用计算器求解架空线状态方程的根

本文利用复数余弦倍角定理,推导出求解架空线状态方程式实数解的方法,它简单、快速又准确,不存在不收敛或收敛慢的问题。它借助于计算器能运算余弦函数和双曲函数的功能,直接给出方程根的准确解,便于普及和现场应用。如能运用EL-5100S型计算器,则更方便。一、架空线状态方程式架空线状态方程式的一般形式为σ~3-Bσ~2-A=0 (1) 其中 A=l~2g~2/24β (2) B=σ_m-l~2g_m~2/24βσ_m~2-(t-t_n)α/β (3) 式中 l——计算档距,m; α——架空导线的热线膨胀系数,1/℃; β——架空导线的弹性伸长系数,mm~2/kg。通常由临界档距判别确定的控制条件,为已知,即相应的t_m(℃)、g_m(kg/m·mm~2)及其σ_m(kg/mm~2)为已知。参数A值恒为正实数,B值可为正或负实数。根据笛卡儿关于方程系数符号法规则和物理概念可知,式(1)只有一个正根,就是σ的有效解。     

架空线状态方程正实数根的公式求解

架空线状态方程经过简化为缺一次项的一元三次方程,其标准式为σ~3—Bσ~2—A=0 (1)式中 A、B 为实系数,且由工程条件决定了 A恒为正实数,σ为待求的应力变量。笛卡尔符号法则是设 f(x)=a_0x~n+a_1x~(n-1)+……+a_n=0(a_0≠0,a_n≠0),为实系数 n 次代数方程,若其系数列序{a_0,a_1,……a_n)的变号次数为 p,则方程 f(x)=0的     

可靠性基础理论讲座(三)

(三)正态分布1.正态分布的定义密度函数为(59)式的分布称为正态分布: f(t)=1/((2π)~(1/2)σ)exp[-1/2((t-μ)/σ)~2] (-∞相似文献   

Gelfand表示理论在有界正常算子的最佳非负逼近中的应用

本文将Gelfand表示理论用于有界正常算子最佳非负逼近问题的研究,直观方便地证明了文献[1]中提出的有界正常算子A有唯一最佳非负逼近的特征,是A的任意潜点到正实轴的距离为常数这一结论。得到了最佳非负逼近算子B_+的谱的特征。完善了文[1]中σ(A)σ(B)+iσ(C)的结果,得出σ(A)=σ(B)+iσ(C)。     

Ca~(2+)取代对SrCaLaCo铁氧体的微结构和磁特性的影响

用普通陶瓷工艺制备了分子式为Sr_(0.62-x)La_(0.38)Ca_xCo_(0.24)Fe_(0.14)~(2+)Fe_(11.62-σ)~(3+)O_(19)(x=0,0.2,0.4,0.6,缺铁量d=1.36)的SrCaLaCo铁氧体,研究了Ca~(2+)取代对材料微结构和磁特性的影响。实验表明,Ca~(2+)不仅进入晶格参与形成M型的六角铁氧体,而且还存在于晶界中影响晶粒的生长。当x=0.4时,预烧样品在1240℃时可形成单一的M相,比饱和磁化强度(σ_s)和矫顽力(H_(cj))达到最大,分别为69.3A×m~2/kg和334k A/m(4329Oe)。当烧结温度为1170℃×1h时,烧结样品获得最佳性能:剩余磁化强度B_r=445m T,矫顽力H_(cj)=420k A/m。     

用诺模图计算电除尘器的效率

用于煤粉锅炉机组的电除尘器的除尘效率,可用修正过的华特生(Watson)公式来估算.η=100[1-e~(4.73)(A~(0.32)KW~(0.16)S~(0.16/V~(0.48)]式中A—集尘极板面积,1000呎~2.V—烟气体积,1000实际呎~3/分.S—煤中含硫量,重量百分数.KW—电晕功率,或放电电极的输入功率.     

方向阻抗继电器测量阻抗及动作行为分析(下)

<正> 三、两端电源单相接地故障继电器测量阻抗 (一)正向单相(A相)接地,故障相(A)继电器测量阻抗图(3-1)(3-2)有关参数; Z_1=Z_(S1)+xZ_L Z_2=Z_(S2)+(1-x)Z_L Z=Z_1+Z_2=Z_(S1)+Z_(S2)+Z_L Z_(r1)Z_(r2)——分别为另序网络系统另序阻抗 Z_(LO)——线路另序阻抗, K=(Z_(LO)-Z_L)/(3Z_L) Z_(1∑)Z_(2∑)Z_(6∑)——分别为正、负,另序网络组合阻抗。     

