。文中介绍了半导体激光器的高精度温度控制原理和方法，详细给出了温控系统的机械结构和致冷器的控制电路。该系统可以达到０．０２℃的控制精度。     

半导体激光器噪声测试系统

以ＰＣ机为主控单元，研制了半导体激光器噪声测试系统，通过ＰＣ机对步 分析仪的远程控制。完成对器件噪声信号的自动采 处理，用该系统对ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰＶ双异质结半结果准确。     

半导体激光器材料的MBE生长

本文概述了我们最新引进的英国VG公司制造的V80H型分子束外延（MBE）设备的技术特点和性能，主要介绍了我们利用这套设备所进行的半导体激光器材料的生长研究工作。     

半导体激光器的最新进展及其应用

在最近十几年来，半导体激光器已成为世界上发展最快的一门激光技术。由于半导体激光器的独特性能，使得它目前在国民经济中展现出了一系列的优点，并已获得了广泛的应用。本文简述了半导体激光器的发展历史，介绍了半导体激光器的重要特征，阐述了目前主要的高功率半导体激光器结构。研究了国内外高功率半导体激光器的开发现状，列出了半导体激光器当前的各种应用，对半导体激光器的发展趋势进行了预测。最后，对发展我国高功率半导体激光器提出了一些看法。     

锁相半导体激光器列阵

本文叙述了锁相半导体激光器列阵的工作原理。用耦合模分析的方法给出了远场分布计算公式,以及十条型锁相激光器列阵可能存在的远场分布。分析了双瓣远场和大功率输出的原因。     

808nm大功率半导体激光器的装配

本文介绍了一种装配808nm大功率半导体激光器的新方法。用P面朝下的方法装配有利于器件的散热，将超声键合改为超声热压球焊键合，增加了金丝与管芯的接触面积，减少了接触电阻，降低了阈值电流，提高了光电转换效率。     

半导体激光器腔面高反射涂层的研究

通过对GaAs－GaAlAs激光器谐振腔后腔面蒸镀ZrO2，MgF2工艺过程，从|理论和实验上分析涂层特性，反射率由无膜时的32％，镀膜后提高到92．5％。保护了器件端面，降低问值电流，提高了激光输出功率和工作寿命。     

改善连续半导体激光器驱动源性能的研究

阐述了改善连续半导体激光器驱动电源性能的有效措施。从而提高了半导体驱动电源的抗干扰能力和恒流电流输出的稳定性。进而保证了半导体激光器的工作寿命和工作稳定性等性能。使该半导体激光器驱动电源进入了实用阶段。