FBGA封装阵列制造工艺过程的翘曲研究

采用有限元分析法,就一款1-block形式的FBGA封装阵列产品在注塑成型过程中所经历的带状翘曲现象进了预测分析,并用测试结果验证了有限元分析的有效性。在此基础上,从理论方面分析了材料性能对封装翘曲的影响,并对塑封料CTE参数进行了优化分析和仿真验证。最后,分析了芯片的排列形式对封装翘曲的影响。     

BGA焊点的缺陷分析与工艺改进

本将结合实际工作中的一些体会和经验，就BGA焊点的接收标准、缺陷表现及可靠性等问题展开论述，特别对有争议的一种缺陷－空洞进行较为详细透彻的分析，并提出一些改善BGA焊点质量的工艺改进的建议。     

IGBT模块回流焊工艺中预翘曲铜基板的研究

IGBT模块铜基板的平整度对于模块的可靠性至关重要,在工业生产中,往往会通过机械的方法使平整的铜基板预翘曲成凹形,从而达到使铜基板在回流焊之后变得平整目的.基于Anand粘塑性模型,通过有限元的方法建立回流焊工艺模型分析整个回流过程中铜基板翘曲变化.研究了DBC铜层图形对因回流引起的铜基板翘曲的影响,分析了铜基板预翘曲量对回流中基板翘曲变化的影响.研究结果表明,铜层图形对回流中铜基板翘曲的影响较小,预翘曲量的大小对回流中铜基板翘曲变化方向影响较小,回流中基板翘曲变化量近似为一常数.一种有效地分析回流焊工艺过程的方法被提出,为封装工艺工程师提供了重要参考,对工业生产具有重要的指导意义.     

多线切割工艺中切割速度对晶片翘曲度的影响

目前,半导体单晶材料的加工多采用多线切割机进行切割。切割工艺直接影响着切割过后晶片的参数。在这些参数中,翘曲度是鉴别晶片几何参数好坏的重要指标之一。影响翘曲度的因素很多,如切割速度、砂浆密度、晶片内部应力等,在切割工序中,通过调整多线切割的工艺条件,来控制和改善晶片的翘曲度。     

多线切割工艺中晶片翘曲度的控制

翘曲度是鉴别晶片几何参数好坏的重要指标之一.采用逐点扫描法对多线切割制备的晶片翘曲度分布进行了测量.通过对切割线张力、砂浆使用次数、切割速度等影响翘曲度的主要因素进行实验分析,阐述了产生的原因,并得出了翘曲度的分布规律.针对影响翘曲度的主要因素,根据其分布规律调整相应的切割工艺条件,可较好地控制晶片的翘曲度.虽是针对Si单晶加工中出现的实验情况进行分析,但该结论完全可用于Ge、GaAs等其他晶体的加工中.     

多线切割工艺中切割线直径对翘曲度影响的研究

目前,在硅单晶锭切割领域多线切割机已得到广泛的应用。切割砂浆及切割线在切割中有着极其重要的作用,不同的使用条件会直接影响切割晶片的几何参数。主要讨论切割线直径的不同对切割出晶片几何参数的影响。     

高压BCDMOS集成电路的工艺集成

对高压13CD--MOS器件的结构和工艺进行了研究,用器件模拟MEDICI和工艺模拟T-SUPREM软件分别对器件结构和工艺参数进行了设计优化．在工艺兼容的前提下,设计制作了包含NPN、PNP、NMOS、PMOS、高压LDMOS等结构的BCDMOS集成电路样管．测试结果表明,样管性能与模拟结果相符．     

多层印制板加工中翘曲的原因分析及改善措施

随着电子产品向智能化、小型化以及集成电路器件密集化发展,多层板和高密度电路板的应用越来越多.这些产品普遍采用表面安装技术,这对多层印制板平整度的要求更加严格,但在多层印制板的层压等加工过程中容易出现板面翘曲问题,对多层印制板加工中出现翘曲的原因进行了分析,重点从制作时层压的工艺过程控制方面进行论述,提出了改进措施.这些措施经生产验证,可以明显改善多层印制板的加工质量.     

InP晶圆背面减薄工艺中翘曲度的控制与矫正

背面减薄是制备InP基光电子芯片的一道重要工艺。晶圆被减薄后失去结构支撑,会因应力作用产生剧烈形变,翘曲度大幅提高。严重的翘曲会使芯片可靠性降低甚至失效,应对晶圆的翘曲度进行控制和矫正。文章从“损伤层-翘曲度”理论出发,实验研究了晶圆厚度、粘片方式、研磨压力、磨盘转速、磨料粒径对翘曲度的影响。根据试验结果优化工艺参量,优化后晶圆的翘曲度降低了约20%;再通过湿法腐蚀去除损伤层,矫正已产生的翘曲,使晶圆的翘曲度降低约90%。优化减薄工艺降低损伤应力与湿法腐蚀去除损伤层分别是控制和矫正晶圆翘曲度的适用方法,可使翘曲度下降至之前的10%以内。     

硅片翘曲对光刻条宽均匀性的分析

通过对硅片翘曲情况及AZ603-14cp正性光刻胶的测试,在步进光刻机的聚焦曝光原理基础上分析了硅片翘曲对条宽均匀性的影响.从而得到了在集成电路,尤其是小尺寸集成电路的制造中硅片平整度的重要性.     

