溅射法制备InSb薄膜工艺探索—In的氧化及热处理保护

介绍了用RF溅射法制备InSb薄膜时，如何克服In的氧化问题的措施及防止InSb薄膜在热处理过程中继续氧化和挥发的方法。对实验结果进行了电镜和俄歇电子能谱测试分析。结果表明，只要控制好工艺条件，可以获得较好的效果。     

溅射法制备InSb薄膜工艺探索—In与Sb的原子比问题

介绍一种基于原子比为1：1的InSb靶制备原子比为1：1的InSb薄膜的方法,实验结果表明,该方法能较好地解决类似化合物溅射制膜过程中膜成分与靶偏离问题。     

磁电转换器件

磁电转换元件系指薄膜型锑化铟(InSb)霍尔元件,将磁信号直接或间接转换为电信号。锑化铟霍尔元件采用化合物半导体薄膜工艺制成,成功地解决了InSb薄膜材料制造技术、高迁移率InSb薄膜的热处理技术、多种材料的选择性腐蚀加工技术及InSb薄膜材料的欧姆接触技术等。锑化铟霍尔元件是单个霍尔元件中灵敏度最高、价格最低、用量最大的一种。主要用于     

InSb薄膜磨抛工艺技术的研究

】在ＩｎＳｂ薄膜制备过程中,用机械磨抛的方法,探索了Ｉｎ２Ｏ３氧化膜的去除和ＩｎＳｂ敏感膜层的减薄、抛光等技术问题,从而提出一种新型磨抛工艺。文章介绍了该工艺的基本原理及不同工艺规范的磨抛结果。     

InSb磁敏电阻脉冲涡流传感器的研究

脉冲涡流检测方法是涡流检测技术的一个新兴分支。因脉冲信号频带很宽,比单一频率正弦涡流衰减慢,其瞬态感应电压信号中就包含了有关缺陷的重要信息。本文分析了InSb磁敏电阻作为脉冲涡流检测元件的工作原理,设计了探头结构和调理电路,有效抑制了环境温度的干扰,并分析了应用InSb磁敏电阻的涡流探头检测金属裂纹特征的信息提取方法。实验结果表明,采用InSb磁敏电阻作为脉冲涡流检测传感器,具有较高的裂纹灵敏度,且可以较好地反映裂纹的深度。     

LSMCD技术制备镧钛酸铅薄膜

详细介绍了采用LSMCD技术制备了PLT薄膜制备流程,并对薄膜的相结构做了分析.制备PLT薄膜的最佳热处理工艺为预处理300℃,保温10分钟,然后退火至600℃,保温1小时.     

超磁致伸缩薄膜的制备工艺及其磁化特性研究

在综合分析比较各种薄膜材料的制备工艺和方法的基础上，给出了超磁致伸缩薄膜制备的系统工艺路线、制备方法，确定了相应的工艺参数，最终通过磁控溅射方法，在聚酰亚胺基片上制备出了间接耦舍式超磁致伸缩薄膜。同时，对制备的薄膜磁化性能进行了试验研究，试验结果表明，根据所选取工艺方法和参数制备的超磁致伸缩薄膜具有优良的磁化性能，达到了试验分析研究的目的。研究得到的工艺参数结果及试验分析方法为进一步研究超磁致薄膜奠定了一定的基础，积累了经验。     

Cr金属薄膜温度传感器的研究

采用等离子体溅射方法制备了Cr金属薄膜式温度传感器.探讨了光刻腐蚀工艺、Cr薄膜厚度及薄膜热处理温度对Cr薄膜电阻温度系数的影响.通过选择合适的制备工艺,得到了较理想的Cr金属薄膜温度传感器.     

CrN薄膜的制备及其抗氧化性的研究

采用热阴极离子镀技术,成功制备了高质量的CrN薄膜,对crN薄膜进行了500℃-800℃的氧化实验.用高精度天平测量其质量变化、显微硬度计测量膜层硬度、XRD、XPS测量膜层结构、划痕仪测量膜层与基体的结合力等分析研究.实验结果表明:①利用热阴极离子镀技术能够制备出CrN硬质薄膜.在不同的工艺条件下,可以制备出具有面心...     

