用于GaN基发光二极管的蓝宝石图形衬底制备进展

近几年, 图形化蓝宝石衬底因其作为GaN基发光二极管外延衬底, 不仅能降低GaN外延薄膜的线位错密度, 还能提高LED的光提取效率而引起国内外许多科研机构的广泛研究兴趣. 本文综述了图形化蓝宝石衬底提高GaN基发光二极管性能的作用机理, 重点评述了目前图形化蓝宝石衬底的制备方法(湿法刻蚀、干法刻蚀、固相反应)和图形尺寸(微米图形化、纳米图形化), 分析比较了不同制备方法和图形尺寸制备蓝宝石图形衬底对GaN基发光二极管性能改善, 最后针对蓝宝石图形衬底制备存在的问题对其今后的发展方向做出展望.     

GaN基发光二极管合成照明光源的开发研究

GaN基发光二极管合成照明光源的流明效率与世界公认的200lm／W的目标相比还有较大的差距。详述了材料外延、管芯制作、器件封装以及系统开发应用、照明光源的关键技术的最新进展。     

水平HVPE反应器中气流动力学模拟与GaN生长

建立了GaN HVPE系统的流体动力学模型，研究了反应气体在反应室内的浓度场，讨论了反应室内GaCl和NH3管道空间配置对气体在衬底表面浓度分布的影响，并对HVPE系统反应室的设计进行了优化。材料生长结果表明，厚度均匀性良好，直接在蓝宝石衬底上生长的GaN外延层摇摆曲线半宽为660aresee。     

发光二极管(LED)技术产业现状及北京地区发展思路

半导体照明将不同程度地取代现有的白炽灯和荧光灯，引起照明工业的新的飞跃。半导体照明最关键的部件是半导体发光二极管(LED)。本文介绍了LED的技术和产业现状，重点介绍北京地区的产业特点及发展思路。     

GaN单晶的HVPE生长与掺杂进展

相比于第一代和第二代半导体材料,第三代半导体材料具有更高的击穿场强、电子饱和速率、热导率以及更宽的带隙,更适用于制备高频、大功率、抗辐射、耐腐蚀的电子器件、光电子器件和发光器件。氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表之一,是制作蓝绿激光、射频微波器件和电力电子器件的理想衬底材料,在激光显示、5G通信、相控阵雷达、航空航天等领域具有广阔的应用前景。氢化物气相外延(Hydride vapor phase epitaxy, HVPE)方法因生长设备简单、生长条件温和和生长速度快而成为制备GaN晶体的主流方法。由于普遍使用石英反应器,HVPE法生长获得的非故意掺杂GaN不可避免地存在施主型杂质Si和O,使其表现出n型半导体特性,但载流子浓度高和电导率低限制了其在高频大功率器件中的应用。掺杂是改善半导体材料电学性能最普遍的方法,通过掺杂不同掺杂剂可以获得不同类型的GaN单晶衬底,提高其电化学特性,从而满足市场应用的不同需求。本文介绍了GaN半导体晶体材料的基本结构和性质,综述了近年来采用HVPE法生长高质量GaN晶体的主要研究进展;对GaN的掺杂特性、掺杂剂类型、生长工艺以及掺杂原子对电学性...     

采用金-金键合工艺制备垂直结构氮化镓发光二极管

本文在采用键合工艺制备以硅为衬底的氮化镓发光二极管的工艺过程中分别尝试采用金-金,金-硅,铝-铝,铝-硅键合对。研究发现金-金键合对得到了100%的键合面积。键合工艺结束后,采用KrF激光分离氮化镓发光二极管的器件层和原蓝宝石衬底。通过超声波造影仪(SAM)和扫描电子显微镜(SEM)研究了金属键合工艺过程中相应的键合机制。     

Si基GaN上的欧姆接触

研究了Ｓｉ基ＧａＮ上的欧姆接触,对在不同的合金化条件下铝（Ａｌ）和钛铝铂金（Ｔｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ）接触在不同的合金下的性质作了详尽的分析。Ａｌ／ＧａＮ在４５０℃氮气气氛退火３ｍｉｎ取得最好的欧姆接触率７．５＊１０＾－３Ω．ｃｍ＾２,而Ｔｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ／ＧａＮ接触在６５０℃氮气气氛退火２０ｓ取得最好的欧姆接触８．４＊１０＾－５Ω．ｃｍ＾２,而且Ｔｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ／ＧａＮ接触有较好的热稳定     

GaN材料中离子注入的研究进展

综述了ＧａＮ材料中离子注入的研究进展,重点介绍了离子注入技术在ＧａＮ材料中的发光（ＰＬ,ＥＬ,ＣＬ）研究,注入隔离ｐ－ｇａｊｆ／ｎ－型掺杂和深能级缺陷研究中的应用。     

GaN和AlxGa1—xN薄膜材料研究进展

ＧａＮ及ＡｌｘＧａ１－ｘＮ是发兰光的关键材料，是目前光电子材料中最引人注目，必须攻克的课题。本文综述了ＧａＮ及ＡｌｘＧａ１－ｘＮ材料的研究现状重点介绍了ＧａＮ及ＡｌｘＧａ１－ｘＮ材料近年来在性能评价，生长技术和应用开发方面的进展。     

白光发光二极管用荧光粉的研究进展

针对目前获取发光二极管(LED)白光的3种主要方法,即三基色荧光粉配合、蓝光LED芯片激发YAG:Ce3+荧光粉和单一离子(Dy3+)的发射进行综述,着重介绍各种方法中所需荧光粉的制备方法和结构体系及其优、缺点,简单总结白光发光二极管研究领域存在的问题及发展趋势。     

Multiple-Quantum-Well Perovskites for High-Performance Light-Emitting Diodes

Light-emitting diodes (LEDs) based on solution-processed metal halide perovskites have shown great application potential in energy-efficient lighting and displays. Multiple-quantum-well (MQW) perovskites simultaneously possess high photoluminescence quantum efficiency and good film morphology and stability, making it attractive for high-performance perovskite LEDs. Here, merits of MQW perovskites and the progress in MQW perovskite LEDs are reviewed. Challenges and future directions of perovskite LEDs are also discussed.     

基于抗侵蚀空穴传输层的聚合物电致发光器件

以溶解于甲醇和N,N-二甲基甲酰胺(DMF)混合极性溶剂中的三苯胺类共轭聚电解质聚[N-(4-三氟甲基苯)-4,4′-二苯胺-共-N-(4-磺酸锂基苯)-4,4′-二苯胺](PTFTS-Li)作为空穴传输层,分别以红光材料芴与4,7-二噻吩-2,1,3-苯并噻二唑共聚物(PFO-DBT15)和绿光材料芴与2,1,3-苯并噻二唑共聚物(PFO-BT15)为发光层制备了抗侵蚀空穴传输层的聚合物电致发光器件。并与传统的苯磺酸掺杂聚乙烯基二氧噻吩(PEDOT-PSS)为阳极缓冲层和裸氧化铟锡(ITO)为阳极的器件对比,以PEDOT/PTFTS-Li或PTFTS-Li作为空穴传输层的器件比单一PEDOT作为空穴传输层的器件外量子效率的两倍还多。     

Development and Practical Applications of Blue Light-Emitting Diodes

<正>The practical application of semiconductor-based high-efficiency white-light sources,also known as light-emitting diodes,or LEDs,is a recent development of Japanese engineering.This development could be a game-changer for lighting worldwide,given that current power consumption for lighting accounts for 16%of the total electricity