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以Czochralski技术首次系统生长Mg:Nd:LiNbO3晶体。测试晶体的荧光光谱,(1.0%,3.0%,5.0%,6.5%,8%)(摩尔分数,下同)Mg:Nd:LiNbO3晶体在0.888μm,1.088μm和2.171μm有最强的谱线。测试晶体抗光损伤能力,x(MgO)浓度高于5%的Mg:Nd:LiNbO3晶体抗光损伤能力比Mg:Nd:LiNbO3晶体提高2个数量级以上。Mg:Nd:LiNbO3晶体相位匹配温度随掺进MgO的浓度而改变,x(MgO)=5%时达到最大值,MgO浓度继续增加相位匹配温度下降。Mg(8%):Nd:LiNbO3晶体相位匹配温度接近室温。Mg(6.5%):Nd:LiNbO3中Mg^2 的分凝系数接近于1,它有最高的倍频转换效率η=32.3%。 相似文献
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应用坩埚下降法,以同成分化学摩尔分数比(Li2O:48.6%,Nb2O5:51.4%)为原料,以CoO作为掺杂物,在合适的温度梯度(20~40℃/cm)与生长速度(1~3mm/h),生长出了Co^2 掺杂摩尔分数分别为0.1%与0.3%的LiNbO3(LN)晶体。用X射线衍射(XRD)与差热分析(DTA)表征了获得的晶体。测定了不同部位晶体从350~2500nm的吸收光谱。观测到520nm,549nm与612nm三个分裂的尖吸收峰以及以1358nm为发光中心的吸收带。从吸收特性表明,Co离子掺杂于畸变的氧八面体中,呈现 2价态,并且沿着晶体生长方向浓度逐渐减少,Co^2-在LiNbO3晶体中的有效分凝系数大于1。研究了不同部位晶体在900nm以下的荧光光谱特性,在750nm发现有较强的荧光发射,并随着激发波长的增长,荧光发生红移。 相似文献
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为了研制出结合Zn:LiNbO3与Mg:LiNbO3优点的晶体,采用提拉法从熔体中生长了Zn,Mg:LiNbO3晶体,并对它的配方和生长性能、光学均匀性、抗光折变以及倍频性能进行了研究,生长出了尺寸达40mm×70mm、双折射率梯度优于10-4/cm量级的Zn,Mg:LiNbO3晶体,倍频得到了20mJ的0.532μm的绿光输出,转换效率达到45%。该晶体是一种很有前途的非线性光学材料。 相似文献
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为了测试Mg:Er:LiNbO3晶体的光损伤阈值和红外光谱,采用Czochralski技术生长出优质的Mgx:Ery:LiNbO3(x=0.02,0.04,0.06,0.08,y=0.01(摩尔分数))晶体。通过实验得出Mg(0.06):Er:LiNbO3和Mg(0.08):Er:LiNbO3晶体抗光损伤阈值比LiNbO3晶体提高2个数量级以上,且它们的红外光谱OH-吸收峰移到3535cm-1附近;在波长510nm~580nm范围内得到Mg:Er:LiNbO3晶体稳态发射谱。结果表明,Mg2+浓度增加抗光损伤能力增加,掺进摩尔分数为0.04的MgO是Mg:Er:LiNbO3晶体寿命最长的晶体。 相似文献
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本文采用Czchrzlski技术生长出优质的Mg:Er:LiNbO3[(X=2%, 4%, 6%, 8%, y=% (mol%))]晶体,测试Mg:Er:LiNbO3晶体的光损伤阈值,红外光谱和紫外—可见吸收光谱,Mg2+浓度增加抗光损伤能力增加,其中Mg(6mol%):Er:LiNbO3和Mg(8mol%):Er:LiNbO3晶体抗光损伤阈值比LiNbO3晶体提高二个数量级以上。它们的红外光谱OH-吸收峰移到3535cm-1附近。Mg:Er:LiNbO3晶体中随着Mg2+浓度增加吸收边紫移程度增大。研究Mg:Er:LiNbO3晶体抗光损伤阈值增强机理,OH-吸收峰移动机理和吸收边移动机理。采用0.523μm激光进行泵浦获得高的利用率。在波长510—580nm范围内得到Mg:Er:LiNbO3晶体稳态发射谱。掺进4mol%的MgO是Mg:Er:LiNbO3晶体寿命最长的晶体。 相似文献
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在LiNbO3中掺杂光折变敏感杂质离子Fe^2 /Fe^3 和抗光致散射杂质离子Mg^2 ,以提拉法生长Mg∶Fe∶LiNbO3晶体。测试晶体吸收光谱、红外光谱,Mg∶Fe∶LiNbO3晶体的吸收边相对Fe∶LiNbO3晶体发生紫移。当Mg^2 浓度达到阈值浓度,Mg(6%):Fe∶LiNbO3晶体OH^-吸收峰由3482cm^-1移到3529cm^-1,测试晶体的位相共轭反射率和响应时间,计算光电导。Mg(6%):Fe∶LiNbO3晶体的响应速度和光电导比Fe∶LiNbO3晶体有较大提高。 相似文献
