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空洞型(Void)原生缺陷在大直径直硅单晶中的重要性日渐突出,本文在论述大直径硅单晶中Void缺陷基本性质的同时,详细综述了这类缺陷的控制方法以及它与轻元素(氧,氮,碳,氢)杂质的相互作用,并简要讨论了关于Void缺陷的研究方法和今后的研究方向。 相似文献
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微氮硅单晶中的空洞型原生缺陷 总被引:2,自引:1,他引:2
研究了掺氮和不掺氮直拉硅单晶中,空洞型原生缺陷(voids)的分布行为和其退火性质.从两种晶体不同位置取样,观察与大尺寸voids相关的流水花样缺陷(FPD)沿晶体轴向的分布,然后在1050~1250℃下Ar气中退火不同时间.实验结果表明在掺氮直拉硅中与较大尺寸voids相关的FPD缺陷的密度大量减少,其体内这种FPD缺陷的退火行为与不掺氮直拉硅一样,在高温下才能被有效的消除.这表明在直拉硅中掺氮可以抑制大尺寸的voids的产生,而且掺氮硅中voids的内壁也有氧化膜存在. 相似文献
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氢气退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷的影响 总被引:1,自引:2,他引:1
研究了氢退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷 (voids)的影响 .样品在 10 5 0~ 12 0 0℃范围进行氢退火 ,退火前后样品上的流水花样缺陷 (FPD)和晶体原生粒子 (COP)在腐蚀后分别用微分干涉光学显微镜和激光记数器进行观察 .实验结果表明在氢退火以后 ,FPD缺陷的密度随温度升高不变 ,而样品上的 COP密度大量减少 .分析可知 ,氢气退火仅仅消除了硅片表面的 voids,而对于硅片体内的 voids不产生影响 ,并在实验的基础上 ,讨论了氢退火消除 voids的机理 . 相似文献
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将Si片经Secco腐蚀液腐蚀,用光学显微镜和原子力显微镜(AFM)对CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPD)的形貌、分布及结构进行了研究,对Si片进行了湿氧化处理并采用较新的快速退火方法(RTA),在Ar气氛下对Si片进行热处理,研究了退火温度和退火时间对FPD缺陷密度的影响.结果表明,FPDs缺陷在1 100 ℃以下非常稳定;但是在1 100 ℃以上的温度,尤其在1 200℃对Si片进行RTA处理后,Si片中FPD的密度大大降低,而且随着的退火时间的延长,密度不断下降. 相似文献
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研究了不同气氛下快速预热处理(RTA)后,硅片中的流动图形缺陷(FPDs)密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区(MDZ)之间的关系.硅片经过高温快速预热处理后,再经过800℃(4h)+1000℃(16h)常规退火,以形成MDZ.研究发现,当硅片在Ar气氛或N2/O2(9%)混合气氛下RTA预处理后,FPDs密度较低,随后热处理出现的氧沉淀诱生缺陷密度较高、清洁区较宽.对于N2/O2混和气氛,随着O2含量的增加,FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度变小,纯O2气氛下预处理后硅片中FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度最低.因此,可以通过调节N2/O2混合气氛中两种气氛的比例来控制空洞型微缺陷和硅片体内氧沉淀诱生缺陷的密度. 相似文献
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研究了不同气氛下快速预热处理(RTA)后,硅片中的流动图形缺陷(FPDs)密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区(MDZ)之间的关系.硅片经过高温快速预热处理后,再经过800℃(4h) 1000℃(16h)常规退火,以形成MDZ.研究发现,当硅片在Ar气氛或N2/O2(9%)混合气氛下RTA预处理后,FPDs密度较低,随后热处理出现的氧沉淀诱生缺陷密度较高、清洁区较宽.对于N2/O2混和气氛,随着O2含量的增加,FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度变小,纯O2气氛下预处理后硅片中FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度最低.因此,可以通过调节N2/O2混合气氛中两种气氛的比例来控制空洞型微缺陷和硅片体内氧沉淀诱生缺陷的密度. 相似文献
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Barrier layers for Cu ULSI metallization 总被引:1,自引:0,他引:1
Yosi Shacham-Diamand 《Journal of Electronic Materials》2001,30(4):336-344
Barrier layers are integral parts of many metal interconnect systems. In this paper we review the current status of barrier
layers for copper metallization for ultra-large-scale-integration (ULSI) technology for integrated circuits (ICs) manufacturing.
The role of barrier layers is reviewed and the criteria that determine the process window, i.e. the optimum barrier thickness
and the deposition processes, for their manufacturing are discussed. Various deposition methods are presented: physical vapor
deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), electrochemical deposition (ECD), electroless deposition (ELD), and atomic
layer CVD (ALCVD) for barrier layers implementation. The barrier integration methods and the interaction between the barrier
and the copper metallization are presented and discussed. Finally, the common inspection and metrology for barrier layer are
critically reviewed. 相似文献
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The effects of preamorphization of silicon by19F,28Si and74Ge implants preceding11B implants have been investigated in this work and compared with BF2 molecular implants. For shallow boron implanted layers less than 0.2 μm deep, the beam purity of BF2 implants is crucial as well as proper preamorphization of the silicon to eliminate any inadvertent channeling. Preamorphization
of silicon can be achieved with either74Ge,28Si or19F implants. Data from SIMS, TEM, RBS and diode leakage current measurements have all consistently shown that the best results
are obtained with74Ge preamorphization, followed by28Si- and19F-preamorphization. RTA of preamorphized silicon at 1000° C for 10s in a dry argon ambient is preferred for shallow junctions.
Furnace anneals at 950° C for 45 min of74Ge preamorphized samples have resulted in practically perfect PN junctions. 相似文献