氧化锆膜的制备和表征

本文以氧氯化锆为原料用Ｓｅｌ－Ｇｅｌ技术在多孔陶瓷管上制备了ＺｒＯ２膜，文中考察了草酸氧锆溶胶的粒子大小和流动特性，用ＳＥＭ、气体流动法等手段对氧化锆膜的结构、形貌与孔径大小分布进行了表征，并对膜的气体渗生进行了考察，实验表明，用这种方法制备出的氧化锆膜无针孔、无缺陷，且孔径分布集中     

金刚石厚膜的制备及应用研究

用电子增强热灯丝ＣＶＤ（化学汽相沉积）方法制备出膜厚为０．１－２ｍｍ的金刚石厚膜，研究了金刚石厚膜的耐磨性和热导特性，用它制作了金刚石膜焊接刀具和半导体激光器用金刚石膜热沉。     

具有高对比度的快速响应聚合物分散液晶（PDLC）膜

通过对制膜材料的选择和制膜条件的精确控制，制备了具有高对比度的快速响应聚合物分散液晶膜。本文给出了实验结果并进行了简单的讨论。     

类金刚石（DLC）膜的制备技术概况

综述了类金刚石膜的制备方法，以及各种制备方法的基本原理和特点，并分析了各种方法对膜的结构和性能的影响。     

金刚石薄膜及高保真声学振动膜材料概述

综述了扬声器高音振膜材料的研究工作及其进展，特别介绍了金刚石薄膜（ＤＦ）制备扬声器振动膜和用类金刚石薄膜（ＤＬＣ）涂层制备扬声器振动膜方面的进展，探讨了用ＤＦ及其钛复合材料制备扬声器振动膜的技术，并采用直流电弧等离子体喷射法制备了多晶金刚石涂覆的球顶形钛扬声器高频振膜，测试证明声学效果优于涂覆前。     

纳米晶PCT薄膜的合成与表征

纳米材料的制备技术结合Ｓｏｌ－Ｇｅｌ工艺在（１００）单晶硅上制备了粒径在２０￣８０ｎｍ的多晶ＰＬＴ（Ｐｂ１－ｘＬａｘＴｉＯ３）纳米晶膜，并用ＩＲ、ＴＧＡ、ＸＲＤ、ＳＥＭ等对膜的制备过程及结果进行了研究。结果表明，所制备的ＰＬＴ纳米晶膜属多晶钙钛矿结构，薄膜表面平整致密，厚度均匀，约为１ｕ，颗粒为球形或椭球形，粒度呈对称分布。     

CN超硬膜的制备及性能

ＣＮ膜是一种超硬新材料，其性能特点及制备方法已成为材料科学研究的热点，概述了ＣＮ膜的制备方法，并介绍了ＣＮ膜结构及性能的研究概况。     

含Fe聚合物混合薄膜的制备

采用等离子体增强金属有机化合物化学气相沉积技术（ＰＥＭＯＣＶＤ）制备含Ｆｅ聚合物混合薄膜，系统考查了偏压，源物加工热电压，沉积位置对膜沉积的影响，对膜的组成和结构进行了研究。     

PECVD方法用于梯度薄膜材料的研究

本文研究了ＰＥＣＶＤ方法制备Ｓｉ－Ｏ－Ｍ系梯度薄膜材料，并运用计算机控制技术成功地制备了涂层折射率随膜深成正弦波形式连续变化的Ｒｕｇａｔｅ单通带滤波器样品。结果表明，采用ＰＥＣＶＤ方法可以制备性能上乘、结构复杂的梯度薄膜材料，ＰＥＣＶＤ方法在研究、开发高级光学涂层领域有着宽广的应用前景。     

C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的机理研究

利用双离子束溅射和射频磁控溅射技术在Mo基底上分别制备了C膜和Hf膜，并利用化学方法制备了BaO涂层以模拟行波管栅极结构．随后在N2保护下．通过在900～1300K范围内退火．研究样品处于高温工作环境下表面相结构和成分的变化．以此解释了C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的工作机理。     

含杂质碳氮薄膜的X射线衍射研究

自从Ｎｉｕ等首次获得接近β－Ｃ３Ｎ４的电子衍射谱以来，许多研究小组都报道说已制备出β－Ｃ３Ｎ４微晶。但在本实验中发现，当含有铁等杂质时，碳膜和碳氮膜的Ｘ射线衍射谱中都再现与β－Ｃ３Ｎ４的理论计算相近的谱线。这提示在β－Ｃ３Ｎ４的研究中，需要排除杂质的影响，制备出净的样品，以便得出明确可靠的结论。     