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以Czochralski技术生长Mg(3%):Zn:(x%):LiNbO3(x=1,2,3)(摩尔分数).测试晶体光损伤阈值,Mg(3%): Zn(3%):LiNbO3晶体光损伤阈值比LiNbO3晶体提高了2个数量级以上.测试晶体红外光谱Mg(3%):Zn(3%);LiNbO3晶体OH-吸收峰位置由LiNbO3的3 482 cm-1移到3 532 cm1,即晶体掺杂达到阈值浓度.采用角度匹配,测试晶体的倍频转换效率.激光功率密度很高时,晶体出现暗迹,倍频转换效率下降,暗迹是由倍频光引起,与基频光无关.氧化的晶体可以减弱暗迹.对晶体光损伤阈值的增强,OH-吸收峰的移动,暗迹产生的机理进行阐述和研究. 相似文献
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以双中心模型为基础,理论研究了连续光条件下近化学比LiNbO3:Fe和LiNbO3:Fe:Mn晶体在稳态情况下的非挥发双色二步全息存储性能.通过考虑在深、浅能级中心之间所有可能的电子交换过程,从理论上证实了在低光强范围内LiNbO3:Fe晶体比LiNbO3:Fe:Mn晶体有着更大的空间电荷场、更高的记录灵敏度和动态范围. 相似文献
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LiNbO3:Fe晶体光栅擦除特性 总被引:2,自引:1,他引:2
在光折变过程中,光波对掺杂中心的激发系数S是一个重要的物理量。为了求出光激发系数S对波长A的依赖,研究了在不同的擦除波长条件下,记录在光折变晶体LiNbO3:Fe中的光栅衰减特性。实验结果表明lnP(P为光擦除灵敏度)与擦除波长λ呈线性关系,即波长越短,光栅擦除越快,光擦除灵敏度越高。在单中心电子带传输模型的基础上,理论计算也证实了实验结果。利用带传输模型,给出了理论上光激发系数S对波长的指数依赖关系。同时微观量φμγ(φ为量子效率)也可由光栅擦除实验求出。 相似文献
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基于在539.75nm,632.8nm,1079.5nm,1341.4nm波长上和288K,338K,383K,423K温度条件下,对掺5mol%MgO和0.2mol%Ti的LiNbO3晶体的主折射率的精密测量,根据对LiNbO3晶体适用的修正的Sellmeier's方程,以解出参数Ci表达式的方法,求出上述温度时Sell-meier's方程的参数Ai,Bi,Ci,Di,以最小二乘法精确地拟合上述参数对温度T的线性关系,进而推导出这种晶体的折射率温度系数的表示式。利用此表示式可以计算波长在539.75nm~1341.4nm区间附近,温度在288K~423K范围左右Ti:Mg:LiNbO3晶体的折射率温度系数。为检验该折射率温度系数表示式的实用性,利用此表示式计算1079.5nm为基波的该晶体的二倍频非临界相位匹配温度,与实验值之差在1K以内,从而证明这个折射率温度系数表示式对于采用Ti:Mg:LiNbO3,晶体设计非线性光学器件是适用的。 相似文献
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Mg:Nd:LiNbO3晶体生长及其光学性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在LiNbO3晶体原料中掺入w(Nd2O3)=0.2%和x(ZnO)=7.0%,以提拉法生长Nd:LiNbO3和Mg:Nd:LiNbO3晶体,并对晶体进行极化处理。测试了晶体的紫外可见吸收光谱、荧光光谱和红外吸收光谱。由吸收光谱确定泵浦光波长,由荧光光谱确定激光振荡波长。通过直接观察光斑畸变法测试了Mg:Nd:LiNbO3晶体的抗光损伤能力,结果表明,Mg:Nd:LiNbO3晶体的抗光损伤能力比Nd:LiNbO3晶体提高2个数量级以上。测试了晶体的倍频性能,Mg:Nd:LiNbO3晶体的相位匹配温度为102℃,相应的倍频转换效率达到28%。 相似文献
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为了测试Zr:Fe:LiNbO3晶体的红外光谱、抗光折变阈值、位相共轭和全息关联存储性能,采用Czochralski方法生长Zr:Fe:LiNbO3晶体。通过实验得出Zr:Fe:LiNbO3晶体红外光谱对应的OH-吸收峰移到3488cm-1;随着Zr4+摩尔分数的增加,Zr(摩尔分数xZr=0.06):Fe:LiNbO3晶体抗光折变阈值比Fe:LiNbO3晶体提高一个数量级以上,且晶体的位相共轭响应速度增加,而位相共轭反射率有所下降,Zr(xZr=0.02):Fe:LiNbO3晶体响应速度比Fe:LiNbO3晶体提高一个数量级;另外,以Zr(xZr=0.04):Fe(质量分数wFe=0.0003):LiNbO3作为存储介质,Zr(xZr=0.06):Fe(wFe=0.0003):LiNbO3晶体作为位相共轭镜,进行全息关联存储实验,在输出平面上接收到较完整的存储图像。结果表明,Zr:Fe:LiNbO3晶体具有强的抗光折变能力与优良的关联存储性能。 相似文献
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