高介电常数Ta/Al_2O_3复合膜的制备及性能研究

首次在溴的丙酮溶液中,以钽为阳极,氧化铝为阴极,通过直流电沉积方法制备了Ta/Al_2O_3复合膜。借助LCR数字电桥、SEM、EDS等测试手段对Ta/Al_2O_3复合膜的介电性能及微观结构进行了分析与表征。研究表明:Ta/Al_2O_3复合氧化膜的表面沉积了质量分数为41.77%的钽。与普通铝阳极(Al_2O_3)氧化膜相比,复合氧化膜的电容提高了50%以上,这主要归因于介电常数较高的钽在复合氧化膜表面的沉积。     

氧化膜/InGaAsP界面物理性质的研究

本文用φ550 AES和 ESCA能谱仪与离子溅射相结合方法,研究阳极和SiO_2氧化膜与n型<100>晶向InGaAsP界面区的组分和各种氧化物的剖面分布.测量了氧化膜的参数.实验结果表明:采用合适的化学腐蚀和阳极氧化条件,可获得绝缘性较好及界面晶体缺陷和界面态密度较少的氧化膜.但在未经化学腐蚀的样品中组分及各种氧化物的深度分布是不均匀的,井可分为四个层.还给出不同层中 GaLMM,As3d,In3d和 P2p的结合能值,其中Ⅲ 族元素的母体效应比较显著.同样也可得到InGaAsP上SiO_2氧化膜的绝大部分区域是纯SiO_2,而化学腐蚀只能减少过渡区宽度和增大界面陡度,但在过渡区内仍存在Ga_2O_3,In_2O_3 和P_2O_3.     

钽电解电容器流动液赋能设备

本文概括地介绍了在钽电解电容器赋能工艺中,采用赋能液流动的方式后,能改善钽阳极块Ta_2O_5膜形成质量。并对该设备结构性能作了简单介绍。     

GaAs阳极氧化及其在外延材料测试中的应用

<正>GaAs阳极氧化技术已日益广泛地应用于半导体工艺.这种氧化技术的关键是选择适当的电解质.选择电解质时要考虑如下要求:在相同的氧化条件下,电解质必须具有相同的化学和电学特性;氧化膜在空气中存放必须不改变其化学稳定性;在阳极氧化中,氧化膜的生长速度远大于溶解速度.实验证实,对于GaAs阳极氧化,选用3%的酒石酸溶液和乙二醇(其体积比为1:2,pH值为3)能满足上述要求.GaAs阳极氧化的本质是将GaAs片作为阳极,铂片作为阴极,一起浸入电解质中,氧化时,Ga和As生成带正电荷的离子,在外电场的作用下朝着氧化膜-电解质交界面的方向运动,并且在阳极与氧生成无定形的Ga_2O_3和As_2O_3混合物.     

阳极Ta_2O_5、Nb_2O_5及Ta-Nb合金氧化膜的阳极化常数及介电常数的测定

钽、铌及钽铌合金(Ta_(0.80)Nb_(0.20))箔在0.01%H_3PO_4液中,进行电化学赋能。借助于椭圆偏振仪测定阳极氧化膜的阳极化常数(k,A/V)。根据电容公式,计算出介电常数(ε)。所得诸值为:k_(Ta_2O_5)=15.76±4.5%A/V,k_(Nb_2O_5)=19.96±2.1%A/V,k_(TaNb)=16.23±2.3%A/V;ε_(Ta_2O_5)=26.98±3.2%,ε_(Nb_2O_5)=41.11=2.0%,ε_(TaNb)=26.23±2.4%。室温下的Ta、Nb及Ta_(0.80)Nb_(0.20)合金的参考干涉色标的周期交换分别为70V、60V及70V。     

LCD相关原材料产业发展态势(下)

4 ITO玻璃通常在基片玻璃上用电子束蒸发或在氧气气氛中溅射得到ITO膜,膜厚在100～300nm之间,由所需的电阻所确定。在溅射时,采用ITO合金靶,在SnO_2-In_2O_3合金中,SnO_2的浓度大约为5%～10%时,有利于得到最佳的ITO膜性能。在沉积过程中,氧     

