KTNP晶体生长、结构与粉末倍频效应的研究

采用高温溶液籽晶降温法生长了一系列ＫＴＮＰ晶体,研究了ＫＴＮＰ溶液的性质、ＫＴＮＰ晶体生长基元及其生长形态,测定了ＫＴＮＰ晶体的晶胞多数、红外光谱、吸收光谱和粉末倍频效应．最后,简要地讨论了所获得的一些研究结果．     

高温溶液中KTP晶体生长机制的研究

采用激光Ｒａｍａｎ光谱，研究了ＫＴＰ－Ｋ_２Ｏ－Ｐ_２Ｏ_５和ＫＴＰ－Ｋ_２Ｏ－Ｐ_２Ｏ_５－ＷＯ_３两种不同溶液的淬冷玻璃体，这些玻璃体部分地记录了相应溶液的溶质与溶剂间相互作用的信息，溶液中ＴｉＯ_６、ＰＯ_４、ＷＯ_４等阴离子基团形成了不同类型的溶剂合物。随后，以籽晶称重法测定了ＫＴＰ晶体在这两种不同溶液体系中的生长质量速度与溶液过饱和度之间的关系。实验结果表明，ＫＴＰ晶体生长机制与原子化的ＢＣＦ生长理论的面扩散或体扩散的线性定律与抛物线定律相吻合。     

Cr：KTP晶体生长及其有关性能研究

采用高温溶液法在不同温度下生长了掺质量分别为摩尔原子质量的０．０３％和０．１％的Ｃｒ：ＫＴＰ晶体，确定了它们的最佳生长温度区间，并讨论了不同生长温度区间对Ｃｒ：ＫＴＰ晶体形态的影响。利用光学显微镜和扫描电镜观察了Ｃｒ：ＫＴＰ的３种生长缺陷。利用差热分析法分析了Ｃｒ２Ｏ３对ＫＴＰ晶体分解温度的影响。测定了Ｃｒ：ＫＴＰ品体的吸收光谱和蓝绿波段的荧光光谱，并用间接法估计了晶体中Ｃｒ４＋离子的含量。确定了摩尔原子质量的０．０３％为Ｃｒ：ＫＴＰ晶体的最佳掺质浓度，并用激光激发实验予以证明。     

高密度聚乙烯在应力作用下结构研究

本文使用广角Ｘ射线衍射仪（ＷＡＸＤ）研究了高密度聚乙烯（ＨＤＰＥ）在应力作用下晶体结构变化。使用多峰分离程序（ＭＰＳ）对样品的Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）谱图进行后续数字化处理,通过ＭＰＳ处理后的谱图可以将力化学加工过程出现的单斜相与原有的正交相和非晶相彼此重叠的ＸＲＤ谱图完全分离,计算了三相的相对含量以及结晶度和各相的微晶尺寸。结果表明,随力化学加工过程的进行,由正交相和非晶相构成的ＨＤＰＥ将出现第三相—单斜相,单斜相含量逐渐增加,而正交相含量逐渐减小,结晶度出现一个极小值。正交相和单斜相微晶尺寸出现规律性变化。     

LAP晶体生长过程中母液的变色和防菌研究

ＬＡＰ是一种新型的有机非线性光学晶体，由于其优异的性能，成为很有希望取代ＫＤＰ晶体，应用于激光核聚变反应的晶体。本文探讨了ＬＡＰ晶体溶液降温法生长过程中易出现的母液变色和细菌污染问题，找到了一种效果更为理枋的防菌剂－液体石蜡。通过采取低温生长和防菌措施，解决了上述问题，长出光学质量好的ＬＡＰ单晶。     

双掺KTP型系列晶体生长及其光谱特性

采用高温溶液缓慢降温旋转籽晶法生长出一系列双掺ＫＴＰ型晶体,研究了晶体生长习性,测定了所有晶体的晶胞参数、粉末倍频效应和晶体中掺质离子的浓度．测试了晶体的Ｒａｍａｎ光谱、激发光谱、发射光谱和 ３５０～８００ ｎｍ之间的光透过曲线．研究了双掺 ＫＴＰ型系列晶体的荧光性质．探索了新型激光自信频晶体存在的可能性．     

