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可膨胀石墨中有害硫的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
通过GIC合成工艺实验,对H2SO4-GIC的有害元素S进行了分析研究,找出了影响含硫量的因素、提出了具有最低含硫量的工艺条件,并得出了H2SO4-GIC中硫的分布情况。 相似文献
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膨胀容积是影响膨胀石墨产品质量的一个重要因素。以大鳞片石墨为原料,用电化学法制备膨胀石墨,采用阳极氧化法制备可膨胀石墨,研究了硫酸量,反应温度,反应时间,电流强度对膨胀容积的影响,优化得到最佳的可膨胀石墨制备的工艺条件。电化学法制备可膨胀石墨的单因素和正交实验结果表明,四个因素对实验结果都有显著影响,顺序为硫酸浓度>电流密度>时间>反应温度。得到最佳实验条件:反应时间为80min,温度为15℃,电流密度为50m A/cm^(2),硫酸质量分数为60%,最终制得膨胀容积为150m L/g的可膨胀石墨。 相似文献
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高倍率低温可膨胀石墨制备的研究 总被引:6,自引:0,他引:6
本文以HNO3/HBrO3/KMnO4为氧化插层体系制备低温可膨胀石墨,研究了制备低温可膨胀石墨的最佳条件和物料配比,讨论了插层试剂对起始膨胀温度的影响,提出了氧化插层的机理.研究表明:制备低温可膨胀石墨的反应温度为室温(25 ℃);反应时间40 min;石墨、硝酸、溴酸钠、高锰酸钾的最佳质量比为1∶[KG-·2]3∶[KG-·2]0.1∶[KG-·2]0.07,由此方法制得的可膨胀石墨起始膨胀温度为130 ℃,600 ℃时膨胀容积为350 mL/g. 相似文献
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对采用H2SO4-HNO3-KMnO4-H2O2混酸氧化插层体系制备膨胀石墨进行了研究,采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、红外光谱(IR)和热重一差热法(TG-DTA)分析产物,并提出了氧化插层过程和机理。分析表明:插入剂的插入破坏了原有鳞片石墨层的紧密结构,使碳层间距增大,高温膨胀后,膨胀石墨呈蠕虫状或手风琴状蓬松结构,一个石墨蠕虫由许多微胞连接在一起组成,微胞之间呈现较大的狭缝裂开。氧化插层破坏了鳞片石墨原有的晶体结构,但是未破坏石墨的C—C键,20=29.5。处的特征峰是由石墨插层物结晶区引起的。可膨胀石墨片层。间存在SO4^2-、NO2阴离子插层物。可膨胀石墨在500℃之前的热失重和267℃附近较小的放热峰,均是由石墨插层物的气化、分解所致。 相似文献
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低硫高倍膨胀石墨的制备研究 总被引:2,自引:0,他引:2
以鳞片石墨、乙酸酐、浓硫酸、重铬酸钾为原料,采用化学氧化法制备了膨胀体积为350ml/g的高倍膨胀石墨.制备的最佳条件为:石墨∶乙酸酐∶浓硫酸∶重铬酸钾(重量比)为1∶1.4∶0.4∶0.12,反应温度40℃,反应时间60分钟.产品经ZCL-自动测硫仪测定,其含硫量低(0.08%). 相似文献
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膨胀石墨负载纳米二氧化钛光催化剂的制备、表征与其光催化性能 总被引:8,自引:0,他引:8
采用Degussa P25(P25)改性溶胶-凝胶法制备膨胀石墨(exfoliated graphite,EG)负载纳米二氧化钛(TiO2)光催化材料.用X射线衍射分析、扫描电镜、Brunauer-Emmett-Teller(BET)比表面积等分析技术对样品结构进行表征.讨论了材料制备过程中热处理温度、负载次数、改性溶胶中P25浓度对其结构与光催化剂活性的影响.结果表明:TiO2以纳米颗粒的形式牢固负载在EG薄片表面.具有疏松多孔蠕虫状结构的EG为TiO2提供高浓度的三维降解环境.当P25浓度为5g/L时,与EG复合的材料经500℃热处理3h后,对甲基橙溶液的降解效能最高. 相似文献
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石墨层间化合物的合成和应用 总被引:5,自引:1,他引:5
石墨层间化合物(Graphite Intercalation Compound,简称GIC)是一种重要的化合物,广泛用于各种科学和生活领域,本文介绍了石墨层间化合物合成及其在密封,环保,医药,阻燃等方面的应用。 相似文献