(AlGa)As可见光激光器的镜面保护

本文介绍了一种可见光激光器端面镜面保护方法。用电子束蒸发在可见光激光器的两个镜面上分别镀上0.75 λ/2和λ/2厚的 Al_2O_3钝化膜,并就镀膜对激光器性能的影响进行了测试研究。经过镜面保护的可见光激光器寿命有很大改善,且由于一个端面镀上0.75 λ/2抗反射膜,使激光器的极限输出功率有一定的提高。     

(GaAl)As/GaAs质子轰击隔离条形DH激光器退化原因

(GaAl)As/GaAs质子轰击隔离条形双异质结构(DH)激光器是在(100)GaAs衬底上连续生长五层结构:n-GaAs;N-Al_(0.35)Ga_(0.65)As;p-GaAs(有源层);P-Al_(0.35)Ga_(0.65)AS和p-GaAs。p面浅扩Zn后利用质子浅轰击造成高阻隔离区,制成12微米宽的条形DH激光器。激光器管芯端面没有镀膜保护,但安装在充氮密封的可卸管壳内。 老化考验采用恒定功率(1毫瓦、2毫瓦和5毫瓦),考验环境温度分别为室温、50℃、70℃及80℃。考验结果表明,退化行为可分为快、慢两类。快退化激光器在工作期间阈电流不断显著上升,外微分量子效率迅速下降,激射时间都小于200小时。由电子束感生电流象可知,这是由于有源区内存在暗点、暗线或暗区之类的缺陷,在器件工作过程中这类缺陷不断扩大、增殖,器件很快就无法维持激射。暗点、暗线等是外延层内的位错网络缺陷。它来源于衬底原     

(GaAl)As/GaAs质子轰击隔离条形DH激光器的退化原因

对研制的(GaAl)As/GaAs质子轰击隔离条形DH激光器的退化原因进行了实验分析。结果表明:快退化主要起因于有源区内的暗点、暗线及暗区等缺陷的增殖;腔面氧化是限制寿命在千小时的原因之一;质子轰击引入的点缺陷移入有源区是器件限制寿命在万小时的原因之一。     

质子轰击条形GaAs—Al_xGa_(1-x)As DH激光器低温异常伏安特性的研究

在室温至77K范围内,测量质子轰击条形GaAs-Al_xGa_(1-x)As双异质结激光器正向伏安特性,发现很多激光器在低温下产生负阻或击穿的异常特性,这可能是由于在GaAs-Al_xGa_(1-x)As n-N异质结有数量较多的界面态以及N-Al_xGa_(1-x)As外延层掺杂浓度偏小造成的。在低温条件下,处于反向偏置的n-N异质结,由于上述原因而等效成为背靠背双肖特基二极管,当外加电压增加时发生热电击穿,出现负阻或电压跳变。     

AlGaAs/GaAs DH激光器的红外透射研究(摘要)

本文介绍了红外透射技术的装置和原理,报导了主要研究结果。实验表明,红外透射技术是研究AlGaAs/GaAs DH激光器的又一有效工具。我们获得的有关AlGaAs/GaAs DH激光器的外延层、条区结构和作用区发光情况的综合照片,是用普通的光学显微镜或扫描电子显微镜所不能得到的。     

低阈值GaAs/GaAlAs PNPN负阻激光器

一种PNPN型异质结负阻激光器业已研制成功,它的具体结构是n·GaAs/N·Ga_(1-x)Al_xAs/p·GaAs/p·Ga_(1-y)Al_yAs/P·GaAs/n·GaAs/P·Ga_(1-z)Al_zAs;其中,x=0.2～0.3,y≤0.20,z=0.1。本文研究了这种激光器的工作原理和制备工艺,分析了存在异质结构时器件的电导通机理,测量了器件的某些电参数及激射特性。器件的转折电压V_s为15～20V,维持电压V_H约为1.5V,维持电流I_H约为10～100mA。激射阈电流密度最低可达2500A/cm~2。将激光器置于简单的张弛振荡线路中能够较容易地实现自振激射。     

GaAs—Al_(0.3) Ga_(0.7)As DH激光器近场光谱的测量研究

一、引言近几年来,GaAs-Al_xGa_(1-x)As DH激光器输出特性的非线性受到许多作者的重视。在我们研制的部份DH激光器中,L-I特性也出现各种不同程度的非线性扭折。在这些器件中,可以观察到近场分布有多个峰和光谱特性随电流增加出现多组纵模。这种近场的多峰和光谱的多组纵模是激光器均匀激射产生高阶横模,还是有源区不均匀而产生丝状激射,这对某些激光器往往是模糊不清而不易区分的。为了进一步搞清光谱和近场分布的关系,以及与扭折的联系,我们进行了分谱近场分布和分区光谱特性的测量。并且还测量了激光器总光谱特性随电流的变化和分谱L-I特性,以及近场分布随电流的变化和分区L-I特性。     

半导体GaAs-(AlGa)As大光腔激光器研制简报

1962年第一个半导体GaAs激光器出现以后,引起人们的高度重视.对半导体激光器的理论、材料、器件制造工艺以及应用进行了广泛深入的研究.器件的结构从同质结、单异质结发展到双异质结;工作方式从低温下脉冲工作到1970年成功地实现了室温下连续工作.1971年RCA公司的H.Kressel等人集中了单异质结激光器的脉冲光功率大和双异质结阈值电流低等优点,从结构上把二者结合起来,实现了一种新型半导体激光器——GaAs-(AlGa)As大光腔激光器(Loc).     