Comprehensive Warpage Analysis of Stacked Die MEMS Package in Accelerometer Application

<正>Packaging of MEMS ( micro-electro-mechanical system ) devices poses more challenges than conventional IC packaging, since the performance of the MEMS devices is highly dependent on packaging processes. A Land Grid Array ( LGA ) package is introduced for MEMS technology based linear multi-axis accelerometers. Finite element modeling is conducted to simulate the warpage behavior of the LGA packages. A method to correlate the package warpage to matrix block warpage has been developed. Warpage for both package and sensor substrate are obtained. Warpage predicted by simulation correlates very well with experimental measurements. Based on this validated method, detailed design analysis with different package geometrical variations are carried out to optimize the package design. With the optimized package structure, the packaging effect on accelerometer signal performance is well controlled.     

BGA元件组装及质量控制工艺

伴随高密度电子组装技术的发展,BGA元件成为高密度、高性能、多功能及高I/O数封装的最佳选择,并已经得到广泛应用。介绍了BGA元件的分类、焊盘设计、组装工艺、焊点检测技术及返修工艺。     

芯片推力方法与MEMS芯片固化工艺的研究

介绍了封装推力与MEMS(微电子机械系统芯片)固化的通用工艺,提出了芯片固化中遇到的问题.针对异议的工艺与材料进行了试验,采用数理统计方法进行了分析.对MEMS装片材料与结构进行研究,找出芯片推力实施的过程的问题,实施优化MEMS芯片推力方法.最终采用数理统计方法验证了该推力方法在工艺实施过程的可行性,该方法满足了大生...     

MLCC装配质量优化研究

针对本所产品中多层陶瓷电容器(MLCC)在经过环境试验后出现的失效问题,通过对失效原因进行分析,结合生产实际情况,进行了技术改进.制作了技术改进前后的试验板,经过环境试验后测试,结果表明,未改进前的试验板中的MLCC出现问题,而改进后的试验板没有发现问题.最后对故障MLCC进行了DPA检查,结果发现MLCC端头出现45°角裂纹.试验结果表明经过技术改进后有效地解决了MLCC装配质量问题,提高了产品装配合格率,达到了预期的效果.     

碳纳米管介电电泳组装及过程控制研究进展

碳纳米管具有独特的结构和卓越的电学、热学、力学等性能,有望在微纳电子、微纳机电系统、传感器、新能源、光学等诸多领域获得具有深远影响的应用。碳纳米管的组装是其获得广泛应用的重要前提,基于介电电泳的组装和过程控制技术近年来得到了迅速发展。这些技术包括回路中串联自限制性电阻,间隙电信号实时监测和反馈控制,三维结构的组装和包覆,引入不同形状浮动电极等。对碳纳米管介电电泳组装及各种新技术做了系统介绍,并对各种方法的优缺点进行了对比与总结,为探索稳定、高效的碳纳米管自动组装方法提供帮助。     

基于再流焊冷却过程应力分析的板极组件BGA焊点参数优化

建立了板级组件BGA（Ball Grid Array）焊点有限元分析模型,对BGA焊点进行了再流焊冷却过程应力仿真分析,设计并完成了验证性实验以验证仿真分析方法的有效性,分析了焊点结构参数和材料变化对焊点再流焊冷却过程应力应变的影响,采用响应面法建立了焊点应力与结构参数的回归方程,结合遗传算法对焊点结构参数进行了优化.结果表明：实验结果证明了仿真分析的有效性;焊点应力随着焊点高度的增加而增大,随着焊点直径的增加而减小;最优焊点结构参数水平组合为：焊点高度0.44mm、焊点直径0.65mm、焊盘直径0.52mm和焊点间距1.10mm;对该最优焊点仿真验证表明最大应力下降了0.1101MPa.     

光纤中五阶非线性极化效应对黑脉冲传输的影响

考虑到光纤折射率的五阶非线性极化效应，本文对不同初始条件下，光纤中黑脉冲的传输进行了数值模拟分析，结果表明，高阶非线性极化效应对黑脉冲的分裂具有推迟作用。     

过程噪声对融合航迹性能的影响

本文研究动态系统过程噪声对航迹统计距离和状态融合估计性能的影响。由过程噪声产生的航迹互协方差矩阵的运算量较大,甚至占到航迹融合总运算量的一半,所以在实现系统时应尽量避免互协方差矩阵的在线计算。文中估计并比较了互协方差矩阵、统计距离及状态融合估计的运算量,仿真研究了观测噪声对航迹统计距离和状态融合估计性能的影响。仿真结果表明在过程噪声较小而对融合航迹性能的影响有限时,可考虑忽略过程噪声的影响,这样将大大降低运算量,反之则不能忽略。     

工艺条件对溶胶-凝胶法制备低介玻璃粉的性能影响

通过溶胶-凝胶法制备低介、低损耗的玻璃粉末,研究了工艺条件对Ca-B-Si烧结性、介电性能的影响。结果表明：当PH值为4,水浴温度为60℃、前躯体浓度为0.75 mol/L时,溶胶-凝胶法所制备出玻璃粉末具有较低的介电损耗0.5×10-3和介电常数5.31。     

PMOS管工艺参数对反相器SET效应的影响

研究了体硅CMOS工艺下数字集成电路的抗辐照特性。利用Synopsys公司的三维半导体器件模拟软件Sentaurus,对数字集成电路中的反相器电路进行单粒子瞬态(SET)效应仿真,分析PMOS管的各种工艺参数对反相器SET效应产生的脉冲电压的影响。研究结果表明,通过降低PMOS管的栅氧层厚度、n阱掺杂浓度、p+深阱掺杂浓度以及提高衬底浓度,可以有效地减小反相器SET脉冲电压的峰值和脉冲宽度。该研究结果对抗辐照数字集成电路设计具有一定的指导作用。