氧化镁部分稳定氧化锆的相变与抗热震性能研究

应用TEM，XRD和TMA研究氧化镁部分稳定氧化锆(MgO-PSZ)的相变、微观组织和结构、热膨胀特性。发现四方相到单斜相的相变分两步完成，相变发生的温度范围分别是1150～1180和460～830℃．通过特殊的热处理可以改变MgO-PSZ中的相结构和比例，其中细小的四方相颗粒的存在对抗热震性有明显影响，TMA下的动态拉伸实验观察裂纹扩展发现，在裂纹尖端存在马氏体单斜相的富集区，表明细小的四方相对裂纹扩展有阻止作用。     

钡长石中六方相与单斜相相对含量的X—射线定量分析

根据Ｘ射线物相分析原理及钡长石（ＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８）的Ｘ射线衍射谱特征，利用多重峰分离技术，建立了一种确定钡长石中六方相与单斜相相对含量的Ｘ射线定量分析的实验方程．计算得到实验配制的六方相与单斜相混合物试样的两相含量与实际含量很接近．在实验配比范围内，六方相相对含量的最大偏差＜４．５％，可以满足钡长石相变动力学研究的要求．     

纳米氧化锆粉体的制备与表征

采用化学沉淀法来制备氧化锆粉体,利用DTA、TG、IR、XRD等方法对氧化锆粉体及前驱物进行表征,并重点研究了锆盐浓度及煅烧温度对氧化锆粉体结构与性能的影响。结果表明,前驱物在450℃下煅烧后,由无定型转变为晶相,氧化锆粒子中同时存在单斜相和四方相,主要以单斜相为主。随着煅烧温度升高,氧化锆晶粒生长速度增大,晶粒尺寸变大,晶型由四方相逐渐转变为单斜相。当锆盐浓度为0.4mol/L时,粉体的产率高、晶粒尺寸小,晶粒尺寸为20.2nm,结晶完整性最好。     

PZN-PMN-PT铁电晶体的生长及表征

本文采用高温溶液法制备了PZN-PMN-PT晶体,利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了晶体的结构和微观形貌,通过偏光显微镜和介电温谱观测了晶体电畴和介电性能随温度的变化.研究结果表明,采用高温溶液法可以制备出纯钙钛矿相结构的PZN-PMN-PT晶体,晶体颗粒呈淡黄色多面体形态,最大尺寸为4mm×2.5mm×2mm,电畴的消光角为45°,三方四方相变温度达113℃,居里温度高达246℃.PZN-PMN-PT晶体的三方四方相变温度和居里温度均高于PZN-PT和PMN-PT晶体.     

化学计量比和铜离子对Fe:LiNbO3晶体光学性能的影响

以K2O作助溶剂,采用顶部籽晶溶液生长法生长近化学计量比Cu:Fe:LiNbO3晶体.测试了晶体的红外光谱,吸收光谱和抗光损伤能力.由红外光谱OH-吸收峰位置,确定Cu:Fe:LiN-bO3晶体是近化学计量比.吸收光谱显示出Cu:Fe:LiNbO3晶体的吸收边相对LiNbO3晶体发生红移.其抗光损伤能力比Fe:LiNbO3晶体提高一个数量级.对红外光谱OH-吸收峰移动机理,吸收光谱吸收边移动机理和抗光损伤增强机理进行讨论.通过二波耦合光路测试并计算了近化学计量比Cu:Fe:LiNbO3晶体的衍射效率、响应时间、擦除时间、灵敏度和动态范围.近化学计量比掺杂LiN-bO3晶体的光学性能优于Fe:LiNbO3晶体.     