用SPR法对有序分子薄膜的测量

本文介绍了ＳＰＲ方法的基本原理和金属薄膜、ＬＢ膜的制备过程，测出了ＬＢ膜层数与共振角偏移的关系，说明了ＳＰＲ法的良好应用前景。     

真空热处理制备β-FeSi2光电薄膜的研究

磁控溅射法沉积的Fe／Si多层膜和Fe单层膜经真空热处理后制备了β-FeSi2薄膜。[Fe1nm／Si3.2nm]60多层膜在〈880℃温度下真空热处理2h后，样品均呈现β（220）／（202）择优取向，而Fe单层膜制备的样品则易形成β-FeSi2与ε-FeSi相的混合物，且取向杂乱。在920℃真空热处理后，两种样品都形成了α-FeSi2薄膜。原子力显微镜分析表明，样品表面粗糙度随热处理温度升高而变大，最大表面均方根粗糙度约为16nm。卢瑟福背散射分析发现，Fe／Si多层膜样品热处理过程中元素再分布很小。根据光吸收谱测量，Fe／Si多层膜制备的β-Fesi2薄膜的禁带宽度为0．88eV。     

Sn—SnOx薄膜的组织结构及湿敏性

报道了一种制备Ｓｎ－ＳｎＯｘ湿敏薄膜的新工艺（ＶＥＴＯ）。首先在１ｍＰａ的真空下蒸发纯金属Ｓｎ质量分数９９９ｍｇ·ｇ＾－１，衬底温度控制在１５０￣２５０℃，蒸发的Ｓｎ膜在空气中缓慢氧化，即可获得湿度敏感的Ｓｎ－ＳｎＯｘ薄膜，利用ＸＲＤ和ＳＥＭ分析了膜的晶体结构和表面形貌，环境温度ＲＨ从１０％变到９７％时，膜阻抗变化的三个量级，膜电导是电子电导和离子电导的混合，在低湿区电子电导是主要的，在高湿区离子     

ZrO2薄膜的XPS分析

用射频溅射制备了氧化锆薄膜，用Ｘ光电子能谱技术分析了ＹＳＺ膜的结构，发现低能轰击会引起膜中钇的反优再溅射，造成钇的分布不均匀导致单斜相的出现。     

非晶CN薄膜的制备及性质

采用磁过滤真空溅射离子沉积技术制备了一组非晶ＣＮ薄膜，利用红外光谱，紫外－可见吸收光谱和电导测量研究了其光学和电学性质，用Ｘ射线光电子能谱确定膜中Ｎ的原子百分比，结果表明ａ－ＣＮ膜有２２００，１５００和１３５０ｃｍ＾－１三个吸收带，表明Ｃ和Ｎ是以化学共价键形式结合的。这种膜有较宽的光能隙４．１４ｅＶ，极代的电导率１０＾－１５（Ω．ｃｍ）＾－１，膜中Ｎ原子百分比最大为４７％。     

离子辅助蒸发TixOy制备氧化钛薄膜及特性

采用离子辅助沉积的方法,分别以TiO2和Ti3O5为初始膜料在K9玻璃上制备了氧化钛薄膜,并研究了离子束流密度对以Ti3O5为膜料制备的薄膜透射性能的影响.实验结果表明,热处理前薄膜都为无定形结构;热处理后有明显的锐钛矿结构(101)择优取向,以Ti3O5为初始膜料制备的薄膜吸收优于以TiO2为膜料制备的薄膜;薄膜透射率极值随束流密度增大有临界值.     

退火温度对硅基溅射银膜微结构和应力的影响

用直流溅射法在硅(111)基底上制备银膜，膜厚为380nm。用BGS6341型电子薄膜应力分布测试仪对膜应力随退火温度的变化进行了研究，结果表明：膜应力随着退火温度的升高而增大，在400℃退火温度下膜应力变化明显。用MXP18AHF型X射线衍射仪测量了膜的衍射谱，对膜微结构随退火温度的变化进行了讨论。制备的Ag膜仍为面心立方结构，呈多晶状态，平均晶粒尺寸为23．63nm，薄膜晶格常数(0．40805nm)比标准样品晶格常数(0．40862nm)稍小。     

氟化非晶碳(a-C:F)薄膜的研究

氟化非晶碳(a-C：F)薄膜是一种电、光学新材料。介绍了它的制备方法，对其制备工艺作了较全面的探讨；分析了该膜制备方法和工艺参数对薄膜组分及化学键结构的影响；研完了该膜的电学、光学、热学、力学等物理性质及其在相关方面的应用，并对该膜的物理性质与制备工艺参数的关联作了详细的论述；指出介电常数和热稳定性的矛盾是阻碍该膜实用化的主要原因。     

PZT多层薄膜物性的研究

对磁控溅射ＰＺＴ铁电多层薄膜进行了分析。结果表明：通过多层薄膜合理的设计和厚度控制，可以改善薄膜进一步的器件应用提供了可能性。通过研究发现，制备多层较理想的溅射条件是衬底温度Ｔ＝６５０℃，薄膜子层厚度约为３００ｎｍ，衬底则以ＭｇＯ（１００）单晶、Ｓｉ２（１００）单晶为佳。结构分析的结果显示出：ＰＺＴ以铁电膜中的晶粒排列整齐，颗粒大小均匀，基本上和衬底成定向织构，膜的角度对多层膜的绝缘性能影响不大，