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以Bi2O3、B2O3和SiO2为主要原料制备无铅玻璃粘合剂,将其与导电银(Ag)粉、Al2O3、MnO2等无机添加剂和α-松油醇等有机载体进行混合制备无铅导电银浆,在800℃的温度下烧结20s形成Ag电极。采用四点探针法测量Ag电极电阻率ρ,通过SEM观察其断面形貌并用Keithley2400数字源表测定电池的相关性能参数,研究了Ag电极中导电Ag粉含量对电极性能的影响,确定了无铅导电Ag浆的质量配比为:导电银粉75%,玻璃粘合剂(Glass frit,GF)4%,无机添加剂1%,有机载体20%时,Ag电极的电性能趋于最佳。 相似文献
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以超细球银与片状银粉复配作为导电相,二官能度的端乙烯基聚氨酯丙烯酸酯预聚物作为粘结相,制备出高电导率、高附着力和高柔韧性的紫外光固化聚氨酯基导电银浆。研究了超细球银与片状银粉的相对用量对银浆电导率、附着力和耐弯折性能的影响,并通过扫描电镜对银浆中银粉的分散状态进行了分析。结果表明:采用适量的超细球银与片状银粉复配,可以有效提高银浆的电导率和力学性能。当超细球银用量为6.6%(wt),片状银粉用量为65%(wt)时,银浆的电导率高达1.33×106S/m;与聚对苯二甲酸乙二醇酯基材具有良好的附着力,百格测试级别为5B;耐弯折性能优良,10次弯折测试后,电导率仍能达到3.38×105S/m。 相似文献
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成膜温度在200℃以下的导电银浆被称作低温导电银浆。本文通过涂层材料配方设计,选用银粉、高分子树脂、溶剂、助剂为原材料,实现了低毒高固含量的环保型低温导电银浆配方。本文将自制低温导电银浆与进口低温导电银浆同时在自动化印刷工艺线上进行涂层固化,通过场发射扫描电镜对两种银浆涂层在柔性基材上的界面进行表征,证明了自制银浆涂层与柔性基材具备优良的弯折性能。为实现进口银浆国产化打好基础。 相似文献
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借助黏度测试仪、扫描电镜及红外光谱、非等温差示扫描量热法等分析手段,通过测量体积电阻率、附着力和硬度,探讨了以糠醛–丙酮作为E-51环氧树脂/双氰胺体系导电银浆的活性稀释剂时,稀释剂含量对体系黏度及所得导电膜断面形貌、机械性能和导电性的影响。另外讨论了固化时间对导电膜导电性的影响。结果表明:随稀释剂含量增加,银浆的黏度迅速下降,稀释剂含量为25.0%时,黏度下降了87.5%;综合考虑银浆的固化程度、丝网印刷效果、导电性和机械性能,选择稀释剂含量为12.0%,此时所得导电膜性能最佳:固化最完全,体积电阻率最小(1.33×10~(-5)Ω·cm),导电性最好,硬度5H,附着力4B。根据动力学分析,最佳固化温度为148.33°C,该固化反应级数是0.79,反应活化能为27.51 k J/mol。 相似文献
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本文系统研究了银粉颗粒形状、消泡工艺及溶剂对导电银浆的影响,通过系列工艺实验,成功研制出质量稳定、电阻小、无毒、成本低的低温固化环保导电银浆。 相似文献
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填充型丙烯酸树脂导电银浆电性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研制了一种银粉填充丙烯酸树脂的复合导电银浆,讨论了导电填料银粉的含量、粒径大小、形状对导电银浆导电性能的影响。分析了偶联剂以及固化条件对导电银浆导电性能的影响。 相似文献
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本文在粉末颗粒最紧密堆积理论Dinger-Funk方程的基础上,研究纳米银粉颗粒引入到片状银粉和球形银粉中的不同比例的搭配,讨论其对导电银浆方阻的影响.结果表明,随着纳米银含量的增大,银膜方阻都是先减小后增大;与片状银粉混合时,同等添加量的球形和片状银粉搭配纳米银粉制成的导电银膜,片状银粉银膜的方阻低于球形银粉的.通过... 相似文献
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对固体钽电解电容器用导电银浆涂膜的均匀性和致密性作了分析和讨论,并选用助剂对这两个重要特性进行改善,确定了较合适的防沉剂和消泡剂,优化了涂膜性能。 相似文献
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浅色云异导电颜料制备工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用化学共沉积法方法在微细云母基片上包覆 Sno2-Sb2O3半导体化合物,经煅烧制得一种新型浅色导电颜料,克服了纯SnO2或SbO3导电颜料易聚焦,难分散的缺点,且大大降低成本。了影响颜料性能的各种因素。 相似文献
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以十二烷基苯磺酸(DBSA)为乳化剂,十六醇(CA)为助乳化剂,盐酸和十二烷基苯磺酸(DBSA)为掺杂剂, 过硫酸铵为引发剂,采用乳液聚合法合成了导电聚苯胺(PAn).研究了反应温度、反应时间及苯胺、十二烷基磺酸、十六醇、盐酸和过硫酸铵配比对聚苯胺电导率的影响.研究结果表明,较佳的工艺条件为:反应温度为7 ℃,反应时间为6 h,较佳的原料物质的量的比为苯胺∶十二烷基苯磺酸∶十六醇∶盐酸∶ 过硫酸铵=0.05∶0.028∶0.04∶0.01∶0.05;以十六醇为助乳化剂,采用十二烷基苯磺酸和盐酸为掺杂剂,提高了聚苯胺的导电性.同时对聚苯胺导电机理进行了分析. 相似文献
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无铅压电陶瓷铌酸钾钠的常压烧结及其电学性能 总被引:5,自引:2,他引:3
用常压烧结方法制备了Na0.5K0.5NbO3(NKN)无铅压电陶瓷.研究了烧结温度与NKN陶瓷的密度、结构以及电学性能的关系.结果表明:NKN陶瓷与KNbO3相似为正交结构,烧结温度超过1 080 ℃时,出现无压电性第二相.在很小的温度范围内(1020~1100 ℃)烧结体密度有显著不同,当烧结温度为1 080 ℃时,NKN陶瓷烧结密度达到最大值(4.22 g/cm3,相对密度为92%).经1 060℃烧结的NKN陶瓷其压电常数最高,达到122 pC/N;Curie温度为409 ℃;矫顽场为9 kV/cm;剩余极化强度为15 μC/cm2. 相似文献
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常压烧结碳化硅陶瓷的制备及导电性能 总被引:2,自引:0,他引:2
采用常压烧结法制备碳化硅陶瓷.对其显微结构和导电性能进行了分析。研究发现,常压法可获得致密的碳化硅烧结体,具有较低的电阻率,在300~600℃温度范围内表现出明显的负电阻率温度系数。 相似文献