化合物半导体

2003年2月底在圣地亚哥(美国)召开了“化合物半导体2003年展望”会议。除高亮度LED和大带隙固态激光器外，一些电子器件市场和成熟的固态激光器市场还未恢复到其历史最好水平。某些GaAs IC市场和SiC器件市场今年将会增长。蓝光激光二极管受一些日本公司左右(日亚、索尼、NEC、先锋、夏普、丰田合成等)。日本公司大力开发用于大容量光盘的这类激光器。     

60瓦半导体激光器光纤耦合器件

应用光纤列阵耦合方式，对大功率半导体激光器线列阵输出光束的快轴方向用一根柱透镜准直，准直后的光束耦合到光纤列阵中，实现出纤功率为60瓦的大功率半导体激光二极管线列阵光纤耦合器件，耦合效率大于80％，光纤的数值孔径NA为0．11。     

大功率半导体激光器全固态风冷散热系统

设计并制作了一种全固态大功率半导体激光阵列恒温散热系统。它利用半导体制冷器对大功率半导体激光阵列吸热,然后经由风冷散热。经测试,单bar激光阵列连续输出功率达到15.28W,双 bar 阵列输出达 27.8W 时,全部达到风冷散热控温精度±0.1 ;当环境温度达到 45 时,仍然能够保证激光阵列的正常使用。     

用于光子器件的ZnO薄膜的分子束外延生长

近年 来，由于蓝绿发光二极管和激光二极管的发展，宽禁带ＩＩＩ－Ｖ族氮化行和ＺｎＳｅ基ＩＩ－ＶＩ族半导体材料成为举世瞩目的研究热点之一，取得这些进展的重要原因是材料质量的不断改善以及创新性的掺杂方法的引入。氧化锌（ＺｎＯ）是具有特殊性质的宽禁囊直接带隙ＩＩ－ＶＩ族半导体材料，具有在半导体材料中最高的激子束缚能（６０ｍｅＶ），将是另一种重要的商用光子器件材料。本文将描述高质量氧化锌单晶薄膜的等离子分子     

用于片状放大器抽运的耦合导光管研究

采用光线追迹的方法研究了半导体激光二极管阵列（Laser Diode Array,LDA）抽运的耦合导光管的效率特性。分析了耦合导光管在理想情况下的反射率,并对不同参量的耦合导光管进行了模拟,得到了耦合导光管的反射率与结构参量之间的变化关系。提出了耦合导光管侧壁等效反射次数的概念,并通过光线追迹和数值拟合得到了等效反射次数与耦合导光管结构参量之间的近似数学表达式,最后通过实际工程设计实验对上述模拟进行了验证。     

索尼宣布强化蓝紫色半导体激光器的生产体制和产品线

索尼白石半导体的蓝紫色半导体激光器的生产体制到2007年4月将达到月产170万个。该公司预计蓝紫色激光器的市场今后仍将扩大，因此决定根据需求的增长提高产能。生产激光器芯片的前工序已具备月产500万个的设备能力（按播放专用设备使用的低功率蓝紫色半导体激光器换算），今后还预定强化封装芯片的后工序设备。     

GaN基材料生长及其在光电器件领域的应用

GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点，在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器的高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。介绍了GaN基半导体材料的制备方法，异质结构以及在光电子和微电子器件领域的应用，并讨论了今后的发展趋势。     

GaN基材料及其在短波光电器件领域的应用

GaN具有禁带宽度大，热导纺高，电子饱和漂移速度大，临界击穿电压高和介电常数小等特点，在高亮度发光二极管，短波长激光二极管，高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景，本文介绍了GaN基半导体材料的各种特性，材料生长以及在光电器件领域的应用，并对存在的问题和今后的发展趋势提出了自己的看法。     

浅析大功率半导体激光器面阵的光纤耦合技术

近年来,半导体激光阵列发展迅猛,但由于输出光束质量差,影响了其直接应用。因此,改善大功率半导体激光器的光束质量成为各国关注的焦点。本文在介绍光纤耦合技术的基础上,对大功率半导体激光器面阵光束整形方案进行了分析和研究。     