关于交流失真波电压真有效值的测量

我们知道交流电压(或电流)通常都以有效值表示,也就是它的均方根值,其数字表达式为V_(rms)=(1/T integral from O to T u~2(t)dt)~(1/2)=A~(1/2)式中u(t)为交流电压的瞬时值;A为交流电压在一个周期内的均方值;V_(rms)为交流电压的有效值。将正弦电压u(t)=u_msin(ωt+Φ)代入上式得:V_(rms)=(U_m~2/2)~(1/2)=U_m/2~(1/2)=0.707 U_m 由上面推导可以看出: 1.交流电压的有效值V_(rms)=0.707U_m也就是通常所熟知的幅值等于有效值的2~(1/2)倍。     

离子液体掺杂改性全氟磺酸复合膜的电导率

将三乙胺作用后的全氟磺酸离子膜(PFSA)与咪唑基离子液体进行掺杂改性,分别以甲醇及水为介质制备了复合膜A和B,采用交流阻抗法测定了膜的电导率,结果表明,当温度从30℃升至90℃时,含5%、10%、15%和20%离子液体的复合膜A的电导率为0.92×10~(-5)~3.52×10~(-5)S·cm~(-1),复合膜B的电导率为0.59×10~(-5)~2.38×10~(-5)S·cm~(-1),而PFSA的电导率为0.30×10~(-5)~1.21×10~(-5)S·cm~(-1),复合膜较PFSA膜的电导率增大2~3倍,膜的电导率随温度的升高而增大;测定了-25~0℃时PFSA及复合膜的电导率,由Arrhenius方程求解的复合膜A、B的活化能E为1.62~2.47 k J/mol。     

半导体二级管

表17部分肖特基势垒二极管主要技术参数 阳华表16部分隧道二极管主要技术参数型号峰值电流 /mA大总电 /pF峰值电压 /mV峰谷电流比谷值电压 /mV300 250 750 30030000 QO‘、︸Q口O八75 100 180 757521眨鸿A21巧23A2晓33A型号整机噪声系统/dB中频阻抗 /n最大漏过脉冲 功率/n1w反向电流 华AZHI IA2HllB(7 .5毛6 .52(X)、4502(X)、4505oo5oo冬10(10ZHIZAZH12B毛7 .5落6 .5150~2伪150~5005oo5oo毛10毛10ZHI3AZH13B毛7,5毛6 .52田、日刃2(X)、6刃7(X)7(X)ZCV3AZCV3B蕊7 .5妄6 .5100~250100~乃05oo5oo鉴10蛋10ZCVZAZCVZBZC…     

张丝支承型测量仪表品质系数的論証(續完)

7.可动部分重量的影响,向悬絲的变换本节討論(3.9)式中所忽略的数值: δ_1=4·S/σ_0·π·d~2 (7.1)这一数值表达可动部分重量的附加影响。不忽略这一数值,便可得到品质系数(圓形綫料)的严格条件式: Γ_s=200·M_(90°)/S~38≥9.82 G~3/τ_0~2·σ_0~3·x_0~3 1/1-δ_1(7.2)因此对于品质系数的最小值,以后应以材料的充分利用率来計算。然后在(7.2)式中用等号。     

用铜丝代替保险丝的直径估算法

设原保险丝容量为I_0(单位为A),则铜丝直径D≈0.054×(I_0~2)~(3/2)(mm)。例:I_0=15 A D=0.054×(15~2)~(3/2)=0.054×255~(3/2)≈0.328(mm)因公制线规中无该规格,所以可选用D=0.33mm的铜     

Ba取代对Sr-Ca-La-Co系六角铁氧体的微结构及磁特性的影响

采用Ba部分取代Sr制备(Ca0.37La0.38Sr0.25-yBay)Fe10.4Co0.24O19(y=0~0.04)铁氧体,研究了样品的磁特性和微结构。当y=0时,预烧样品在1250℃保温1.5h可形成单一的M相,比饱和磁化强度(σs)和矫顽力(Hcj)达到最大,分别为67.82 A·m2/kg和383.8kA/m。少量Ba(y≤0.04)取代Sr元素时,预烧样品依然为单一的M相。随着Ba2+取代Sr2+的增加,预烧样品的比饱和磁化强度(σs)上升,在y=0.04时达到最大,从67.82A·m2/kg增加到69.53 A·m2/kg,矫顽力略有下降。当烧结温度为1170℃(保温1.5h)时,样品的剩余磁化强度(Br)随着y的增加而上升。在y=0.03时获得最佳磁性能,Br=450mT,Hcj=412kA/m,(BH)max=38.2 kJ/m3,通过Ba元素取代,能同时提高Br和Hcj。但取代量过多时Br和Hcj会下降。     

