无机溶胶凝胶法制备掺钨二氧化钒薄膜研究

采用钒-钨混合溶胶及浸渍提拉法在玻璃基片上涂五氧化二钒膜,再通过氢还原法制备掺钨二氧化钒薄膜.采用XRD及XPS等测试方法对薄膜的相组成进行分析.研究了获得稳定的钨和钒混合溶胶及氢还原制备掺钨二氧化钒薄膜的条件.实验证明采用无机溶胶凝胶法制备掺钨二氧化钒薄膜可将二氧化钒薄膜的相变温度点降低到室温范围.在相变温度点附近,掺钨VO2薄膜的电阻率、近红外光透过率将发生较显著变化,可见光透过率随钨掺杂含量升高而降低.     

由工业V2O5制取VO2薄膜

以工业V2O5为原料，采用N2热分解法在普通和石英玻璃衬底上制备VO2薄膜，在自制的电阻－温度测量装置上测量VO2薄膜的电阻随温度的变化，结果表明：VO2薄膜具有明显电阻突变特性，其相变达到了1．5－2．0个数量级，相变温度约为35℃VO2薄膜的主要成分是二氧化钒，同时含有少量其它的钒化合物。     

VO2(M)粉体合成研究进展

二氧化钒(VO2)是一种具有半导体-金属相变特性的金属氧化物,在68℃条件下,具有红外光透过率/反射率等的突变性能.采用钨、氟等元素进行单元素、多元素掺杂,可有效降低VO2(M)相变温度,进而开发出具有室温相变特性的VO2(M),大幅提高其在智能窗领域的应用价值.综述了以五氧化二钒(V2O5)为钒源,VO2(M)和掺杂...     

工艺参数对VO2薄膜质量的影响研究

以V2O4粉末为原料，采用无机sol-gel法在非晶玻璃上制备了V2O5干凝胶膜。后通过两步热处理工艺法成功制备出了具有良好相变性质的VO2薄膜。并对其相成分、退火时间、温度、膜厚、电学性能等进行了分析，比较了各工艺参数对VO2薄膜性能的影响。     

微波等离子体增强法合成氮杂二氧化钒

选用V2O5为前驱物,通过在玻璃片上镀膜,利用高纯氢和高纯氮作为气源,采用微波等离子体增强法,在低温条件下合成了氮杂二氧化钒(VO2-xNy)样品.通过XRD表征了样品的成分,结果表明:合成的样品为氮杂二氧化钒,样品的结晶度较低,颗粒尺寸较小;相变温度测试结果表明:通过氮掺杂可以有效降低二氧化钒薄膜的相变温度,目前最低可以降低至42 ℃.     

氢还原法制备低相变温度掺钨VO_2薄膜

在钒溶胶中掺入适量聚钨酸溶胶,采用浸渍提拉法在载玻片上涂膜,涂片薄膜在氢气氛围中、在400℃温度下还原3 h,制得掺钨VO2薄膜。金相显微镜观察到薄膜呈VO2的特征绿色;X荧光光谱分析得出薄膜中W、V的含量分别为3.212%和64.97%。电阻-温度曲线测试表明,VO2薄膜的相变温度为40.5℃,热滞回线宽度为ΔT=11℃,电阻突变量ΔS达到4.06个数量级。     

草酸氧钒热分解制备纳米VO2及粉体表征

研究了一种在350 ℃分解草酸氧钒前驱体(VOC2O4·H2O,草酸还原工业V2O5粉的产物)来制备纳米VO2粉末的方法.采用TG-DSC、XRD、TEM及电阻-温度仪等测试手段对所得粉末进行了测试分析,实验结果表明:所得VO2粉末呈结晶态,组分单一,粒径为80～120 nm,相变温度为68.5 ℃,电阻突变量约3个数量级.     