ZnO纳米材料及掺杂ZnO材料的最新研究进展

作为一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，ZnO具有优良的光学和电学性能。目前国际上除纳米线外，ZnO纳米带、纳米棒、纳米阵列、纳米弹簧、纳米环已合成出来，并有广泛的应用前景。在ZnO中掺入Mg、Co等元素可以实现带隙调节，有望开发出紫外、绿光、特别是蓝光等多种发光器件。稀磁半导体材料更是当今研究的热点。结合国内外的研究现状，分别介绍了有关ZnO纳米新材料、掺杂非磁性元素和磁性元素的ZnO材料的最新研究进展。     

索尼和住友电工试制成功100mW绿色半导体激光器

据报道,索尼和住友电气工业试制出了绿色半导体激光器,振荡波长为530nm,连续振荡时可实现100mW以上的光输出功率。2009年住友电工曾发表过振荡波长为531nm的绿色半导体激光器,但当时只是脉冲振荡。此次试制品的光电转换效率为8％以上。此次的绿色半导体激光器是在GaN（氮化镓）基板的半极性面上生成GaN类半导体结晶制成的,活性层采用inGaN,GaN基板由住友电工制造。     

半导体硅材料与信息化社会的高速发展

材料、交通、能源和信息是当今社会发展的四大支柱产业。跨入21世纪，半导体、电子信息产业迅猛发展，跃居所有产业的首位。电子信息产业的高速发展，在很大程度上是通过开发半导体硅材料来实现的。当今，95％以上的半导体元器件和集成电路（IC）是用半导体硅制造的，半导体硅材料业已成为半导体材料的主体。     

宽禁带稀磁半导体材料研究进展

为适应现代信息技术超高速、超高频和超大容量的发展趋势，研究者开始关注同时具备磁性及半导体特性的材料。从20世纪80年代开始，研究者尝试将少量的磁性原子掺人非磁性宽禁带半导体材料中，以获得磁性半导体材料，制备出集磁、光、电子一体的低功耗新型半导体电子器件。     

新型智能电化学微加工系统的研究

约束刻蚀剂层技术在三维超微图形复制加工的新型技术。本文根据约束刻蚀剂层技术的工艺特点，介绍了约束刻蚀剂层电化学微加工仪器的组成，讨论了具有微力传感的纳米级微定位系统的研究与开发。利用研制 的加工仪器，在半导体GaAs进行刻蚀加工，复制出微孔阵列，其排列周期与模板的微锥阵列的排列周期吻合得很好，同时在铜板上也成功进行了微孔刻蚀加工。     

行业景气度回升国内半导体企业开工率转暖

1月份北美半导体BB值（book—to-billratio，订单出货比）连续3个月回升。与此同时，半导体行业重要指数SOX（费城半导体指数）近3个月已经累计上涨近20％。业内分析人士表示，随着行业的回暧，国内半导体制造企业业绩将面临回升，强周期电子股未来的走势值得关注。     

半导体工艺中使用的特种气体

日本的半导体工业，以优异的半导体生产技术和其创造能力，在世界上取得了惊人的发展。     

汽车电子工业半导体使用量稳定增长

2004年汽车工业将使用价值130亿美元的半导体。虽然全球半导体市场的需求与销售情况继续大幅波动，但汽车工业保持稳定，2001年仅下降1％，相比之下，同年半导体销售额下滑了32％。2005年汽车领域中的半导体销售额将达到150亿美元，2004-2009年将以9％的速度增长。尽管汽车对于半导体的需求上升，     

半导体材料LED与太阳能蓄电池

早在1907年，人们就发现了半导体材料通电发光现象，真正商用的LED是上世纪60年代，当时只能发红光，而且发光效率也很低，影响LED产业发展的高亮度白光LED在1997年。节能、环保和长寿是LED区别于传统白炽灯的三大优势，LED是有名的“冷”光源，它不依赖灯丝发热来发光，能量转化效率非常高，理论上可以只有白炽灯耗能的1／10，相比普通荧光灯也要节能1／2。     

半导体制冷在空调中应用的研究

本文针对半导体制冷方式在空气调节中的应用进行了性能分析，提出了改善半导体制冷系数的基本方向是改进半导体材料性能，目前，可通过改善传热条件，提高半导体制冷的性能。     

我国成功改写纳米线激光器调谐范围的世界记录

据媒体报道,湖南大学的研究人员与美国亚利桑那州立大学合作,将半导体激光芯片调谐范围扩大,成功地演示出500纳米绿光直至700纳米红光,创下纳米线激光器调谐范围的世界记录,与原来调谐范围最长仅