金属材料改性的离子注放技术

本文概述了金属离子注入技术的特点，并就国内外的应用情况，介绍了离子注入后，金属材料耐磨性，抗蚀性显著改善的研究。着重对金属离子注入机的要求和发展方向作了简要的介绍。     

金属离子注入钢表面摩擦学特性及应用研究

着重介绍了改善钢表面摩察学特性的方法和提高离子束加工效率的途径。这项金属离子注入技术在工业生产发展中正发挥着重要的作用，并阐述了MEVVA离了注入新技术在工业化应用中的特点。     

金属离子注入技术的研究及其应用

气体离子注入技术在很多领域里获得了广泛的应用 ,取得了明显的经济效益和技术成果。它在半导体集成电路技术中已成为核心技术。金属离子注入技术是一项新技术 ,1 985年美国布朗教授发表了他的成果——强脉冲金属离子源 ,并研制成功了小型离子注入设备。这使得金属离子注入技术研究推进到一个新阶段。研究的结果表明 ,金属离子注入比气体离子注入有着更加广泛的使用价值和发展前景。因此国内很重视此项技术。我所根据航天设备对膜层的特殊要求 ,从 1 995年起对金属离子注入及成膜技术进行专门的研究 ,现已取得明显的成效。1　金属离子注入技…     

双重离子注入钢表面钝化层的形成和抗腐蚀特性

利用金属离子与碳离子双注入可在金属表面形成陶瓷化的复合层,取得了抗腐蚀和抗磨损优良特性,研究了注入剂量和束流密度对这种复合层结构的影响,X射线分析结果表明,双注入可形成金属合金相和碳化物的钝化复合层,电化学测量和扫描电子显微镜观察表明,金属离子注入可明显地改善H13钢表面抗腐蚀特性,Mo C和Ti C双注入则此Mo和Ti单注入抗腐蚀和抗磨效果好得多,碳和金属离子双注入顺序对腐蚀特性也有明显的影响,研究表明,先注入碳后注入金属效果更好。随束流密度的增大,改性效果增强,注入后退火可形成陶瓷化的复合层,抗腐蚀效果进一步得到提高。     

一台离子注入机的改进及其在BaTiO3陶瓷改性中的应用

本文介绍了武汉大学２００ｋｅＶ离子注入机的改进情况，用贝纳斯离子源替换了原有的高频离子源，使输出流强由几十微安提高到毫安级，离子种类由原来单电荷的气体离子扩展到多电荷离子和金属离子。用该机对半导体ＢａＴｉＯ３陶瓷注入Ｃｕ离子，使材料的ＰＴＣＲ突跳幅度增加，室温电阻率提高，证实Ｃｕ（２＋）离子在ＰＴＣＲ材料晶界起着电子陷阱作用。     

用于材料改性的宽束离子源现状及其发展

本文叙述了对材料表面改性的宽束离子源的要求，重点介绍了考夫曼型气体离子源及电子束蒸发强流金属离子源，也介绍了ＲＦ、ＥＣＲ离子源及ＭＥＶＶＡ源。     

金属气化真空弧离子源

利用金属气化真空弧离子源(以下简称Mevva)形成金属等离子体,然后从中引出离子束是一种很有效的产生大束流金属离子束的技术。周期表上几乎所有的固体金属都可通过这种技术产生几安培的金属离子脉冲束流。最近进行的一些试验还证实利用这种技术还可获得金属离子的直流束流。它所采用的离子束引出电压可以高达100keV。由于真空弧等离子体产生的离子一般都带有多电荷,因此,离子能量实际上可高达几百keV。这种离子源可用于重离子同步加速器的注入装置、金属离子注入以及其它应用领域。美国的Berkeley大学和世界上其它国家的科研机构分别研制出了好几种结构不同的这种类型的离子源。它们具有下述特点:阴极数目多、能够很方便地迅速更换18种阴极材料,束的直径可以大到50cm,也可以小到姆指那么大,本文将根据Berkeley大学所承担的Mevva离子源研制规划的发展前景,对这种离子源的设计特点、使用性能和束的特性等作一综述性的介绍。     

钒离子注入硅合成硅化钒薄层

用大束流密度的钒金属离子注入硅，能够直接合成性能良好的薄层硅化物，随束流密度的增加，硅化钒相生长，薄层硅化物的方块电阻Ｒｓ明显下降吵流密度为２５μＡ／ｃｍ＾２时，Ｒｓ达到最小值２２Ω／□，说明连续的硅化物已经形成。Ｘ衍射分析表明，注入层中形成了Ｖ３Ｓｉ、Ｖ５Ｓｉ３、Ｖ３Ｓｉ５和ＶＳｉ２四种硅化钒。经过退炎后，Ｒｓ明显地下降，Ｒｓ最大可降到９Ω／□，电阻主可小到７２μΩｍ，说明硅化钒薄层质量得到了进     

