高速系统为LED系统提供光学测量

对于任何新产品而言，如何赢得消费者的信赖是非常重要的。每当首次向消费者展示一种新产品时，不管其应用前景如何，首先得保证其质量，即使当众出现一点小故障，也会对其前景产生致命性的影响，因此光学检测在光电子行业尤为重要。     

节点电压法和修改节点电压法的探讨

本文对"电路分析"课程中的节点电压法和修改节点电压法进行了讨论,通过例子说明修改节点电压法比节点电压法更容易形成电路方程.同时,对如何形成修改节点电压法中的电路方程进行了阐述,该方法也适合于计算机辅助电路分析.本文的介绍和分析对讲授"电路分析"中的节点电压法有一定价值,可供教学参考.     

高电压下的温度测量

测量高电压侧电量,以前多数采用在高压隔离盒中安装电表来显示。对于类似于温度之类的物理量,也是用传感器转换成电压量后再用同样办法予以显示的。这种办法显示的量值精度不高,而且不能自动记录或控制。解决的办法是设法隔离高电压。隔离高电压可以采用无线电发射、接收,也可以用光通信(不用光纤的,以空气作介质的光传输),或使用光纤传输。相比之下,采用第三种办法较第一种办法简单,较第二种办法可靠,工业及科学实验中宜采用第三种办法。     

基于虚拟仪器的温度测量系统

基于虚拟仪器技术,利用热电偶设计了一套温度测量系统,包括硬件和软件设计,硬件包括对热电偶输出信号的放大和滤波,以及对冷端温度的补偿电路,冷端温度通过Pt100热电阻进行测量;软件采用Labview进行编写,界面简洁,可通过图形化的界面对温度进行实时监测。     

基于ANSYS有限元分析法的LED结温检测

发光二极管(LED)作为第四代照明光源,其发光性能不但和电学特性相关,还受pn结结温的影响。LED的发光效率随着结温的升高而降低,LED的使用寿命也会随之减小。因此对LED结温进行准确检测具有重要的意义。利用Fluke Ti20红外测温摄像仪和ANSYS有限元软件模拟仿真结合的方法来分析LED模块的结温,并与标准电压法测得的结温进行对比。利用该方法获得的仿真结果与电压法实测LED结温值误差小于2%,与红外测温仪实测结果相差不超过5%。实验证实该方法可以作为LED非接触式结温分析的一种有效的工程方法。     

温度系数自动测量电路的研制

本文介绍一种能自动、连续测量温度系数电路。重点说明其工作原理及设计考虑。     

利用热电器件实现发射率及温度的实时测量系统

介绍了一种采用钽酸锂热释电探测器作为光接收元件、以 80 31单片机为核心实现的中、高温物体发射率及温度实时测量系统。介绍了其工作原理与结构 ,分析了其中的技术难点及相应的解决方法 ,讨论了系统的灵敏度、发射率及温度的测量精度。结果表明 ,对 42 7℃抛光的钢铸件而言 ,系统的最小可鉴别温差为 0 .32 K,发射率的测量精度 σελ=1 .72× 1 0 -2 ,|σελ/ελ| 2 .6% ;温度的测量精度σT=1 .8k,|σT/T| 0 .2 575%。     

氮化镓基LED结温测量方法研究

分别研究了脉冲电流法、微小电流法和光学成像法测量氮化镓基LED结温的基本原理,并对比了不同方法的结果可靠性。结果表明:在大脉冲电流下,串联电阻效应不可忽略,脉冲电流法得到的平均结温偏低;微小电流法能够减小加热电流和测试电流的切换时间和串联电阻效应,提高测量准确性;光学成像法基于发光强度与结温的依赖关系,能够获得器件温度的空间分布,有助于制备高性能的LED。     

大功率白光LED的结温测量

大功率LED器件的结温是其热性能的重要指标之一,温度对LED的可靠性产生重要的影响。采用板上封装的方法,利用大功率芯片结合金属基板封装出了大功率白光LED样品,利用LED光强分布测试仪测试了器件的I—V曲线,用正向电压法测量了器件的温度敏感系数,进而通过测量与计算得到器件的结温和热阻。最后利用有限元对器件进行实体建模,获得了器件的温度场分布。测量结果表明：正向电压与结温有很好的线性关系,温度敏感系数为2mV·℃^-1,LED的结温为80℃,热阻为13℃·W^-1。有限元模拟的结果与实测值具有良好的一致性。     