掺杂VO2的特性、制备方法及应用

VO2在68℃时发生从低温的单斜相向高温四方相转变，同时伴随着光、电、磁性能的突变。通过掺入其它杂质元素，能有效改变其相变温度和光、电性能，这些优异特性使其具有更好的应用前案。本文综述了掺杂的原理，掺杂对VO2相变影响、常用的掺杂方法及目前的应用情况，这对其进一步的研发应用具有重要的意义。     

掺Mo~(6+)附Ag纳米TiO_2在可见光下降解酸性大红3R

通过溶胶-凝胶法结合光催化还原法制备掺Mo6+附Ag的TiO2纳米颗粒,并在可见光下对酸性大红3R进行降解实验,研究其在可见光下的催化活性,并与纯TiO2、仅掺Mo6+或仅附Ag的TiO2进行对比。进一步讨论在可见光照射下掺杂量、焙烧温度等因素对掺Mo6+附Ag纳米TiO2降解性能的影响。结果表明:可见光下Ag/Mo6+/TiO2比纯TiO2、仅掺Mo6+或仅附Ag的TiO2显示出更高的活性,这是因为金属Mo6+的掺杂和贵金属银的沉积使二氧化钛的吸收带边发生红移,拓宽了可见光的响应范围;Ag/Mo6+/TiO2催化剂的催化活性最高时的Mo6+掺杂量为4.5%,银的附着量为2%。焙烧温度为500℃,这种掺Mo6+附Ag纳米TiO2对酸性大红3R的降解率可达87.6%.     

掺杂Sn,Bi的Ge2Sb2Te5相变存储靶材制备和薄膜性能研究

在前期Ge-Sb-Te基相变存储材料Ge2Sb2Te5靶材和薄膜制备研究的基础上,分别选取掺杂5.6%(原子分数)的Sn,Bi作为添加剂对其进行掺杂改性。采用热压法制备出高主相含量、高致密度六方结构Ge2Sb2Te5基靶材。常温下沉积的薄膜为非晶态,经150～350℃退火处理,薄膜相结构经历了由非晶态到立方相再到六方相的相转变过程。掺杂5.6%(原子分数)的Sn在入射光波长为500 nm时的反射率对比度相比未掺杂薄膜提高了14%,该薄膜潜在的光存储性能更好。掺杂Sn,Bi后结晶态与非晶态间的电阻率差异度有所增加。     

基于PPTP的VPN技术研究

阐述了基于PPTP的VPN(Virtual Private Network)的相关概念、工作原理以及在阿姆瑞特防火墙上的具体实现.     

基于电子商务的柔性工作流的研究

电子商务流程的易变性对工作流系统提出了增加柔性的要求.文章提出了一种基于电子商务的柔性工作流系统结构,并给出了其在电子商务中的一个具体应用网上购物的例子.     

增强铜表面热喷涂涂层结合力的探讨

通过对紫铜基体采用超音速喷涂自溶性合金并进行热处理,使紫铜与自溶性合金界面产生微冶金结合区,从而增强结合力。     

镁合金表面磷化处理的研究

采用了一种适合镁合金磷化处理的磷化液配方，并对传统的磷化工艺进行了改进，得到的镁合金磷化膜不仅致密、均匀，而且与基体金属之间有很好的附着力，因此具有较好的耐蚀性能。     

聚氨酯泡沫上化学镀镍研究

实验给出了聚氨酯泡沫的粗化和化学镀镍工艺参数;研究了对化学镀镍沉积速度影响的因素,发现温度、还原剂和金属镍盐浓度是主要影响因素,随着温度的升高及还原剂与镍盐浓度的增大,镀速增加。化学镀镍后经电镀、热解和热处理制得泡沫镍。     

Study on Surface Treatments on CdSe Wafers

The surface treatments on CdSe wafers were studied by means of SEM, XPS and micro-current test instrument. The relations between electrical properties of CdSe wafers and surface topography, composition and structure were analyzed. The results show that the change of surface composition by etching is beneficial to decrease leakage current. Meanwhile, the increase of oxygen on surface caused by passivation can largely decrease leakage current. When passivating time is 40 min, the wafers surface appears smooth and compact, which will decrease the density of surface state, the optimal electrical property of the wafer is therefore obtained.     

Reflections on "Reflections on introspection."

Comments on J. Radford's (see record 1974-26503-001) reflections on introspection as event and process and argues that they reflect prevalent misconceptions and distortions of the behaviorist view of the status of introspection in psychological inquiry. (PsycINFO Database Record (c) 2010 APA, all rights reserved)     

冷轧辊啃伤技术探讨

结合生产实际介绍了冷轧机轧辊边部啃伤的现象及成因,并提出预防轧辊啃伤的措施,为冷轧机生产操作提供了参考。