阳极氧化法制备Al_2O_3超微筛膜

阳极氧化法制得的Al_2O_3超微筛膜,作为透射电镜试样载膜,除具有一般微筛膜的特点外,它的机械强度好,并且Al_2O_3的晶格条纹像可作为电镜倍率的内标,因其微筛孔尺寸较小,可载持微细的电镜试样。本文主要考察Al_2O_3超微筛制备时的各种困素如:铝箔表面形貌、阳极氧化电压,电流密度、氧化电解液的种类、浓度、温度及微筛膜的热处理等的影响。另外对所得Al_2O_3超微筛膜作了其筛孔大小分布的测定,最后提出了认为可取的制备条件(结果见图a、b)8％草酸水溶液作为氧化电解液阳极氧化电压为10V电流密度为2～5mA/(cm)_2时间取30s     

GaAs、InP阳极氧化薄膜的光电子能谱、俄歇电子能谱分析

使用一种新的不含水的阳极氧化液生长出厚度均匀、重复性好的～10~2A GaAs、InP阳极氧化膜.XPS和 AES分析表明:GaAs 氧化膜表面和膜内组分均匀,Ga_2O_3/As_2O_3=1; InP一氧化物界面过渡区较窄,未见到富p现象.     

形成材料对铝氧化膜的影响

提出了铝箔形成的阳极反应是在铝基体和氧化膜界面上生成γ′-Al_2O_3等,在氧化膜和形成液界面上生成含溶质产物的环状铝酸三水合物的反应。探计采用羧酸-磷酸-氨水系统形成液提高化成箔质量的原因,并指出己二酸、辛二酸和邻苯二甲酸是羧酸中较适宜用于形成液的材料。     

半导体二氧化锰被覆工艺探讨

CA型固体电解质钽电容器的制造方法是:把高纯钽粉加压成型后,烧结成多孔性的阳极决,将阳板块在电解液中形成一层介质氧化膜(Ta_2O_5),再在氧化膜上适当地附着半导体层,然后涂覆导电石墨乳和铅锡合金,最后搭接阳极引出线与外壳装配焊封而成。所附半导体层普遍是热分解硝酸锰[Mn(NO_3)_2)得到的固体二氧化锰。因电解质是固体,从根本上摆脱了漏液、干涸等     

InP上Al膜的阳极氧化及其特性研究

本文报道了半导体InP上Al膜阳极氧化的研究,并用AES,V-V,DLTS和椭圆仪等测试方法研究了氧化膜的稳定性、电学特性、组分的纵向分布以及Al_2O_3/InP的界面特性,研究结果表明,阳极氧化Al_2O_3的介电常数为11～12,Al_2O_3/InP界面存在一个能量上连续分布的电子陷阱,DLTS峰值对应的能级位置约在E_c-E_c=0.5eV,其俘获截面约为10~(-15)cm~2,Al_2O_3/InP的界面态密度为10~(11)cm~(-2)eV~(-1)。阳极氧化Al_2O_3的稳定性要比InP自身氧化物好得多,更适于用作器件的钝化保护和扩散掩蔽膜。     

铝膜穿透性阳极氧化技术

铝膜穿透性阳极氧化是实现阳极氧化铝薄膜多层布线基板制作的关键技术。研究了电流密度、电解质溶液温度和铝膜厚度对氧化时间的影响。绝缘电阻测定及扫描电子显微镜分析的结果证实了采用穿透性阳极氧化技术制作导带 ,导带间不存在残余铝薄膜。     

铝电解电容器阳极氧化膜的结构

铝经阳极氧化形成的阳极氧化膜分为无定形和晶形两种基本结构，阳极氧化膜对铝电解电容器的性能有极大的影响，本文叙述阳极氧化膜的结构、生长机理及与形成条件的关系。     

铝阳极氧化膜耐电压机制研究

建立了(+)Al/Al2O3/电解液(-)系统耐电压模型。在该模型中,耐电压测试时施加于样品系统上的恒稳测试电流被分离成了介质层充电电流及缺陷漏电流两部分。使用该模型对恒稳电流下铝阳极氧化膜耐电压随时间的变化进行了模拟,模拟结果与实测值几乎完全重合,并准确预测出了铝阳极氧化膜升压时间及180s时的耐压值。另外,对铝阳极氧化膜耐电压曲线进行了初步解释。     

