溅射法制备InSb薄膜工艺探索—In与Sb的原子比问题

介绍一种基于原子比为1：1的InSb靶制备原子比为1：1的InSb薄膜的方法,实验结果表明,该方法能较好地解决类似化合物溅射制膜过程中膜成分与靶偏离问题。     

InSb薄膜磨抛工艺技术的研究

】在ＩｎＳｂ薄膜制备过程中,用机械磨抛的方法,探索了Ｉｎ２Ｏ３氧化膜的去除和ＩｎＳｂ敏感膜层的减薄、抛光等技术问题,从而提出一种新型磨抛工艺。文章介绍了该工艺的基本原理及不同工艺规范的磨抛结果。     

薄膜磁敏元件基片的选择与制备

本文论述了薄膜磁敏元件对基片的要求，依此要求选择硅和高密度铁氧体为基片，上部制备SiO2作绝缘膜。重点讨论了用射频溅射法制备SiO2膜。文章就溅射条件和膜特性进行了实验，给出实验结果。     

InSb磁敏电阻与传感器及其应用

本文叙述了InSb磁敏电阻及以这种磁敏电阻为核心部件构成的各种磁敏传感器的工作原理、结构、技术性能以及它们在各个科技领域中的应用。     

InSb磁敏电阻脉冲涡流传感器的研究

脉冲涡流检测方法是涡流检测技术的一个新兴分支。因脉冲信号频带很宽,比单一频率正弦涡流衰减慢,其瞬态感应电压信号中就包含了有关缺陷的重要信息。本文分析了InSb磁敏电阻作为脉冲涡流检测元件的工作原理,设计了探头结构和调理电路,有效抑制了环境温度的干扰,并分析了应用InSb磁敏电阻的涡流探头检测金属裂纹特征的信息提取方法。实验结果表明,采用InSb磁敏电阻作为脉冲涡流检测传感器,具有较高的裂纹灵敏度,且可以较好地反映裂纹的深度。     

高灵敏度InSb霍尔元件

本文介绍了高灵敏度、低价格薄膜Insb(锑化钢)霍尔元件的原理、结构、制造工艺流程及其性能。     

溅射法制备InSb薄膜工艺探索—In的氧化及热处理保护

介绍了用RF溅射法制备InSb薄膜时，如何克服In的氧化问题的措施及防止InSb薄膜在热处理过程中继续氧化和挥发的方法。对实验结果进行了电镜和俄歇电子能谱测试分析。结果表明，只要控制好工艺条件，可以获得较好的效果。     

InSb伪币检测传感器的研究

】文中介绍了以磁阻效应为工作原理的ＩｎＳｂ伪币检测传感器的设计和制作。这种传感器的主要特点是高分辨率、非接触、体积小、重量轻和使用寿命长。性能测试结果表明，在０．３Ｔ磁场内，磁阻灵敏度为１．８～３。     

热处理条件对溅射法制得的InSb薄膜特性的影响

文中从理论和实验分析了热处理条件对溅射法制得的ＩｎＳｂ薄膜特性的影响。热处理温度、时间和升降温速率都对薄膜特性有影响,通过实验得出了最佳的热处理温度、恒温时间和升降温速率。最后讨论了热处理过程中所采用的３种保护膜。     

高分子薄膜湿敏电容的制作

本文报导了高分子薄膜电容的制作工艺及其制作工艺条件与湿敏电容性能之间的关系。通过控制一定的制作工艺条件可获得测湿范围大、响应时间较快的湿敏元件。     

有机电致发光薄膜器件的研究

有机电致发光薄膜具有制备方便,驱动电压低,发光亮度高,可以与聚合物基底匹配等优点,成为目前世界显示技术的一大研究热点。论述了有机发光薄膜器件的结构、工作机理及其薄膜电致,光致发光的特性,论述了薄膜发光器件的电学特性与光学特性及其器件在脉冲电压波形驱动下的电光特性,提出了应用于显示技术的有机电致发光薄膜器件的电学于光学特性的优化方法。     

Ni薄膜热敏电阻失效机理研究

通过对Ni薄膜热敏电阻进行可靠性试验得出其失效模式,并对失效机理进行了分析。     

用喔星锌作发光层的有机电致发光薄膜器件的研究

用喔星锌（Ｚｎｑ２）作发光材料，做出Ｇｌａｓｓ／ＩＴＯ／Ｚｎｑ２／Ａｌ结构的有机电致发光薄膜器件，测量了它的伏安特性，电光特性曲线及其电致发光光谱，同时也测量了喔星锌在粉末和薄膜状态下的荧光光谱、激发光谱、吸收光谱。     

薄膜润滑时分层粘度模型的速度场分析

流体的流动将直接影响其润滑特性，特别是润滑剂粘度的分布，速度变化除产生温升外，还将可能使润滑剂产生剪切稀化，在薄膜润滑中，润滑剂量的相对运动速度大，其特性变化将更为突出。本以分层粘模型来研究在此时润滑剂的速度特性，为研究流体温度场和剪切稀化问题提供数据，对揭示薄膜润滑状态下轴承的性能和变化规律具有重要的意义。     

喹啉锌有机电致发光薄膜器件的时间特性分析

用喹啉锌（Ｚｎｑ２）作发光材料,制备出Ｇｌａｓｓ／ＩＴＯ／Ｚｎｑ２／Ａ１ 结构的有机电致发光薄膜器件,分析并测量了它的伏安时间特性,电光时间特性,并与ＬＥＤ器件的电致发光时间特性进行了比较。实验表明有机薄膜发光的电光时间效应与ＬＥＤ器件相比有其特殊性。     

S枪磁控溅射镍薄膜温度传感器

本文分析了薄膜温度传感器制造的难点，提出降低内应力的方法，应用正交试验技术得出了最佳工艺条件，应用Ｓ枪磁控溅射方法和薄膜工艺制成了零电阻分别为１００Ω、５００Ω、１０００Ω的镍薄膜电阻元件，其电阻温度系数达到德国ＤＩＮ４３７６０标准。