氟化钙晶体生长及性能研究

采用液-固-溶液法（LSS法）制备了CaF2纳米粉体,通过X射线衍射分析（XRD）测试手段对纳米粉体进行了性能表征,研究了水热合成温度及水热压力对于粉体质量的影响;当水热合成温度为160℃,填充比为70%时,制得的CaF2纳米粉体的质量更佳。采用坩埚下降法,制备出了位错少,红外透过率大于90%,在紫外到中红外范围内折射率随波长的变化率小,光密度小于0.1,且上下波动范围较小的CaF2光学晶体。通过显微镜、XRD、红外和紫外分光光度计等测试手段对CaF2晶体的物相结构、光学性能及晶体表面性能进行了表征。     

对甲氧基对硝基二苯基乙炔的晶体结构与多型性

用对甲氧基苯乙炔铜与对碘硝基苯反应，定量地合成了对甲氧基对硝基二苯基乙炔，用溶剂法生长了它们的单晶．用Ｘ射线衍射结构分析和测定ＳＨＧ效应方法研究了这些晶体，发现从不同的溶剂中生长的单晶体具有不同的晶体结构，并且具有不同的光学性质．讨论了晶体生长、晶体结构与其光学性质的相互关系．     

金属硅化物熔体中不同形貌SiC晶体的生长

以过渡族金属硅化物为溶剂，采用自发熔渗法和溶液法来研究不同形貌SiC晶体在金属硅化物熔体中的生长情况.利用光学显微镜（OM）、扫描电镜（SEM）、体视显微镜等对熔渗试样和采用溶液法生长的单晶和晶须的形貌结构进行了观察和表征，利用X射线衍射仪（XRD）对采用溶液法生长的晶体和晶须进行了相组成和晶型的表征，并讨论了SiC晶须和SiC单晶的生长机理.结果表明，Fe5Si3、CoSi、Co4.5CrSi4.5、Ti2.3Si7.7等熔体适合生长SiC单晶，FeSi、FeSi2等熔体适合生长SiC晶须，而当Fe3Si熔体渗入SiC预制件后，仅有石墨相析出.     

Yb:YAG激光晶体生长与开裂分析

按3:5的化学计量比进行配料及合成,得到了YAG相的高纯原料;采用Cz法生长了掺杂浓度为5%的Yb:YAG晶体,对晶体的生长工艺进行了研究,如温场结构对晶体生长的影响;并分析了Yb:YAG 晶体开裂的影响因素.     

Microprobe of structure of crystal/liquid interface boundary layers

The molecular structures and its evolutive regularities within the boundary layers in the crystal growth of KDP and DKDP have been studied in real time by using holography and Raman mi-croprobe. The experiments show that the molecular structure of mother solution within the boundary layers is distinctly different from that of the solutions alone. In this paper, the effects of cations within the boundary layers on the structure of solution are considered. Within the characteristic boundary layers, the effects of cations cause the changes in O-P-O bond angle, electronic density redistribution of the phosphate groups, and significant changes in the bond intensity, thus leading to the breaking of partial hydrogen bonds of the phosphate associations, the readjustment of geometry of anionic phosphate groups and desolvation, and the forming of the smectic ordering structure of the anions-cations. Finally, the crystallization unit of anion-cation should be formed at the proximate interface.     

TGS热释电晶体生长工艺研究

目前对TGS晶体进行改性研究是克服其自身弱点的途径，而生长均匀、无缺陷的TGS单晶是该研究工作的基础．利用水溶法生长了纯TGS单晶体，系统地论述了晶体生长的装置和工艺过程．分析了晶体生长过程中出现各种缺陷的原因．测定了晶体的热释电性能的主要参数．结果表明此方法生长的晶体达到工业应用的技术要求．从而指出生长均匀、无缺陷TGS单晶体工艺过程中的各个影响因素和应注意的事项，为该晶体改性工作的继续开展提供了技术支持．     

硫酸钾结晶及动力学研究

采用单晶槽法研究硫酸钾晶体生长规律，考察过冷度、结晶温度、晶体粒度、添加剂对硫酸钾晶体生长的影响．通过观测硫酸钾在K2SO4-H2O体系和K^＋、NH^4＋、SO4^2-、Cl^- -H2O体系不同条件下的成核、晶体生长情况，绘制晶体生长速率曲线，确定工业条件下硫酸钾晶体生长的适宜条件，并且提出多种影响因素下硫酸钾结晶生长动力学模型．