AlN陶瓷衬底的SIMS和XRD测量

ＡｌＮ陶恣成分怀发对于ＡｌＮ的性能具有决定性作用，用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）和Ｘ射线衍（ＸＲＤ）对清华大学材料系电子封装用的ＡｌＮ陶瓷进行了研究。ＳＩＭＳ谱表明ＡｌＮ衬底中除Ａｌ，Ｎ以我有Ｃ，Ｏ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｙ等元素，其中有些是表面污染。衬底的ＳＩＭＳ深度分析表明样品Ｏ，Ｃａ，Ｙ信号都很强，且分布均匀，说明样口 含有Ｙ２Ｏ３，ＣａＯ添加剂，ＡｌＮ样品的ＸＲＤ谱与ＡｌＮ的ＪＣＰＤＳ卡片对照，在测量范     

AlN陶瓷衬底的SIMS和XRD测量

AlN陶瓷中成分与杂质对于AlN的性能具有决定性作用。用二次离子质谱（SIMS）和X射线衍射（XRD）对清华大学材料系电子封装用的AlN陶瓷进行了研究。SIMS谱表明AlN衬底中除Al,N以外还有C，O，Si，Ca，Y等元素，其中有些是表面污染。衬底的SIMS深度分析表明样品O，Ca，Y信号都很强，且分布均匀，说明样品中含有Y2O3，CaO添加剂。AlN样品的XRD谱与AlN的JCPDS卡片对照，在测量范围内卡片上所有峰均出现，且晶面间距符合很好。在XRD谱上找到了与Y2O3和CaO对应的衍射峰。     

氧化铝陶瓷衬底上金刚石[100]织构生长的氦增强刻蚀

用微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD）在氧化铝陶瓷衬底上成功地制备出具有[100]织构的金刚石薄膜,并对该薄膜进行了X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和Raman光谱分析。由于氦原子具有高的电离能,因此本工作在反应气氛中引入了少量的氦。以提高氢等离子体的刻蚀效率,实验结果表明,少量氦气的引入促进了等离子体对非（100）面的选择性刻蚀,从而也有利于金刚石薄膜的[100]织构生长。     

陶瓷中的相变

提出陶瓷中相变的分类，引述ｓｐｉｎｏｄｅｌ分解的热力学判据和动力学判据，评述含ＺｒＯ２陶瓷马氏体相变尺寸效应的热力学推导和象理论在ＭｇＯ－ＰＳＺ，ＣｅＯ２－ＴＺＰ，Ｙ２Ｏ３－ＴＺＰ，ＢａＴｉＯ３；ＫＴＮ，ＰｂＴｉＯ３及ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ马氏体相变中的应用，指出含ＺｒＯ２陶瓷及ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ的等温相变可能属扩散机制的贝氏体相变。     

工程化衬底及其在将来微电子学中的作用

什么是工程化衬底 工程化衬底是一种可以生产且与Si生产程序兼容的（新）材料，利用这种衬底材料可以制造出用裸Si衬底不能制造的性能独特的“精细”产品，例如，它可将光子材料GaAs与高载流子迁移率MOSFET相集成——用新材料生产新IC。     

深油井超声探测用的压电陶瓷换能器的研究

超声压电陶瓷换能器可以探测5000m以下深处的地质结构和油井固实程度。用于压电陶瓷换能器的PT－PSN陶瓷性能参数是，Tc=380℃,kt=45%,εr=420,tanδ=1.5%，Qm=2200，Ec=733V/mm。经实验测量和现场试验表明，在温度高达200℃时压电陶瓷换能器的性能稳定，测量精度高。     

微电子技术中的陶瓷

陶瓷始终是微电子技术中的一个组成部分,它在最近二十五年微电子工业的飞速发展中起着许多关键的作用。本文通过一些实例介绍了陶瓷的作用。     

陶瓷大纤维可用于监控振动和检查管道裂缝

美国宇航局郎格莱研究中心开发出一种陶瓷大纤维组合件,该组合件可装于一个结构上并将其弯曲,用以减少振动并对力进行监控。向大纤维组合件（MFC）施加电压,陶瓷纤维会改变外形,发生膨胀或收缩,最终形成弯曲力或令材料扭曲。反之,当施以外力时,其分力会转变电压。     

压电陶瓷中的空间电荷

用微分时域谱方法,可以将陶瓷的介电、压电和热释电效应中来自铁电极化、异极电荷和同极电荷的贡献分开．对同一样品作介电谱和热释电谱测量,可以区分异极和同极电荷的分量;因为两者的热释电效应反号．     

用于深油井超声探测换能器的PT—PSN系压电陶瓷

如果在ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）粉末中添加适量的Ｐｂ（Ｓｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３（ＰＳＮ）粉末，可以制成高温ＰＴ－ＰＳＮ系陶瓷，并可以此种陶瓷用于制作深油井超声探测换能器，本文主要报导ＰＴ－ＰＳＮ系压电陶瓷的制备工艺，性能参数和试验结果。     

倾斜衬底沉积法在金属衬底上外延生长YBCO薄膜

YBa2Cu3O7-x(YBCO)镀膜导体在电力等能源领域有巨大应用前景.利用倾斜衬底沉积法在无织构的金属衬底上生长了MgO双轴织构的模板层,在这一模板层上实现了双轴织构的YBCO薄膜的外延生长.这些膜的双轴织构用X射线极图分析、φ-扫描作了测定,观测到了MgO[001]方向相对于衬底法线倾斜了31°.研究了不同缓冲层材料对YBCO外延生长的取向和双轴织构的影响,外延生长的高质量的YBCO薄膜的转变温度和临界电流密度分别达到了91K和5.5×105A/cm2的较高的值.     