注入光敏三极管的基本特性和分析

本文介绍了注入光敏器件的物理基础、注入光敏三极管的基本结构和特性。通过与普通光敏三极管的比较，可以看出注入光敏器件的特征所在．最后，用我们提出的理论对注入光敏三极管的特性进行了合理的解释．     

注入光敏三级管的基本特性和分析

本文介绍了注入光敏器件的物理基础、注入光敏三极管的基本结构和特性。通过与普通光每三极管的比较，可以看出注入光敏器件的特征所在。最后，用我们提出的理论对注入光敏三极管的特性进行了合理的解释。     

大束流离子注入形成P-Si CoSi2/Si肖特基结的电学特性

采用金属离子注入法形式 Co Si2 /Si肖特基结并分析电学特性。分别测量不同退火条件下样品的 I-V、C-V特性 ,得出了各样品的势垒高度、串联电阻和理想因子。结果表明 ,采用快速热退火方法形成的结性能较好     

浅谈数据库注入攻击及其应对策略

在介绍了数据库注入攻击的原理基础上,对数据库注入攻击的攻击方法进行了简单阐述,并介绍了数据库注入攻击的常用工具。考虑到数据库注入攻击的危害性,最后为防范数据库注入攻击提供了部分解决策略。     

差分宽带注入锁定的研究

本文介绍了用来实现相位注入锁定（ＰＩＬ）的差分宽带注入锁定数学模型的表达式，并导出了其同步带公式，该公式是著名的Ａｄｌｅｒ公式的μ倍（μ〉〉１）。     

液态金属离子源理论模型研究新进展

本文论述了近两年来在液态金属离子源理论模型研究中争议较大的两个问题,分析了争论双方的观点,阐述了作者的看法,并介绍了作者本人在液态金属离子源理论模型方面的研究工作及结果。     

硅抛光片表面质量测试技术综述

随着硅抛光片尺寸逐渐增大,硅抛光片表面质量测试逐步被人们所关注。表面金属离子含量以及表面颗粒度成为衡量硅抛光片表面质量的重要指标,对表面金属离子含量以及表面颗粒度的测试原理以及设备进展进行了介绍。     

用电荷模拟法计算液态金属离子源发射系统

本文介绍用电荷模拟法计算液态金属离子源发射系统,此方法具有计算精度高,节省机时和程序编制简单且通用性强等优点。使用动态喷嘴状模型,对液态金属离子源发射系统进行了计算,得到了有益的结果。     

大束流离子注入形成CoSi2/Si肖特基结电学特性

文中研究了使用大束流金属离子注入形成的CoSi2/Si肖特基结的特性。肖特基结由离子注入和快速热退火两步工艺形成。Co离子注入剂量为3×1017ion/cm2,注入电压25kV。快速热退火温度为850°C,时间为1min。应用I-V和C-V测量进行参数提取。I-V分析得到势垒高度约为0.64eV,理想因子为1.11,C-V分析得到势垒为0.72eV。最后依据实验结果对工艺提出了改进意见。     

液态金属离子源与亚微米离子束技术

本文介绍一种新型的高亮度离子源——液态金属离子源。具体述及它的结构特点、主要原理及发展近况。同时介绍利用液态金属离子源的各种亚微米离子束装置的主要构成、性能以及目前几种主要用途。     

纳米TiO_2太阳能电池电极修饰研究进展

综述了近年来国内外在TiO2太阳能电池电极修饰技术方面的研究成果,重点介绍了有关纳米TiO2薄膜电极和TiO2纳米管电极修饰技术的研究进展,包括半导体复合掺杂、过渡金属离子掺杂、非金属离子掺杂、导电高聚物掺杂和贵金属沉积掺杂等。并对该工作和今后的研究问题进行了总结和展望。     

热载流子退化对MOS器件的影响

介绍了评价热载流子注入效应的加速寿命试验，针对具体的工艺线，提取了MOS管加速寿命试验的模型参数，以阈值电压变化10mV为失效判据，分别对0．8μm和0.6μm工艺线的热载流子注入效应进行了评价。整个测试过程由程序控制，设备精度高，使用简便，适用于亚微米和深亚微米工艺线的可靠性评价。