电视技术的发展

电视是一种发展很快的综合性应用技术.在这种应用技术领域里,新系统的出现总是以新原理、新设备为基础的,新设备的核心是新型关键器件,而新器件的发明又靠原理、材料工艺和制造技术上的突破.电视技术可以分成摄象、录象、传送和显象四个环节,其中摄象技术的新发展有:电子新闻采集(ENG)和电子现场制作节目(EFP)、单管彩色电视摄象机、硒砷碲摄象管(SATICON)、摄象机自动化、固体摄象器件和线阵固体摄象器件电视电影设备等;录象技术的新发展有:螺旋扫描录象机、数字化录象机和电视唱片等;传送技术的新发展有:卫星广播、光纤通信、电缆电视、气球广播、园极化发射天线和消除重影技术等;显象技术的新发展有:自会聚管(PI管)、新型投影电视机、气体放电平板显示器和液晶显示器等;     

高电子迁移率晶体管(HEMT)

<正>用N-Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质结构材料制造的高电子迁移率晶体管(HEMT),由于利用了异质结界面二维电子气的高电子迁移率等特点,较好地处理了GaAs MESFET技术中有源层内杂质散射与电子迁移率的矛盾,成为目前高速半导体器件中最有前途的新军,受到广泛重视.中国科学院物理研究所分子束外延组与南京固体器件研究所为了促进我国微波通讯事业等的发展,决定联合试制HEMT.现已获得初步实验结果:器件最大跨导值已超过100mS/mm,并进行了微波性能测试.     

f_T/f_(max)>230/290GHZ的超薄势垒InAlGaN/AlN/GaN HEMTs

<正>氮化镓(GaN)材料具有大的禁带宽度、高击穿场强、高电子迁移率和高电子饱和速度等优良特性,不仅在微波大功率器件领域有广泛的应用,而且在超高频器件领域具备独特优势。南京电子器件研究所采用高极化强度的超薄InAlGaN势垒层形成InAlGaN/AlN/GaN异质结构,实现了电流截止     

Ga2O3功率器件研究现状和发展趋势

氧化镓(Ga2O3)超宽禁带半导体材料在高频大功率器件领域具有巨大的应用潜力和前景,近几年已成为国内外研发的热点.概述了Ga2O3半导体材料在功率器件应用领域的特性优势和不足,重点介绍了日本、美国和国内的Ga2O3功率半导体器件的研发现状.详细介绍了目前Ga2O3肖特基势垒二极管(SBD)、Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)以及新型Ga2O3功率器件的最新研究成果.归纳出提高Ga2O3单晶和外延材料质量、优化Ga2O3功率器件结构和制造工艺是Ga2O3功率器件未来的主要发展趋势,高功率、高效率、高可靠性和低成本是Ga2O3功率器件未来的主要发展目标.最后总结了我国与美国、日本在Ga2O3功率半导体领域的技术发展差距,以及对未来我国在Ga2O3功率半导体技术方面的发展提出了建议.     

微光视频器件及其技术的进展

微光夜视技术作为当今拓展人眼夜间视觉感知的主要技术之一,在军事和民用领域都有广泛的应用。随着数字图像处理技术的发展,微光视频器件为通过图像处理进一步提升夜视图像质量,为与红外热成像的图像信息融合,为提高夜间对目标探测/识别和场景理解能力等方面提供了广泛空间,成为当前国内外夜视技术发展的重要方向之一。论文综述了微光视频器件发展,分析了电真空+固体微光视频成像器件(如像增强CCD/CMOS(ICCD/ICMOS)器件、电子轰击EBCCD/EBCMOS器件等)、全固体微光视频成像器件(如电子倍增CCD器件、超低照度CMOS器件等)的特点和发展趋势,并结合法国PHOTONIS公司的LYNX计划,对微光夜视技术的发展进行了分析和讨论。     

日本微电子和光电子工业中激光组装技术的应用及展望

本文综述了激光组装技术在日本微电子和光电子工业中的应用及发展前景。目前日本已开发出各种激光器和材料加工技术，并已应用于电子和光电子器件制造业，以满足用户对高性能、轻量化、低能耗移动式数字消费电子产品、宽带光纤通信、低尾气排放效能的灵活控制的小汽车等领域的需求。本文重点阐述固体激光器作为多用途光源在组装具有小特征尺寸的灵敏无源和有源器件的先进微型装置中的应用，以及固体激光器用于电子和光电子器件材料加工领域的代表性应用，如液晶显示器缺陷的调修、功能组件微调、光电子器件光学特性的精调、高密度互连电路的打孔、非晶硅太阳能电池的激光加工以及电子元件的高精度激光焊接(如光学模块、微型继电器和锂离子电池)。最近高功率超短脉冲固体激光器领域的进展使激光加工能力迅速提高．如在滤光片精调中的应用。     

调制掺杂(Al,Ga)As-GaAs异质结二维电子气场效应晶体管(TEGFET)

调制掺杂(Al,Ga)As-GaAs异质结二维电子气场效应晶体管(TEGFET)是一种基于(Al,Ga)As-GaAs的界面处存在着高载流子迁移率二线电子气的原理制成的一种新型场效应器件.科学家们预言这种器件将在微波领域及超高速超大规模集成电路中得到重要应用.本文简述了它的工作机理、基本结构、耗尽型及增强型模式、工艺制造、目前达到的性能与通常的GaAs FET的比较、初步的器件物理分析和伏安特性计算.着重指出分子束外延生长工艺是这种器件的关键工艺.     

InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ)

InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与生长、器件结构设计、器件制造工艺与优化以及国内外发展情况研究水平、发展趋势和商业化情况进行了系统的回顾和展望。指出结合垂直方向材料结构优化缩小器件尺寸和采用微空气桥隔离基极电极结构是InP/GaAsSb/InPDHBT向THz截止频率发展的最重要的技术路线。     

微光电子集成灵巧象素器件

我们采用 MBE生长出大周期 Ga As/ Al Ga As多量子阱 (MQW)外延材料 ,研制了适用于倒装焊结构的自电光效应器件 (SEED)列阵 ,并与 Si CMOS电路通过倒装焊工艺集成为微光电子集成灵巧象素器件。通过对光电特性测试表明 ,器件具有良好的光探测和光调制性能。     

10~(12)比/秒光电子学技术

目前在材料制造技术,分析工具以及计算机技术方面的进步,为电子和光子研究工作开辟了更好的前景。10~(12)比/秒工作速率是可以达到的。出现两个基础研究问题:(i)在该速率情况下防碍器件工作的结构、物理材料限制是什么,并且能否改变这些限制?(ii)如果确实能达到10~(12)比/秒的速率,那么应产生什么样的系统功能块?本文也提出该领域中的研究方向。     

InGaAs/AlGaAs PM-HEMT的实验研制

<正>高电子迁移率晶体管(HEMT)在近十年的发展中,已成为微波、毫米波及高速数字领域中最重要的新型半导体器件之一,并正进入实用化与商品化.HEMI的许多优异性能与器件内部异质结界面附近的二维电子气(2DEG)的性质(如高漂移速度、高电子浓度)有关,因而随着对新的异质结构材料中2DEG特性研究的深入,采用新的材料研制HEMT,已成为器件发展中的一个最重要的方向.     

表面声波器件在电子技术中的应用

表面声波器件是六十年代末出现的一种新型固体电子器件。由于它具有某些独特的优点,一出现立即引起人们注意,很快在电子学领域中获得广泛应用,成为不可缺少的固体电子器件之一。本文将简要介绍表面声波器件的特点以及在雷达、通信、电子对抗及电视接收机等方面的应用。表面声波器件是一种超声电子器件。通常多指在压电材料表面激发和传播的瑞利型表面波器件。它利用一些交错放置在压电材料表面的金属条(简称叉指电极)在电场作用下激发超声表面波(瑞利波)。并且用同样的结构将接收到的表面声波转换为电信号输     

氮化镓HEMT器件辐射效应综述

在高频、大功率、高温、高压等领域,氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)器件因其优异的耐辐射性能而被广泛地应用于卫星、太空探测、核反应堆等领域。尽管从理论和一些试验研究中可以得知,氮化镓材料具有良好的耐辐射特性,但在实际应用中,因其制作工艺及结构等因素的影响,氮化镓HEMT器件的耐辐射特性受到了很大的影响和挑战。本文介绍了氮化镓HEMT器件几种辐射效应,并对氮化镓HEMT器件辐射的研究进行了综述。     

有前途的磷化铟器件

虽然确定磷化铟的电子速度-电场特性比GaAs更有利于制作高效率的电子转移振荡器已经有一段时间了,但是直到最近,由于实际器件的制造方法的可控和可重复,这个优点才得以实现。改进器件效率的基础是InP的峰谷比高于GaAs,前者为3.5,后者为2.2,这使预期的效率差不多改进2倍。在大多数早期的器件研制中,虽然通过观察电流幅度确定了高的峰谷比,但是并没有看到效率方面的优越性。随着Rees关于电子转移器件(TED)损耗机理的发现,在1974年出现了突破。在诸如InP这样高阈值电场的材料和Rees提议的双区阴极结构中这一点是特别重要的(双     

调制掺杂低噪声器件

制造了0.4μm×250μm栅赝配AlGaAs-InGaAs HEMT。器件具有比良的高频、低噪声特性。赝配材料采用分子束外延生长。本文介绍了器件结构、性能并讨论了沟道电子的平均速度。     

两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8和10GHz.     

两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8和10GHz.     

电子辐照对槽栅IGBT器件参数影响分析

功率器件IGBT由于其优异特性而广泛应用于电机、电焊机和功率开关等领域,是功率器件的主流产品之一。本文首先介绍了电子辐照技术在改善IGBT关断时间的应用,以及该技术在槽栅IGBT应用中出现的异常现象,并提出了改善此类异常现象的器件制造方法。     

CCD固体摄像阵列的军事应用

CCD的出现正在使现代电子摄像系统产生巨大的变革。毫无疑问,这一变革也将猛烈地冲击着军用领域。本文根据CCD固体摄像器件的目前发展状况叙述了器件在遥感、夜视、导弹制导、预警、星跟踪等重要军用领域的应用,并展望了未来的发展。     

基于二维半导体材料光电器件的研究进展

近年来,二维半导体材料因其独特的晶体结构和优良的电子、光电特性吸引了众多科研人员的关注。利用这些材料作为有源沟道,制备出了许多新颖的器件结构,性能较传统器件有很大的提升。在各种器件应用中,基于二维材料的光电探测器由于能够实现红外及太赫兹波段的光探测,得到了最为广泛的研究。综述了近年来二维材料在光电器件领域的应用,介绍了光电探测器的主要参数,从电极制备、异质结构筑、量子点和分子掺杂、表面等离激元耦合以及界面屏蔽5方面介绍了目前在二维材料中调控光电性能的方法,对已有方法进行了总结,并且对未来的发展进行了讨论。