稳定生长高透过大尺寸KCl单晶

上海光机所第八研究室,在用反应气氛法提纯KCI原料的基础上,通过对各种工艺参数(炉内装置、温度梯度、生长速度、气氛条件等)的控制和改进,已稳定生长出φ80×80mm以上的大块单晶.晶体的吸收系数(10.6μm)小于3×10~(-4)cm~(-1),接近国外最高水平.作为CO_2激光输出窗口,通过2kW以上的高功率激光,晶体窗口未见任何损伤.为提高KCl材料的激光破坏阈值,该室还进行了KCl单晶的热煅实验.摸索了热煅模具、煅压压力与温度、保压和退火时间等工艺条件,获得了晶粒度均匀的多晶片,热压多晶的抗折强度比单晶提高了4倍以上.     

用于KCl的双层低吸收增透膜

本文报导用硫族化物玻璃As_2S_3和Ge_(45)Se_(55)为镀膜材料在波长10.6微米,KCl激光窗口作为增透膜的设计、制备和特性。用激光量热法测定膜层的吸收,在波长10.6微米时为0.1％。薄膜的反射率为0.1％。同时测定了脉冲CO_2激光辐射的激光感应损伤阈值。     

白钨矿构造的单晶生长和透过资料

现在有几种白钨矿构造可作为光激射器工作物质的优良基质晶格,许多这样的结构已用恰克拉斯基技术从熔融体生成的单晶中形成,除这组材料的透过性质,公布的资料还不多,本文报吿白钨矿单晶SrWO4、BaWO4、CaMoO4和SrMoO4的透过结果,并与CaWO4作了此较,也描述了生长过程中的某些情况。     

NaCl、KCl单晶研制成功

NaCl、KCl单晶作为激光器窗口材料,其光学性能十分优异。四川省自贡市化工研究所研制出的这两种单晶材料,经有关单位使用,效果良好。1978年12月19日至20日,四川省科委在自贡召开了红外材料NaCl、KCl单晶技术鉴定会。会议听取了自贡市化工研究所关于NaCl、KCl单     

高均匀性的单晶生长

<正>据日本《电子材料》1992年第11期报道,日本NEC公司采用拉晶法生长单晶时,在Si熔液对流中发现具有涡流结构的非轴对称流和没有涡流结构的轴对称流现象。这种现象的存在与否明显地影响着生长单晶的质量。为了制作氧均匀分布的优质单晶,首次得出应在无涡流条件下制作单晶的结论。 该公司为了制作优质的Si单晶,对熔液对流的理解并进行控制极为重要,开发了独特的X射线透视装置。该装置在高温下,可直接观察不透明Si熔体的对流。进行三维性Si对流观察,结果发现,在Si单晶生长中,由于温度梯度、坩埚和单晶的旋转速度等原因,在Si熔液的对流中也存在非轴对称流。由于这种涡流的存在,使Si熔液内的温度和氧的分布发生很大变化,从而妨碍了氧的均匀分布与优质Si单晶的生长。     

掺入InN生长低缺陷InSb单晶

用切克劳斯基法,掺入InN可以生长出低缺陷InSb单晶。通过腐蚀观察对掺入InN的InSb晶体进行了研究,并与未掺杂的晶体做了对比分析。当掺杂量超过1.5×10~(17)厘米~(-3)时,发现穿透缺陷和碟形缺陷显著减少。已用这种晶体制备了高质量的光导红外探测器。     

高功率CO_2激光器窗口用的高纯低吸收KCl晶体

KCl晶体具有较宽的红外透过波段,低的本征吸收系数和负折射率温度系数,从而有较高的光畸变品质因数,是目前高功率CO_2激光窗口的最佳材料之一。 中国科学院上海光机所用RAP(反应气氛法)Bridgman方法获得了低吸收KCl单晶。生长这种晶体时,先在高温下由高纯氩运载四氯化碳蒸气注入融熔的氯化钾中,让其充分反应,去除氯化钾中含氧阴离子杂质,达到纯化的目的,再采用Bridgman法长成晶体。     

二氧化碲单晶生长

TeO_2单晶用提拉法从熔体中生长,本文研究了晶体生长过程中的温度分布、最佳工艺条件和出现的几种宏观缺陷的解决办法,成功地生长出大尺寸、高光学质量和无宏观缺陷的二氧化碲单晶.     

化学掺杂法对KCl单晶的强化研究

本文介绍用化学掺杂的方法强化KCl单晶的实验研究。根据晶体在实际应用中的要求,规定了掺杂晶体的测试指标,选定了最佳杂质和掺量。为解决杂质分布的均匀性问题,改进了生长工艺,达到预定的各项指标。     

色心激光材料——掺杂KCl单晶的研制

用引上法生长了掺锂KCl色心激光晶体,获得尺寸为φ25×100毫米的单晶,晶体中锂原子的含量可控制在10~(-3)～10~(-2)％(重量比)之间。测定了三种掺杂KCl单晶X-射线辐照后的吸收光谱。     

高功率因数、低谐波、高转换效率单晶炉电源

介绍了几种常用的单晶炉整流电源的结构方式,重点介绍了不同整流电源的特点,通过实际应用及测试分析了各种电源的能耗及功率因数、谐波、转换效率;最终提出了高效节能的新型整流电源。     

提拉法生长红宝石单晶

红宝石晶体早在七十多年以前,就开始用维尔涅尔法(又称焰熔法或火焰法)进行人工培育。开始主要用于制造仪表轴承,在激光器研制成功以后,激光红宝石的研制工作,在国内外均取得了迅速的发展。随着激光技术的发展,对红宝石晶体的质量也有着越来越高的要求。火焰法生长的     

新型单晶生长炉

美帝半元件公司开始出售一种新型的焰熔炉,可用来生产晶体。炉的型号为SE160型,可长出特大的优质单晶。它能成功地生长出直径超过一吋,长十二吋的优质红宝石激光晶体。     

碘化铯单晶的生长

碘化铯单晶是一种无色透明的人工光学晶体。一般用坩埚下降法和提拉法生长。其透过率高,又具有最大的平均原子量,声子吸收出现的波长最长,所以具有很宽的红外透光波段,是远红外光区不可缺少的光学元器件材料。     

CdTe单晶的生长

从各种过压熔体中生长出纯净的CdTe单晶。为了表征出材料的特性,对某些电学和光学特性作了测量。     

砷化镓单晶生长技术

NEC 公司发展了一种高质量砷化镓单晶生长技术。原有技术把铟加入砷化镓中消除位错,但铟也能够引起晶体线缺陷。NEC 的新技术减少了铟的数量,并把沿着晶体生长轴的温度梯度从1/3减到1/4。通过模拟、冷却条件控制和热畸变消除可得到最佳晶型。位错被减小到10—20/cm~2。阈值电压分散性在小范围内为8mV,在晶片全表面为20mV。有可能生产出3英吋的晶片。     

用激光生长单晶

西德巴特耳研究所研究了一种生长某些重要电-光晶体的方法。在此方法中,垂直安置的铌酸钡锶棒由二氧化碳激光器加热,使熔融区沿棒慢慢地扩张。表面张力使熔融的材料留在棒内。在熔融区以上和以下的两部分则以相反方向转动,以使晶体很好地混合。熔融区的通过使棒转变为单晶。过程进行的速度为每小时1~2厘米,制成直径为6~10毫米的棒没有什么困难。整根棒都包含在温度为135 ℃的炉内,以防止产生过大的径向温度梯度。由此法生长的晶体的质量有很大的提高。据称,仅在熔融区两次通过棒后就能得到很透明的良好光学性质的晶体。