用于深油井超声探测换能器的PT－PSN系压电陶瓷

如果在ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）粉末中添加适量的Ｐｂ（Ｓｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３（ＰＳＮ）粉末，可以制成高温ＰＴ－ＰＳＮ系陶瓷，并可以把此种陶瓷用于制作深油井超声探测换能器。本文主要报导ＰＴ－ＰＳＮ系压电陶瓷的制备工艺、性能参数和试验结果。     

多孔硅衬底在RFIC无源器件中的应用

介绍低阻硅基多孔硅作为低损耗衬底在射频集成电路（RFIC）无源器件上的应用，分别讨论了在RFIC中的传输线，移相器和电感等无源器件运用多孔硅衬底后性能和主要参数的改良变化，并从理论上分析变化的原因。多孔硅衬底大大降低了RFIC电路中传输线的损耗，使移相器的工作频率和相移量都发生变化。运用多孔硅衬底，回旋电感的最高Q增加了63％（16．8～27．4），最高响应频率增加了28％（15．2～19．4GHz）。结果表明多孔硅衬底在高频情况下完全能满足RFIC元件的要求。     

电晕探测中的紫外对焦控制系统

本文简要介绍了电晕探测的原理,采用可见光与紫外双光谱探测方法来检测电晕信号的存在并对其进行定位.文中介绍了电晕探测系统紫外对焦控制模块,并阐述了对焦的双闭环控制过程及其软硬件实现方法.分析了对焦控制过程中误差产生的原因,主要包括传动机构的空回及系统的过冲量.通过实验测量得到传动机构的空回和过冲量,将其加入紫外对焦过程的总对焦量.采用上述方法可以减小紫外对焦系统的对焦误差,使紫外相机像面始终处于焦深之内.最后,利用电晕探测系统对高压电厂中的电晕信号进行检测并定位.     

建筑施工中的混凝土裂缝控制技术

在我国,各种新型施工技术的不断开发对于建筑行业的发展起到了巨大的推动作用,其中也不乏混凝土施工技术的应用,但是由于混凝土技术还不甚成熟,所以经常导致工程质量问题频频出现,其中,混凝土开裂问题一直是有史以来人们重点攻克的技术难点,因此,还需要通过我们不懈的努力对这项技术加以有效的改良。本文对混凝土开裂的常见类型,影响,原因及措施进行了分析和探讨。     

PTCR陶瓷中的电阻率反常现象

本文叙述了在50kHz以上高频域内,发现钛酸例基PTCR陶瓷材料Ba_0.93Sr_0.03Ca_0.04TiO₃＋xmolY₂O₃＋1wt％AST的高频电阻-温度特性曲线呈现负突变的反常现象．对于这一反常现象,本文用PTCR陶瓷的晶粒-晶界二层电介质模型分析了不同频率下的电学等效电路,从而解释了上述现象．利用上述等效电路,还解释了该材料在100Hz至5MHz的频率范围内有效介电系数温度谱随频率增加而出现峰分裂的现象,以及电容损耗温度谱随频率变化的原因．     

高亮度LED衬底材料研究

衬底材料作为半导体照明产业技术发展的基石,是半导体照明产业的核心,具有举足轻重的地位,直接决定了LED芯片的制造路线.高亮度LED的半导体材料体系对衬底材料提出的要求比传统的LED更为严格.村底材料表面的粗糙度、热膨胀系数、热传导系数、极性的影响、表面的加工要求以及与外延材料间晶格间不匹配数,这些因素与高亮度LED的发光效率与稳定性密切相关.重点介绍几种典型材料与外延材料的晶格匹配及其加工要求,从材料制备难易程度和衬底与外延薄膜的化学稳定性对各种衬底材料进行比较分析,并对衬底材料的应用前景进行了预测.     

陶瓷衬底上淀积薄膜α－Fe_2O_3材料的微结构和气敏特性研究

本文用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）工艺在陶瓷衬底上成功地制备出了具有超微粒结构的α－Ｆｅ_２Ｏ_３气敏薄膜．对所制备的薄膜进行了Ｘ射线衍射分析和扫描电子显微分析（ＳＥＭ）．研究了淀积工艺条件对α－Ｆｅ_２Ｏ_３薄膜的粒度的影响．气敏特性研究表明，用ＡＰＣＶＤＩ艺制备的超微粒α－Ｆｅ_２Ｏ_３薄膜对烟雾呈现出很高的灵敏度和良好的选择性，这种薄膜可用于感烟探测器．     

衬底氮化时间对玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜结晶性的影响

采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在康宁7101型普通玻璃衬底上低温沉积氮化镓(GaN)薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和霍尔测量系统检测样品,研究了衬底氮化时间对GaN薄膜质量的影响.结果表明,氮化时间为5min时,得到的GaN薄膜呈高度c轴择优取向,结晶性较好,薄膜表面是由许多亚微米量级的表面岛按一致的取向规则堆砌而成的,薄膜表面较为平整且呈n型导电;氮化时间增加,薄膜结晶性反而变差.