光触发GaAs/GaAlAs异质结负阻激光器

采用GaAs/GaAlAs多层液相外延技术研制成一种光触发异质结负阻激光器。文中简述了器件的工作原理和某些特性。     

大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器

利用分子束外延技术和S-K生长模式,系统研究了InAs/GaAs材料体系应变自组装量子点的形成和演化.研制出激射波长λ≈960nm,条宽100μm,腔长800μm的In(Ga)As/GaAs量子点激光器:室温连续输出功率大于3.5W,室温阈值电流密度218A/cm2,0.61W室温连续工作寿命超过3760小时.     

CSP Al_xGa_(1-x)As/GaAs单模激光器

本文报道了CSP Al_xGa_(1-x)As单模激光器的性能及其制造技术.     

大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器

利用分子束外延技术和 S- K生长模式 ,系统研究了 In As/Ga As材料体系应变自组装量子点的形成和演化 .研制出激射波长λ≈ 960 nm,条宽 1 0 0μm,腔长 80 0μm的 In( Ga) As/Ga As量子点激光器 :室温连续输出功率大于 3.5W,室温阈值电流密度 2 1 8A/cm2 ,0 .61 W室温连续工作寿命超过 3760小时     

GaAlAs/GaAs DH激光器的红外透射研究

本文介绍了红外透射技术的装置和原理,报导了主要研究结果.实验表明,红外透射技术是研究GaAlAs/GaAsDH激光器的又一有效工具.我们获得的有关GaAlAs/Ga AsDH激光器的外延层、条区结构和作用区发光情况的综合照片,是用普通的光学显微镜或扫描电子显微镜所不能得到的.     

GaAlAs/GaAs DH激光器的发光位置研究

GaAlAs/GaAs DH激光器是一个微型的多层结构的发光器件。正常结构的发光区是在一个条形的发光区内。但是,由于工艺的改变、操作的失误等,许多器件的发光区不在理想部位。直接观察发光区的确切位置及其图样,对于了解器件性能,特别是对工艺的研究有着重要的意义。本文介绍发光区位置的确定,描述各种发光现象及其同工艺之间的可能联系。 实验结果表明:(1)全线发光有的主要与条形形成工艺有关(平面条形);有的则由外延工艺决定(沟槽衬底)。(2)带状发光,一类与外延有关,如⊿x偏小,作用区太薄等;另一类与条形形成工艺有关,如Zn的深度扩散等。(3)衬底发光主要与外延工艺有关。如沟槽衬底条形     

GaAlAs/GaAs DH 激光器的L-I特性

对所研制的质子轰击条形GaAlAs/GaAs DH激光器的L-Ⅰ特性及其随温度的变化进行了测量。研究了L-Ⅰ特性随考验时间的变化。个别激光器考验已超过10~4小时,仍可保持正常激射。部分激光器的L-Ⅰ特性出现了扭折,研究了这种扭折附近的近场光强分布及发射光谱。基于实事实,提出了一种有源区Al含量横向不均匀分布的物理模型,可定性地解释扭折的产生。     

(AlGa)As连续激光二极管的可靠性

本文评论了影响连续(CW)(AlGa)As激光二极管可靠性的主要因素。基于我们目前所掌握的有关镜面损伤、按触退化和内部损伤三种因素对器件性能的影响,它们的起源以及如何降低或消除它们等方面的知识,讨论了这三种退化模式。给出了氧化物条型激光器的详细结果,虽然可靠性结果强烈地依赖于制作工艺,许多退化结果与制作工艺同时共存,我们也着重讨论了这方面的问题。我们实验室工作的激光器,室温连续寿命大于40000小时,平均外推失效时间为10~5～16~6小时。在这些激光器中,镜面退化和接触退化看来可以从工艺上进行控制,而起支配作用的失效机构是内部损伤。虽然还未得到很好地论证,但对内部损伤而言,将0.7eV的激活能用于高温加速寿命试验是很有用的。绝大多数可靠性数据都涉及到阈值电流的增加,但是,远场图形的漂移以及激光器调制特性的变化(如自激振荡)同样会影响激光器在实际系统中的特性。     

GaAlAs/GaAs DH激光器发光位置的实验研究

红外透射/发光观察法是直接观察GaAlAs/CaAs DH 激光器发光位置的唯一可行方法.研究各种发光现象及其同工艺之间的联系可为器件工艺的改进提供可靠依据.     

沟槽衬底GaAs/AlGaAs DH条形激光器

叙述了用化学腐蚀和液相外延相结合的方法制造沟槽衬底条形激光器的工艺。测试了这种激光器的基本性能。结果表明,这种激光器横模比较稳定,扭曲功率较高。自1975年开始,我所与复旦大学协作研制了质子轰击条形激光器,获得了成功。质子轰击条形激光器工艺简单     

GaAs-Al_(0.3)Ga_(0.7)As DH激光器近场光谱的研究

本文从近场光谱、分谱近场分布、分谱L-I特性和分区L-I特性等实验证明有源区Al不均匀引起L-I特性的非线性扭拆和光谱的多组纵模,并且解释了实验观察到的模式竞争和光脉动等现象.