叠层压敏电阻器的近期研制动向

从构成叠层压敏电阻器的生片材料（材料晶粒大小、生片厚度）、内电极材料、叠层结构和表面处理等方面，介绍叠层压敏电阻器的近期研制动向。     

叠层片式ZnO压敏电阻器及其在ESD保护中的应用

介绍叠层片式ZnO压敏电阻器的性能特点和应用范围，论述了其对电路进行ESD保护的基本原理及其在高 线路中的最优化设置，指出其发展方向应为低电容和超低电容化。     

片式叠层压敏电阻器及其应用

用流延工艺把电极层和半导体陶瓷交错排布，经烧结而成的片式叠层压敏电阻器，其结构类似多层陶瓷电容器。通过与氧化锌压敏电阻器及其他压敏电阻器比较表明，片式叠层压敏电阻器具有优良的性能。并论述这类压敏电阻器在ＩＣ保护、ＣＭＯＳ器件保护、汽车电路系统保护等方面的应用。     

叠层片式ZnO压敏电阻器研究进展

叠层片式ZnO压敏电阻器(MLCV)具有体积小、通流容量大、响应速度快、表面安装性好和易实现低压化等优点,其广泛应用于电子和电力系统中。介绍了叠层片式ZnO压敏电阻器的生片材料和内电极材料的研究现状,分析了当前工艺中存在的电极扩散问题,并提出了其解决的办法,同时指出了叠层片式ZnO压敏电阻器向低压化、小型化、集成化及低成本化方向发展的趋势。     

国外压敏电阻器简介

本文介绍了国外压敏电阻器的生产厂家、品种规格、新产品和市场概况。     

叠层片式ZnO压敏电阻器配方研究

研究了以ZnO-Bi2O3-SiO2系为基础,适当添加Co、Mn、Sb、Cr、Ni等金属氧化物的叠层片式ZnO压敏电阻器配方。通过严格控制Bi2O3及SiO2的含量,较好地解决了瓷料与银鈀内电极的共烧问题,且电性能优良。其瓷料的特点是烧结温度低(<1050℃),产品非线性系数高(≥25),泄漏电流小(<5μA),限制电压低(V1A/V1mA<1.70),通流能量大(≥1800A/cm2)。     

压敏电阻器的电阻值

压敏电阻器是一种限压型非线性电阻器,主要用于抑制浪涌过电压。通常不用电阻值而用电压(压敏电压、限制电压)或电流(漏电流、最大脉冲电流)来描述它的特性。但是,在有些问题中,例如在压敏电阻器的冲击电流试验中,要考虑它与冲击电流发生回路的匹配问题,这时用电阻值这个参数就更为方便。根据作者在研制压敏电阻器测试仪器中所进行的实验,对压敏电阻器的电阻值这个参数作一些讨论。     

低压高能氧化锌压敏电阻器的研究

本文提出了一种新型的低压高能氧化锌压敏电阻器的制造方法。研究了它的微观结构和导电机理，根据理论分析提出了改进元件性能的材料组分和工艺措施。     

压敏电阻器的技术动态(Ⅰ)

压敏电阻器具有限压型的非线性伏安特性,能有效地抑制浪涌过电压,提高电气和电子设备的电磁兼容性和安全性,因此市场需求日益增加。本文主要依据近两年来国外公布的部分压敏电阻器专利说明书和论文,叙述十个方面的问题:(1)产品动向,(2)低压化的方法,(3)高压化的方法,(4)提高可靠性的途径,(5)原材料及其预处理,(6)侧面处理,(7)烧成技术,(8)电极技术,(9)标准和测试,(10)两种技术思想。     

低电压氧化锌压敏电阻器

叙述了压敏电阻器的特性、微观结构、导电机理。分析了实现低电压氧化锌压敏电阻器的方法——增大氧化锌半导体瓷晶粒直径和压制厚度很薄的氧化锌半导体瓷片。探讨了低压氧化锌独石型、薄膜体型压敏电阻器的主要特性和其制造工艺的关键技术。     

压敏电阻器的技术动态(Ⅱ)

<正> 五、原材料及其预处理氧化锌压敏阻器的原材料,包括主体材料ZnO和多种添加剂,目前大多使用粉料。主成分ZnO,其w约占90×10~(-2),各种添加剂的w占10×10~(-2)左右。与其他电子元件一样,原材料的质量对成品的质量有着重大     

籽晶对氧化锌压敏电阻器性能的影响

采用熔盐法,以强碱为助熔剂可在较低的温度下培育出针状、块状、球状的ZnO籽晶。本文详细地研究了籽晶的大小、形状、含量对氧化锌压敏电阻器性能的影响。实验表明,籽晶对降低压敏电压有十分明显的作用。