Riemannζ-函数的复零点(Ⅰ)

本文是一组论文的第一篇。它简单回顾了这方面的主要工作,并指出了黎曼假设与一些著名的数论问题的联系。本文给出了ζ(s)的复零点所必须满足的两组超越方程式。此外,还证明了函数ζ(s)在诸圆:丨s-1/2丨=1/2、丨s-1/4丨=1/4、丨s-3/4丨=1/4上无复零点。更进一步,又证明了ζ(s)在闭域={(σ,t)丨σ~2+t~2-σ≤0}上无复零点。最后给出了与 Riemann 猜测等价的两个定理。并且指出,若 Riemann 假设真实,则收敛无穷级数之知值可以求得;此处ρ经过ζ(s)的全体复零点。     

关于参数与偏差范围的表示

正1数值范围五至十可写为5~10;3×10~3~8×10~3,不能写成3~8×10~3。2百分数范围20%~30%不能写成20~30%。3具有相同单位的量值范围1.5~3.6 m A不必写成1.5 m A~3.6 m A。4偏差范围(25±1)℃不写成25±1℃;(85±2)%不写成85±2%。     

关于参数与偏差范围的表示

正1数值范围五至十可写为5~10;3×103~8×10~3,不能写成3~8×10~3。2百分数范围20%~30%不能写成20~30%。3具有相同单位的量值范围1.5~3.6 m A不必写成1.5 m A~3.6 m A。4偏差范围(25±1)℃不写成25±1℃;(85±2)%不写成85±2%。     

化学电源中关于隔膜电阻的几个问题

本文从隔膜电阻与孔结构的关系出 发,讨论了下列表达公式:(1)R=p_溶L/SR隔膜电阻,p_溶 溶液比电阻L/S微孔有效长度与面积比的结构因素,(2)R=p_溶(A·P·δ/(Nγ~2)~2)A面积,P孔率,N孔数,γ~2平均孔半径平方,δ隔膜湿厚度,(3)K_比=E_膜-E_空/E_空·B/δ+1以及p_膜=p_溶·K_比。K_比的物理意义是一个与隔膜结构有关的值,p_膜是指隔膜比电阻,(4)△K_比=(△E_膜 E_空-△E_空 E_膜/(E_空)~2)·B/δ,即直流法测K_比时误差公式,若使B等于δ最好。 另外引起误差来源是二个参比电极电位之间有差别,其大小可与隔膜上产生的1R降相比拟。     

Jacobi矩阵的构造

已知满足条件:λ_1<μ_1<λ_2<μ_2<…<λ_(n-1)<μ_(n-1)<λ_n的两组实数{λ_j}_j~n=1和{μ_j}_(j-1)~(n-1),存在唯一的Jacobi矩阵J(n,a,b),使得矩阵J(n,a,b)以数组{λ_j}_(j=1)~n为其特征值,而J(n,a,b)的n-1阶顺序主子矩阵是以数组{μ_j}_(j=1)~(n-1)为它的特征班。本文给出这个结果的一种新的证法。     

含锌的分子筛型固体电解质的研究

本文在文献[6]的基础上,通过扩散的方法在4A分子筛中添加ZnCl_2和NH_4Cl,制备了一种含锌的分子筛型固体电解质Zn-MSE。由于其中含有超量的正、负离子并控制了适当的含水量,故Zn-MSE的电导率σ在室温下(12—14℃)达到了10~(-3)Ω~(-1)Qcm~(-1)的数量级。用Zn-MSE组装成的全固态Zn/MnO_2电池具有较优的性能。     

研究生考题选登

电路 I。填空题 (l)图1示对称三相电路中,220理伏,Z=10之旦Q。。,则Ie三loe=A。已知EA= A(4分) (2)图2示理想回转器的回转系数r二10Q一y.,0.5+jo.ss,则11‘端的入端阻抗Z:= 9。(4分) (3)图3示双口网络中,Z:=zQ,22二ZQ,Z。二3Q,Z‘二69,则短路参数矩阵(4分) 杏 卜舀、.1-!l尹户...!!、 盔 Y┌──┐│,」││’刁│└──┘ 图2图3 (4)连通G如图4所示,选支路4、5、6为树支,则基本回路矩阵 阵 箱 集。It割 二本 氏基(4分)、苦11‘..了l上扛护C 一一入巨分一翻 八U尸、护\ (5)图5示电路中已知R=IQ,c=ZF,L=3H,则、贡二1 11了f du。/…