离子束溅射工艺中的基片温度及其控制方法

离子束溅射技术以其在制备薄膜中的独特优点,成为获得高性能薄膜材料的重要手段。对于薄膜的制备,基片的温度是一个重要参数。主要从薄膜结构、应力和附着力三个方面总结了基片温度对离子束溅射工艺中薄膜生长的影响,并结合实际情况,介绍了在离子束刻蚀、溅射和磁控溅射镀膜工艺中的一些温度控制方法。在实际操作中,要根据沉淀薄膜的要求和离子束溅射的具体方法及设备,并结合基片本身的结构特点来考虑基片的控温措施及温度范围。     

热处理条件对溅射法制得的InSb薄膜特性的影响

文中从理论和实验分析了热处理条件对溅射法制得的ＩｎＳｂ薄膜特性的影响。热处理温度、时间和升降温速率都对薄膜特性有影响,通过实验得出了最佳的热处理温度、恒温时间和升降温速率。最后讨论了热处理过程中所采用的３种保护膜。     

On the challenges of greyscale-based quantifications using X-ray computed microtomography

Label-free superresolution effect of nonlinear reverse saturation absorption (NRSA) thin films was investigated through difference method, where a subdiffraction-limit spot signal was constructed by intensity subtraction of two spots obtained under different laser intensities. By using annealed InSb films as the NRSA thin films, we experimentally obtained the subdiffraction-limit spot signal, and the optimal reduction ratio was approximately 52.5% of the original spot. Experimental results agreed well with theoretical simulations. The simulation results of a 9-point array sample showed the capability to achieve nonfluorescence superresolution imaging using the NRSA effect.     

High resolution imaging of the CdTe/(100)InSb interface: A lattice-matched hetero-epitaxial structure

This paper reviews techniques available for obtaining images which can distinguish the two components in lattice-matched, hetero-epitaxial structures. From series of computer simulations it is shown that in the case of CdTe/(100)InSb the usual criteria for ‘good’ high resolution imaging (i.e. thin crystal, Scherzer focus) do not give images which differentiate the two materials. Conditions which do show different contrast features for both CdTe and InSb are found; under these conditions images are obtained which reveal the interfacial structure clearly, and show it to be essentially flat, and free of defects within the regions examined. Prospects for obtaining true ‘atomic’ images using a new 400 kV HREM are outlined.     

Study on the effect of DIC deformation sensor on mechanical property of substrate

The thin epoxy film with micro-scale speckle pattern as a digital image correlation (DIC) deformation sensor has been fabricated or transferred on the surface of sample in the previous study. When the thickness of the film cannot be ignored, it may have an influence on the validity of measurement results. And thus, the influence of the thin epoxy film on mechanical properties of substrates should be investigated. In this study, the mechanical behavior of thin film itself and surface strain of composite structure of thin film and substrate were measured using micro digital image correlation (MDIC) method. And theoretical and simulative results were also analyzed. From the comparison analysis of theoretical, simulative and experimental results, it is concluded that when the ratios of Young’s modulus and thickness between the film and substrate are smaller than 13 and 0.5 respectively, the influence from the thin film can be ignored, and thin epoxy film as DIC sensor can be used to measure the deformation of substrate.     

基于Au-Ag复合膜的光纤表面等离子体共振传感器理论仿真研究

为增强基于Ag膜光纤表面等离子体共振(SPR)传感器的抗氧化能力,可将Au膜镀于Ag膜表面。利用TFCalc软件对不同厚度Ag膜和Au-Ag复合膜的光纤SPR传感特性进行理论仿真研究。仿真结果表明:光纤SPR吸收峰显著依赖于Ag膜厚度,当Ag膜厚度由40nm逐渐增加到80nm时,共振吸收峰的半峰全宽逐渐减小,且共振波长随Ag膜厚度的增大而减小,共振波长变化范围较小,仅为7nm左右;Au膜的引入对共振吸收峰反射率影响不大,不同厚度Au-Ag复合膜的SPR共振波长随Au膜厚度的增大而增大。     

超磁致伸缩薄膜磁致伸缩耦合机理的有限元分析

从微观能量角度分析了超磁致伸缩薄膜的磁致伸缩机理,建立了超磁致伸缩薄膜的非线性强磁—机械耦合模型。设计了简支梁式超磁致伸缩薄膜的驱动磁场并对其进行实验研究。通过Ansys有限元分析软件对简支梁式超磁致伸缩薄膜驱动模型进行了模拟分析,最终得到的薄膜的内部磁场分布结构及固有频率。结果表明,采用椭圆积分法得到薄膜内部磁场分布的数学模拟计算结果与有限元仿真结果基本一致。     

磁控溅射Ni56Mn27Ga17合金薄膜的光学反射特性研究

Ni-Mn-Ga磁性形状记忆合金薄膜是非常有用的多功能材料,为考察其光学反射特性,采用磁控溅射技术在单晶硅衬底上沉积了Ni56Mn27Ga17合金薄膜,并对其表面形貌和光学反射特性进行研究。研究结果表明,薄膜的表面粗糙度随退火温度的升高而增大;在300～800nm波长范围内,薄膜反射率均随波长的减小而降低,且薄膜整体谱线范围内的反射率随退火温度的升高而降低。