大功率LED伏安特性模型研究

研究了大功率LED芯片的伏安特性。基于LED 芯片的特殊性,从经典的PN结伏安特性出发,进行理论推导并通过选择不同的基函 数,构建出了大功率LED芯片的伏安特性新 模型和优化模型,模型中的系数采用最小二乘法进行确定。对大功率LED芯片的实测 伏安特性数据表明,本文构建出的优化模型比经典的PN结模型更能准确表征LED的伏安特性 ,与实测的伏安特性数据一致性更高,更具实用价值。     

一种基于结温保护的LED驱动设计

将LED结温控制在一定范围是确保LED灯具寿命和发光效率的关键.文中探讨了LED结温的测量方法,提出了通过单片机实时测量LED光源的结温,在结温超出设定值时生成PWM信号调整电源的输出功率.文中给出了采用LM3404与PIC12F675组成的基于结温保护的电源原理图和单片机程序框图.试验表明,基于结温保护的LED驱动,...     

Emerging trend for LED wafer level packaging

Currently most light emitting diode (LED)components are made with individual chip packaging technology.The main manufacturing processes follow conventional chip-based IC packaging.In the past several y...     

采用双光谱参数表征GaN基蓝色LED的结温

设计了一种采用双光谱参数表征GaN基蓝色LED结 温的新方法。采用光谱仪(OSA)测量不同环境温度、不同脉冲电流驱动下,GaN基蓝色LED的 光谱分布,先忽略脉冲电流的热效应,构建驱动电流、质心波长 、半高全宽(FWHM)和结温四者之 间的关系;然后利用该关系,结合实际点灯条件下LED的光谱分布,计算出对应的LED结温和 驱动电流。再根据统计 得到的GaN基蓝色LED脉冲电流-结温修正系数,对所得结温进行修正,得到考虑脉冲电流 热效应后更准确的LED结 温。研究表明,不同类型的LED脉冲电流-结温修正系数差别较小,当脉宽为2ms时,1W G aN基蓝色LED的脉冲电 流-结温修正系数为－5℃/A。与正向电压法相比,采用双光谱参数法得到的结温平均误差 约为2℃。因此,双光谱参数法可以 较准确地测量GaN基蓝色LED的结温。     

基于功率型LED的在体整体荧光光学成像

用发光二极管（LED）替代常用的荧光激发光源汞灯,以实现基于LED的整体荧光光学成像（简称整体成像）。首先通过光谱计算分析,探讨了在不同波段与汞灯激发的荧光量相当时LED需要输出的光通量。以此为依据选择LED,构建了基于功率型LED的整体成像系统,用其动态监测绿色荧光蛋白（GFP）标记的肿瘤在裸鼠体内生长和药物治疗过程。实验表明,功率型LED可在类似于整体成像需要较大光功率的场合中应用。光源替代时,若两光源的光谱在选择的波段内分布不一样,则有必要考虑不同波长的光激发荧光效率差异的影响。     

LED结温、热阻构成及其影响

LEDPN结温上升会引起LED光学、电学和热学性能的变化,甚至过高的结温还会导致封装材料(例如环氧树脂)、荧光粉物理性能变坏,LED发光衰变直至失效,因此分析LED结温、热阻构成,如何降低PN结温升,是应用LED的重要关键所在。     

LED光源的结温测量方法

分别采用红外热像仪、管脚温度法和Ansys模拟计算法分析测量了LED筒灯的结温。结果表明：管脚测量法能够通过测量管脚的温度,准确地推测出LED芯片的结温。由于这种方法具有非破坏性、精确性、简易性和非接触性,因此可广泛应用于LED结温的测量。测量误差主要取决于封装热阻的误差,而封装热阻是LED灯珠的固有属性,不随着外界温度和散热能力的改变而改变,因此管脚测量法具有通用性。     

采用MEMS工艺制作封装载体的LED封装技术

针对SiC衬底的白光LED技术研究和智能化半导体照明技术发展的需求,基于Si材料的功能特性和物理特性,研究了将Si作为SiC基LED封装载体的相关技术.采用MEMS的加工工艺,设计了精确尺寸的芯片安装腔体和高效率的反射层,抑制了Si本体材料对光的吸收,提高了芯片侧向光的导出效率.通过分析光窗形貌及封装胶折射率对白光LED光效的影响,给出了一个全新的SiC衬底的白光LED封装的技术路线,为LED芯片与驱动一体化封装的实现奠定了技术基础.实现了完整的加工过程和样品制备,测试表明光效大于130 lm/W,热阻小于4.6℃/W.