金属氢化物的正电子湮没研究

采用正电子湮没方法在７７－３００Ｋ温区和ｘ为０－０．８６氢浓度范围研究了Ｐｄ０．７５Ａｇ０．２５Ｈｘ和ＮｂＨｘ两种金属氢化物，叙述了获得的实验结果。     

腐蚀疲劳断裂前氢与缺陷相互作用的正电子湮没研究

用正电子湮没谱和加热释氢研究了低合金高强钢人工海水腐蚀疲劳断裂前经若干小时疲劳的样品。实验结果表明,腐蚀疲劳早期阶段产生的位错、空位团以及钢中晶界是氢的捕获位,其捕获氢量随疲劳时间增加。氢与空位相互作用使空位团尺寸增加,数目增多,氢与位错相互作用促使位错增殖且随疲劳时间增加。晶界与氢相互作用能随疲劳时间、晶界捕获氢量增加而降低。碳化物沿晶析出促进了晶界捕获氢。较低的晶界-氢结合能有利于氢沿晶运动,促使预裂缝沿晶发展。     

金属与合金的高温正电子湮没特性测量

回顾了正电子湮没热平衡测量的主要研究工作，讨论了β＾＋－γ正电子寿命谱测量装置的原理和应用，并介绍了β＾＋－γ寿命谱仪的发展过程及今后的发展趋势。     

电子辐照Ni_3Al的正电子湮没研究

Ni_3Al是一种金属间化合物,其结构与有序合金Cu_3Au相同,是Ni基超耐热合金的主要强化相。在室温,成分范围为72.5～77at.％,化合比两侧形成替代式固溶体。理想成分的Ni_3Al,到接近熔点附近仍保持有序结构。     

用正电子湮没方法研究有机导体

本工作用正电子湮没方法研究了几种新的电荷转移复合物型的有机导体。测定了在这些材料中正电子湮没的线形参数S、湮没寿命和3γ湮没相对产额。实验结果见下表。     

用正电子湮没研究金属钴的磁感生各向异性

金属钴在磁场中,随着磁场回火温度的升高,单轴磁感生各向异性常数(Ku)增加,Ku的增加是否由于金属钴内部产生空位所引起?本工作对磁场中或元磁场时不同回火温度的金属钴样品进行了正电子湮没S参数和寿命测量,试图了解感生各向异性的金属钴样品的内部结构有关问题。实验结果示于表和图1、2。实验的磁场强度为5554Oe。因为处理工艺条件的差异,使得图1和2中“·”和“。”曲线不重叠。从结果看到:在不同磁场回火温度中,随着磁场回火温度的升高,磁感生各向异性常数Ku变大(见表),而湮没平均寿命τ_1和Doppler线     

腐蚀疲劳断裂过程中氢与缺陷相互作用的正电子湮没研究

用正电子湮没谱研究了40CrNiMo低合金高强钢海水腐蚀疲劳断裂后,低温释氢过程中正电子湮没H参数和寿命参数随温度的变化。实验表明H-T和寿命参数-T曲线有三个极点,分别对应于氢从晶界、位错和微空洞处释出。第一阶段断裂区晶界释氢和位错释氢多于第二阶段区。而微空洞释氢则第二阶段多于第一阶段。晶界与氢相互作用能较有利于氢沿晶界运动,促使氢致开裂沿晶发展。位错与氢相互作用使位错增殖并有利于氢的输运。氢与微洞作用促使微空洞尺寸和数目在几小时内达到并超过空气疲劳200多小时的水平,并促进腐蚀疲劳第二阶段快速断裂。估计了氢与晶界、位错和微空洞的结合能,并结合电镜结果进行了讨论。     

用正电子湮没寿命方法研究低温镀铁层的结构和晶粒

低温电镀方法可在工件表面产生高硬度、耐磨的镀铁层,但工作于较高温度时耐磨性和硬度下降。本文研究在不同等时退火和等温退火条件下镀铁层内晶粒度、缺陷变化等情况。 在45号钢上用无刻蚀镀铁工艺产生0.5mm厚的镀铁层,经100～1200℃和10～420分钟的不同退火温度和退火时间热处理,平均寿命τ_m的变化见图1、2。     

阳极氧化法制备多孔硅中的正电子湮没及扫描电子显微镜研究

用正电子湮没技术和扫描电子显微镜研究研究了阳极氧法法制备的多孔硅材料。正电以实验表明,随着阳极氧化时间的延长,平均寿命值增大,空位缺陷增多,长寿命成分较少。扫描电子显微显示,在阳极氧化过程中有尺寸为几μｍ的单晶球形成。     

纯铝中氢致缺陷的正电子湮没和透射电镜研究

用正电子湮没技术和透射电镜研究了退火和变形纯铝中的氢致缺陷。光学显微镜和透射电镜观察结果表明充氢可以在退火铝中引入气泡、位错等．纯度较低的样品比较容易形成氢致缺陷．说明铝中杂质是氢致缺陷的成核中心。正电子湮没结果表明．随着充氮量的增加．退火铝的平均正电子寿命无显著变化．变形铝的平均正电子湮没寿命有所缩短：这一结果从实验上证实了充入铝中的氢以质子形式填充于缺陷中。屏蔽了缺陷对正电子的吸引或使缺陷内的正电子寿命下降．从而降低了正电子寿命方法对缺陷的敏感性．     

用PAT研究多嵌段聚醚氨酯脲的微畴结构

本文用正电子湮没、小角X射线散射和差示扫描量热等方法研究多嵌段聚醚氨酯脲的微畴结构。实验结果表明,硬段含量的增加引起微畴体积和自由体积减小,而软段分子量增加引起微畴体积和自由体积增大。     

中子辐照GaAs的变温正电子寿命研究

用正电子湮没寿命谱研究中子辐照前后半绝缘ＧａＡｓ在等时退火过程中的缺陷行为．发现辐照后的样品大约从７０℃起空位－填隙子对和空位－反格点缺陷开始复合．５００℃前空位和空位团可消除．７４０℃后可能会重新产生缺陷。ＶＡｓ是一种浅势阱，对正电子的束缚能大约为０．０３１－０．０３２ｅＶ。     

用PAT研究两种硅橡胶的大分子结构特征

用未硫化的甲基乙烯基硅橡胶和接枝室温硫化硅橡胶作正电子湮没实验的结果表明，甲基乙烯基硅橡胶的τ１，τ２均较ＲＴＶ的短，而τ３较长。对这一现象作了定性的解释。     

Investigation on the porosity of zeolite NU-88 by means of positron annihilation lifetime spectroscopy

Seven well characterized zeolites were investigated by positron annihilation lifetime spectroscopy. The lifetime spectra were analysed in four discrete components. The third one was associated with ortho-positronium annihilation in the channels, framed in terms of infinite cylinders. Differences between the radii determined from the positron annihilation technique and X-ray diffraction data were found and explained in terms of the physical structure of the channel. An analogous study on a high-silica NU-88 zeolite gave a value of 0.33 nm for the corresponding radius, in agreement with Ar and N₂ adsorption data as well as with the catalytic behaviour of this zeolite in several acid catalyzed reactions. The longest lifetime component in NU-88 reveals the existence of mesopores, with average radius of about 1.8 nm, which could explain the importance of hydrogen transfer reactions in this zeolite.     

等离子体表面处理的正电子湮没研究

本文将正电子湮没技术用于等离子体喷涂的研究。测量了等离子体喷涂合金的缺陷以及缺陷的退火效应，观察到了正电子寿命的一些异常现象。