串音效应的检测图形测试法

串音效应的检测图形测试法曾戈虹（昆明物理研究所昆明６５０２２３）根据长波红外焦平面器件研制的需要和在对器件串光效应和测试原理进行分析的基础上，本文首次提出用检测图形测试的方法来测量红外焦平面阵列中探测器之间的串音效应，对用检测光伏焦平面阵列光串音效应...     

长波碲镉汞探测器的原位集成微透镜技术研究

采取原位集成的方式在红外焦平面探测器芯片的入光侧制备微透镜阵列以达到增强信号以及减小串音的作用,通过光学分析获得了匹配不同中心距器件的微透镜结构设计,在长波碲镉汞320×256,50 μm和30 μm中心距的探测器上验证了原位集成的微透镜阵列能够有效地通过汇聚光线,使信号增强分别达到28 %和61 %。对于超高灵敏度红外探测以及SWaP和超大规模红外探测器研究具有重大意义。     

红外小光点扫描测试系统

介绍了中波和长波“红外小光点扫描测试系统”。该系统由红外聚焦光学子系统，六维精密扫描工件台及数据采集子系统构成。可用于红外焦平面器件重要性能参数如串音、响应均匀性、转移效率的测量，也可用于单元红外探测器有效响应面积和响应均匀性等参数的测量。     

双色焦平面红外探测器相对光谱串音研究

提出了一种评价双色探测器的相对光谱串音的模型及测试方法。为验证模型及测试方法的可行性,采用分子束外延锗基叠层异质结构碲镉汞薄膜材料,研制了微台面结构短波/中波双色红外焦平面探测器原理器件,进行了相对光谱串音测试,归纳出3种主要的相对光谱串音模式,并结合材料、器件结构和工艺特点,分析了相对光谱串音的成因。     

论红外焦平面器件的串音

红外探测系统通常需要将探测器密集排列以增加它们的空间分辨率。在焦平面阵列中,当投射到某一特定探测器光敏面上的红外光子在另一个探测器中产生信号时,这种现象称为串音。串音可能会影响焦平面阵列的分辨率性能。在高性能光伏阵列中,串音的主要成分是光生载流子在焦平面阵列的相邻探测器之间的横向扩散。从基本概念入手,介绍了相关串音研究的发展情况以及对串音问题的理解和体会。     

降低平面结型碲镉汞焦平面阵列光串音的结构优化研究

研究了一种能够降低平面结型碲镉汞(HgCdTe,MCT)焦平面阵列光串音的新型结构.该结构通过对平面结型MCT焦平面阵列的衬底几何形状的优化设计,来达到增大光响应率、减少光串音的目的,以期提高器件的性能.提出了结构优化的快速近似设计方法,并利用商用器件模拟软件对Hg0.78Cd0.22Te器件进行了二维模拟.计算结果显示:当少子寿命为10 ns时,经过优化设计后的器件,光响应率增加了9.6%,光串音从未优化前的5.23%减小到1.05%.     

数字化红外焦平面噪声分析研究

基于自行设计的TDI线列红外焦平面数字化读出电路,设计一款带有驱动IRFPA器件和数字化数据采集功能的红外焦平面测试系统,分别进行数字化线列读出电路电注入方式、中波红外焦平面和长波红外焦平面的噪声分析以及红外探测器比较关心的NETD的分析,并对积分时间、焦平面阵列注入区和偏置电压对红外探测性能的影响做了区分论证。     

320×256元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面探测器

报道了320×256元In As/Ga SbⅡ类超晶格长波红外焦平面阵列探测器的研制和性能测试.采用分子束外延技术在Ga Sb衬底上生长超晶格材料,器件采用PBIN结构,红外吸收区结构为14 ML(In As)/7 ML(Ga Sb),焦平面阵列光敏元尺寸为27μm×27μm,中心距为30μm,通过刻蚀形成台面、侧边钝化和金属接触电极生长,以及与读出电路互连等工艺,得到了320×256面阵长波焦平面探测器.在77 K温度下测试,焦平面器件的100%截止波长为10.5μm,峰值探测率为8.41×109cm Hz1/2W-1,盲元率为2.6%,不均匀性为6.2%,采用该超晶格焦平面器件得到了较为清晰的演示性室温目标红外热成像.     

多色红外成像器件

本发明提供一种多色红外成像器件，它有一个包含一层中波红外探测层和一层长波红外探测层的焦平面列阵．红外焦平面列阵表面有许多个像元．另外，该成像器件还带有用以接收中波红外和长波红外辐射的光具．     

基于矩形微透镜阵列的红外焦平面集成技术研究

微小型化是红外焦平面探测器发展的必然趋势,微小型化将使目前焦平面阵列存在的占空比小、光能利用率低的问题体现的更加明显,针对这一状况,提出一种利用分子间引力的光胶技术将矩形孔径球面微透镜阵列集成于红外焦平面之中。采用几何光学理论分析了微透镜阵列的聚能效应,设计并制作"栅线"和"方孔"双对准标记,采用衍射光栅同轴对准方法使两种器件的对准精度达到0.1μm。对集成前后红外焦平面阵列性能进行测试,发现响应率提高了近40%,探测率提高了约20%,红外焦平面的噪声从758.89μV下降到668.23μV。最终得到结论:光胶法用于两种器件的集成具有耐温性好、变形小、强度高等优点,集成后红外焦平面的探测性能显著提高,有利于探测器微小型化发展。     