阳极氧化铝膜的偏振光谱特性研究

为了测试阳极氧化铝膜的偏振光谱特性,在硫酸溶液中,采用二次阳极氧化的方法获得了孔洞分布均匀、有序的纳米多孔阳极氧化铝膜,对其形貌和结构、透射和偏振光谱特性进行了理论分析和实验验证。研究结果表明,在温度较低和阳极氧化电流密度比较大的条件下制备阳极氧化铝,铝未被完全氧化,孔与孔之间含有剩余的铝柱,这些铝柱构成各向异性纳米金属列阵。X射线衍射图谱显示,多孔阳极氧化铝膜具有氧化铝的非晶态结构;透射光谱和偏振光谱显示,在可见光及近红外光区多孔阳极氧化铝具有很好的透射比和一定的偏光特性。研究结果对含金属纳米线的多孔铝复合结构的偏振器件的制作具有参考价值。     

铝阳极氧化膜多孔质结构的电镜研究

本文针对研究开发新型自润滑阳极氧化铝功能材料的要求，用ＴＥＭ系统考察了在二种不同酸性溶液中生成的铝阳极氧化膜的微观多孔质结构，确定了孔的形态和孔隙率；并用电子束诱导结晶化的方法￣［１］确定了铝阳极氧化膜的物相结构为非晶态ｒ－Ａｌ＿２Ｏ＿３。此外，还用ＨＲＥＭ对阳极氧化膜与铝底材之间的界面进行了研究，发现了过渡层的存在，过渡层厚约４ｎｍ。     

阳极氧化膜形成液中的氯离子检测

通过对阳极氧化膜形成液现有的检测方法分析,针对介电用阳极氧化膜形成中形成液的形成能力无法真实检测的问题,利用纯铝样品作为传感探头,在不同浓度的形成液和含有腐蚀性成分的电解液中,测试样品的电流变化情况,确定了介电用阳极氧化膜形成液中的氯离子检测方法。     

MIM开关器件的伏安特性研究

研究了MIM器件的电导机制，详细介绍了新提出的MIM器件的p-n^--n能带模型，同时利用这一能带模型解释并验证了上电极材料的选择，下电极材料掺N以及用溅射Ta2O5膜代替阳极氧化T2O5膜作绝缘层对MIM器件伏安特性曲线对称性的影响。利用p-n^--n能带模型首次提出用在氢气气氛下热处理的阳极氧化Ta2O5膜作MIM器件的绝缘层可以提高器件的I－V特性曲线的对称性这一新实验方法，另外，本文还较为详细地讨论了阳极氧化过程对MIM器件特性的影响，并首次讨论了对阳极氧化Ta2O5膜进行热处理时，退火方式和反应室气压变化对MIM器件I－V特性的影响。     

在微波激发的O_2+N_2混合等离子体中实现Al/Si的氧化

蒸发在 Si 上的 Al 薄膜,在微波激发的 O_2+H_2混合等离子体和 O_2+N_2混合等离子体中实现了氧化。添加的 H_2或 N_2在其中起催化作用。在 Ar 离子溅射的情况下,用离子微分析(IMA)和 X 射线光电子分光(XPS)方法,分析了各元素随深度的组成变化和膜的化学结构。在 O_2+N_2混合等离子体中,观测到界面上有明显界面氧化层,但在 O_2+H_2混合等离子体中,没有发现内部 SiO_2层。为了解释这些实验现象,提出了一种氧化过程的假定方式,这种方式考虑了电负性。     

LY12铝合金阳极氧化层产生黑点原因分析

某兵器厂在LY12铝合金表面使用硫酸电解液进行阳极氧化处理时,工件表面出现了黑点。为探讨产生黑点的原因,我室对送检样品使用日本日立S-570扫描电子显微镜,进行了观察与分析。在STM下观察阳极氧化膜表面的黑点是一些孔洞,孔洞是阳极氧化膜生长的必要条件。阳极氧化膜的生成是两个同时进行着过程的综合反映。一个过程是阳极上铝进行氧化反应生成Al2O3膜的电化学形成过程,另一个过程是,氧化膜不断地被电解液溶解的膜的电化学溶解过程。诚然,只有当膜的电化学形成速度大于膜的化学溶解速度时,氧化膜才能存在并顺利的长到一定的厚度。由此…