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光电表征技术是太赫兹应用技术的重要基础,涵盖了太赫兹频段光电器件表征、光谱测量、光束改善以及通信和成像应用等多个方面,在太赫兹应用领域中发挥着重要作用。介绍了太赫兹频段两种半导体量子器件的工作原理和最新进展,综述了二者在太赫兹脉冲功率测量、探测器响应率标定等光电表征技术中的应用及其在太赫兹快速调制与探测、太赫兹扫描成像系统中的应用,最后介绍了太赫兹光电表征技术的改善,包括激光源光束质量改善和探测器有效探测面积的提高方法等,并给出了器件及表征技术的潜在应用。 相似文献
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本文主要从量子理论中的电子波函数所满足的薛定锷方程出发,讨论了量子阱理论。进而介绍多量手阱激光器(MQWL)的重要特征之一——阈值电流密度随量子阱的数目变化的情况。 相似文献
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友汪 《激光与光电子学进展》1994,31(5):24
量子阱光折变器件光折变器件可用于一系列应用，特别是图象处理，但受到折变效应速度缓慢和需要较高强度光的限制。普渡大学Ｄ．Ｎｏｌｔｅ和贝尔实验室的Ａ．Ｇｌａｓｓ正努力发展克服光折变器件中某些问题的半绝缘多量子阶，并于最近对薄膜光折变器作了综述。块状材料和... 相似文献
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廖先炳 《激光与光电子学进展》1989,26(1):44
贝尔通信研究所报导的一种图案化新颖量子阱半导体激光器是在沟槽衬底上生长出非平面化量子阱单晶层、利用非平面化量子阱层厚度横向变化而实现横向载流子和实数折射率的波导。这种结构引人注目的优点，就是只需一次单晶生长就可制作出常规必须两次单晶生长并继之以腐蚀技术才能实现的隐埋异质结构。 相似文献
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综述了近几年来国外在量子阱半导体激光器方面的开发现状，着重阐述了在提高器件性能方面获得低阈值电流，降低α参数和线宽的重要性。 相似文献
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半导体光电器件中的减反射膜 总被引：4，自引：0，他引：4
用电子束蒸发技术制备了 GaAlAs/GaAs 和 InGaAsP/InP 发光管的减反射膜。从不同的 LED 和膜厚所获得的结果表明:0.85μm 或0.9μm GaAlAs/GaAsLED 端面上的单层(λ/4)Al_2O_3 AR 膜,能使之明显地增加输出光功率,其输出功率在50mA 和100mA 电流下通常可以增加25%～35%,最大达50%。但1.3μm 的InGaAsP/InP LED 上,单层的 ZrO_2 AR 膜比 Al_2O_3 AR 膜好。最后讨论了与输出功率和膜厚有关的问题。 相似文献
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介绍了在蓝宝石衬底和ELOG（外延横向过生长）衬底上生长的InGaN量子阱LEDt LD结构，并描述了LED和LD的器件应用。 相似文献
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李淑芳 《固体电子学研究与进展》1990,(1)
<正>据《Microwave ＆ RF》1989年6月号刊载,美国德克萨斯仪器公司中央研究实验室的B.Kim等报道了一种能在毫米波波段有较高功率密度输出的量子阱器件,它可望成为新型毫米波功率器件.这种量子阱器件是含有未掺杂Al_(0 .4)Ga_(0.6)As半绝缘顶层的量子阱MISFET结构.其顶层下的InGaAs形成的沟道具有良好的电子输运特性.由于栅漏击穿电压较高,故该器件可作为毫米波波段的功率器件.器件栅长0.25μm,栅宽50或75μm. 相似文献
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１０５量子阱半导体激光器的进展蔡伯荣（成都电子科技大学光电子技术系，６１００５４）本文简要介绍量子结构激光器的新进展。超晶格量子阱概念是７０年代初由美国ＩＢＭ公司的日本人Ｌ．Ｅｓａｋｉ和中国人朱兆强首先提出的。超晶格材料主要分为两大类型：１．晶格匹配... 相似文献
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