InGaAs焦平面探测器电串音性能的研究

串音与焦平面阵列(FPA)的灵敏度和分辨率密切相关。用模拟的方法定量地计算了In0.53Ga0.47As/InP 探测器焦平面阵列的电串音随光波波长、入射方向和台面的刻蚀深度的变化情况。结果显示：台面结构的器件的串音抑制性能比平面结构的要好;由于材料吸收深度和异质结耗尽层宽度的影响,短波长的光的串音比长波长要小,正照射的串音比背照射要小;另外,当台面的刻蚀深度穿透吸收层厚度时,其电串扰几乎完全被抑制。研究结果提出了相应的InGaAs FPA的低串音设计。     

分立器件时间测量单元的研制

分立器件的时间参数测量是分立器件参数测量的重要组成部分,随着分立器件设计技术的不断提高,如何高效准确地测试分立器件的时间参数是分立器件交流参数测试研究的重点。本文介绍了时间参数测量电路,从频率可调的方波产生电路,到时间测量电路做了一个系统的描述,此时间测量单元的测试结果在JC90分立器件测试仪器上得到了正确的验证。     

3D电视双眼串扰测试方法

针对3D电视双眼串扰测试中存在的问题,提出屏幕多点光色度探测方案及数据分析方案。对全画面3D电视双眼串扰测试进行研究,提出基于多点测量的3D电视双眼串扰测试方法,增强画面捕捉能力,提高串扰的测试精度和速度。通过测试与分析,证明了所提的测试方案可以定量描述3D电视的双眼串扰程度。     

太赫兹在片S参数测量串扰修正方法研究

为修正太赫兹在片S参数测试时探针间串扰误差,提出了一种包含串扰的新型误差模型,以及基于此误差模型的校准方法。该方法分别对待校准和测试时的串扰误差。基于这一概念,开发了一种新型12项误差模型,将串扰误差视为与被测件(DUT)并联的独立二端口网络。在测量DUT前通过测量一对长度与DUT相同的开路标准实现对串扰误差的表征并移除。实验证明,在140~220GHz频率范围内,使用新方法校准后测量10 dB衰减器,与没有串扰校正的传统12项误差模型相比,220 GHz时传输系数大约提高了1 dB。     

双面阵CCD实时测量激光发散角的系统

针对目前激光光束发散角测试速度慢,实时性差的问题,提出采用两个面阵CCD同时测量激光远场区域两个不同位置的光束宽度,用两点拟合的方法计算激光光束发散角的方法。该方法装置简单,可快速实时准确地测量激光光束发散角。测试结果表明,系统测量误差<0.1 mrad,重复测量误差均±1%之内。该测量方法研制的仪器成本低、测试效率高、便于携带,适合设备生产现场和空间有限的快速实时检测需求。     

Performance characteristics of planar ion-implantation isolated heterojunction,near-infrared,and short-wave infrared HgCdTe devices

Two-dimensional near-infrared (NIR) and short-wave infrared (SWIR) HgCdTe arrays have been produced using planar ion-implantation isolated heterojunction (PI3H) device technology. This paper is an extension of an earlier study in which focal plane arrays (FPAs) were fabricated based on heterojunction-mesa and ion-implanted planar device structures. The PI3H device structure is pursued in order to verify whether it can encompass both the superb multilayer characteristics of heterojunction detectors as well as the planar integrity of ion-implanted devices. The PI3H devices are characterized, and R₀A measurements are carried out at different temperatures and compared to those obtained from heterojunction-mesa and ion-implanted device structures. Data shows the PI3H devices to be superior to both heterojunctionmesa and ion-implanted detectors at temperatures between 130 K and 300 K. Performance characteristics of the thermoelectric (TE) cooled SWIR FPAs with 320 × 256 format, as well as NIR FPAs with 640×512 format based on the PI3H device structure are also discussed.     

航空机载设备中可编程逻辑器件的第三方测评方法研究

目前航空机载设备中可编程逻辑器件的应用领域和规模逐步扩大,在设备软件测评过程中软件测试人员面临着是否需要对FPGA/CPLD进行测试、如何测试的困惑。针对该疑问,本文对传统的软件测试方法和可编程逻辑器件验证方法进行分析,并借鉴军用产品软件第三方测评进入条件评估的思路,提出了能够较好地适应高安全性设备软件第三方测评的流程和方法,提高可编程逻辑器件测评的效率。     

SoC芯片测试设备现状

随着SoC应用的日益普及,对SoC测试技术提出了越来越高的要求,掌握新的测试理念、新的测试流程、方法和技术,是应对SoC应用对测试技术提出的挑战,适应测试发展趋势的必然要求。介绍了应对SoC测试技术挑战的基本方法和设备结构及几家设备公司SoC芯片测试设备概况。     

设备误差对光学测角系统内场试验精度的影响分析

内场精度试验是光学测角系统研制过程中的一项重要试验,内场试验设备的误差对试验结果有一定的影响.本文按照光学测角系统和内场试验设备的工作原理,分析了引起内场测角试验误差的主要来源,根据推导的内场试验误差模型,对光学测角系统内场试验精度进行了仿真分析,并就如何减少试验系统误差进行了探讨.     

STEPPER通用测试掩模的设计及使用

介绍了一种ＳＴＥＰＰＥＲ通用测试掩模（ＵＴＭ）的设计构成及各测试元素图形的作用。在此基础上，分析了电子束制作ＵＴＭ的误差，并阐述了ＵＴＭ的测试方法、数据处理及其对ＳＴＥＰＰＥＲ性能的影响。