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介绍一种基于原子比为1:1的InSb靶制备原子比为1:1的InSb薄膜的方法,实验结果表明,该方法能较好地解决类似化合物溅射制膜过程中膜成分与靶偏离问题。 相似文献
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】在InSb薄膜制备过程中,用机械磨抛的方法,探索了In2O3氧化膜的去除和InSb敏感膜层的减薄、抛光等技术问题,从而提出一种新型磨抛工艺。文章介绍了该工艺的基本原理及不同工艺规范的磨抛结果。 相似文献
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本文论述了薄膜磁敏元件对基片的要求,依此要求选择硅和高密度铁氧体为基片,上部制备SiO2作绝缘膜。重点讨论了用射频溅射法制备SiO2膜。文章就溅射条件和膜特性进行了实验,给出实验结果。 相似文献
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InSb磁敏电阻与传感器及其应用 总被引:1,自引:0,他引:1
王文生 《仪表技术与传感器》1993,(4):6-9
本文叙述了InSb磁敏电阻及以这种磁敏电阻为核心部件构成的各种磁敏传感器的工作原理、结构、技术性能以及它们在各个科技领域中的应用。 相似文献
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InSb磁敏电阻脉冲涡流传感器的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
脉冲涡流检测方法是涡流检测技术的一个新兴分支。因脉冲信号频带很宽,比单一频率正弦涡流衰减慢,其瞬态感应电压信号中就包含了有关缺陷的重要信息。本文分析了InSb磁敏电阻作为脉冲涡流检测元件的工作原理,设计了探头结构和调理电路,有效抑制了环境温度的干扰,并分析了应用InSb磁敏电阻的涡流探头检测金属裂纹特征的信息提取方法。实验结果表明,采用InSb磁敏电阻作为脉冲涡流检测传感器,具有较高的裂纹灵敏度,且可以较好地反映裂纹的深度。 相似文献
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高灵敏度InSb霍尔元件 总被引:2,自引:2,他引:0
于成民 《仪表技术与传感器》1994,(2):21-25
本文介绍了高灵敏度、低价格薄膜Insb(锑化钢)霍尔元件的原理、结构、制造工艺流程及其性能。 相似文献
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介绍了用RF溅射法制备InSb薄膜时,如何克服In的氧化问题的措施及防止InSb薄膜在热处理过程中继续氧化和挥发的方法。对实验结果进行了电镜和俄歇电子能谱测试分析。结果表明,只要控制好工艺条件,可以获得较好的效果。 相似文献
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InSb伪币检测传感器的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
】文中介绍了以磁阻效应为工作原理的InSb伪币检测传感器的设计和制作。这种传感器的主要特点是高分辨率、非接触、体积小、重量轻和使用寿命长。性能测试结果表明,在0.3T磁场内,磁阻灵敏度为1.8~3。 相似文献
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热处理条件对溅射法制得的InSb薄膜特性的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
文中从理论和实验分析了热处理条件对溅射法制得的InSb薄膜特性的影响。热处理温度、时间和升降温速率都对薄膜特性有影响,通过实验得出了最佳的热处理温度、恒温时间和升降温速率。最后讨论了热处理过程中所采用的3种保护膜。 相似文献
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高分子薄膜湿敏电容的制作 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报导了高分子薄膜电容的制作工艺及其制作工艺条件与湿敏电容性能之间的关系。通过控制一定的制作工艺条件可获得测湿范围大、响应时间较快的湿敏元件。 相似文献
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用喔星锌(Znq2)作发光材料,做出Glass/ITO/Znq2/Al结构的有机电致发光薄膜器件,测量了它的伏安特性,电光特性曲线及其电致发光光谱,同时也测量了喔星锌在粉末和薄膜状态下的荧光光谱、激发光谱、吸收光谱。 相似文献
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本文分析了薄膜温度传感器制造的难点,提出降低内应力的方法,应用正交试验技术得出了最佳工艺条件,应用S枪磁控溅射方法和薄膜工艺制成了零电阻分别为100Ω、500Ω、1000Ω的镍薄膜电阻元件,其电阻温度系数达到德国DIN43760标准。 相似文献