高压高速功率MOSFET驱动器IR2110

ＩＲ公司推出的ＭＯＳＦＥＴ和ＩＧＢＴ驱动ＩＲ２１１０，功耗低，浮置电源采用自举电路输入与ＣＭＯＳ兼容，具有滞后电压锁定。本文较详细地介绍了该器件的内部结构，管脚功能，该器件可用于开关电源，电机驱动，电子镇流器和充电器中，本文还给出了几种实用电路。     

自举式IR2110驱动集成电路在SRD系统中的应用

IR2110是具有两个输出的桥臂MOSFET栅极驱动器集成电路.由于IR2110具有快速完整的保护功能,因而可提高控制系统的可靠性,缩小控制板的尺寸.文中介绍了自举式IR2110集成驱动芯片的驱动原理和应用特点,给出了自举电容的选择和计算方法;同时给出了该集成驱动芯片在开关磁阻电机驱动系统中的应用实例,最后指出了电路调试中需要注意的几点问题.     

IR2110在IGBT交流调压控制电路中的应用

介绍了IR2110驱动芯片的特点和功能,给出了用IR2110在PWM斩波控制交流调压电路中驱动IGBT的驱动电路,同时对该驱动电路和保护电路的可靠性进行了设计和分析。     

IR2110驱动电路的优化设计

介绍IR2110驱动模块的特点．针对其存在的一些不足．给出相关解决方案。设计相应的优化驱动电路,较好地改善IR2110的驱动和保护性能,增强其实用性。     

IR2110驱动电路的优化设计

介绍IR2110驱动模块的特点,针对其存在的一些不足,给出相关解决方案.设计相应的优化驱动电路,较好地改善IR2110的驱动和保护性能.增强其实用性.     

单通道MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路IR2117

IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能特点和参数限制,同时剖析了它的内部结构和工作原理,最后给出了其典型应用电路图和应用举例。     

高压悬浮驱动电路IR2110的特点及拓展应用技术

介绍了IR2110的内部结构和特点，给出了高压侧自举悬浮驱动的原理和自举元件的设计与选择方法。同时针对IR2110的不足提出了几种完善的应用方案，并给出了将IR2110用于大功率脉宽调制放大器中的应用实例。     

半桥驱动集成电路IR2304

IR2304是美国IR公司生产的新一代半桥驱动集成芯片,该芯片内部集成了互相独立的控制驱动输出电路,可直接驱动两个功率半导体器件MOSFET或IGBT,动态响应快,驱动能力强,工作频率高,具有多种保护功能。本文介绍了其功能特点、工作原理和典型应用电路。     

基于IR22141的IGBT驱动及保护电路设计

IGBT的驱动电路是应用IGBT开关管的关键技术,一个性能好的驱动电路不仅能够有效地驱动IGBT,而且能够可靠地保护IGBT。本文介绍了一种基于IR22141芯片的大功率IGBT驱动及保护电路的设计以及运用。     

使用电流感应IR212X栅极驱动IC

本文介绍包含电流感应功能的IR212X系列栅极驱动集成电路。     

IR推出新型三相栅极驱动IC

国际整流器公司前不久推出了新款三相栅极驱动IC系列产品IRA233x（D），主要应用于包括永磁电机驱动的空调、洗衣机、泵和电风扇，以及微型、迷你型和通用变频器驱动在内的高、中和低压电机驱动应用。IRS233x（D）是一款采用参考输出通道的高压、高速功率MOSFET和IGBT三相桥驱动器，在高达20V MOS栅极驱动能力及最高600V工作电压下，可提供200mA／420mA的驱动电流。     

基于SG3525A和IR2110的高频逆变电源设计

本文简述了PWM控制芯片SG3525A和高压驱动器IR2110的性能和结构特点,同时详细介绍了采用以SG3525A为核心器件的高频逆变电源设计。     

集镇流器控制、驱动及功率MOSFET于一体的STR-B5450系列组合IC

ＳＴＲ－Ｂ５４５０是日本三肯公司生产的集控制电路、高压驱动器及两只功率开关ＭＯＳＦＥＴ于一体的系列Ｓａｎｋｅｎ＾ＴＭ组合ＩＣ,使用该ＩＣ能使荧光灯电子镇流器元件数量减少的４０％。并具有预热、点火、调光、自动再启动、开／关与复位及故障／失 效保护等功能。工作可靠,最大输出功率达２００Ｗ。本文介绍了该器件的内部结构、工作原理及典型应用。     

MOSFET半桥驱动电路设计要领

本文针对如何设计MOSFET半桥驱动线路进行了深入分析,其中对半桥驱动芯片的工作原理、自举电容的计算以及相线振铃和相线负压的产生作了详细分析并给出了相关实验波形。     

基于IR2136与MOSFET的无刷直流电机驱动电路设计

针对传统驱动电路的设计,需要采用相互独立的电源为功率开关管供电,使得硬件结构复杂,可靠性下降,为此,基于功率驱动芯片IR2136与场效应管MOSFET,从信号隔离、三相逆变驱动、过流保护电路等方面,对无刷直流电机驱动电路进行设计。重点阐述了三相逆变驱动电路中的自举电路设计和功率管的驱动保护优化设计。采用TMS570控制板,对该驱动电路进行功能测试,结果表明,设计的驱动电路能够驱动电机平稳运行,且工作稳定可靠。     

Intersil整合功率驱动芯片和MOSFET器件

Intersil公司最近将一种功率驱动芯片与两款MOSFET结合到同一封装设计 ,命名为 EnduraISL6571 Synchro FET,采用 QFN封装方式。该产品显著减少了面板空间 ,简化其设计结构 ,也降低了制造成本。该器件结合了补偿式 MOSFET驱动器、同步半桥转换器和肖特基二极管 ,采用小型热效能封装。其设计可将 DC/DC转换器的工作频率提升至 1 MHz/phase,从整体上减少印刷电路板的空间。ISL6571 CR采用 QFN封装 ,在 4,999～ 9,999数量范围的定购单价为 2美元。相关设计、评估板和电路设计也可提供。Intersil整合功率驱动芯片和MOSFET器件…     

大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源（switch-mode power supplies，SMPS）的整流组件，不过，在选用MOSFET时有一些注意事项。功率MOSFET和双极型晶体管不同，它的栅极电容比较大，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压（VGS-TH）时MOSFET才开始导通。因此，栅极驱动器的负载能力必须足够大，以保证在系统要求的时间内完成对等效栅极电容（CEI）的充电。在计算栅极驱动电流时，最常犯的一个错误就是将MOSFET的输入电容（CISS）和CEI混为一谈，于是会使用下面这个公…     

IR2304半桥驱动集成电路的功能原理及应用

IR2304是美国IR公司生产的新一代半桥驱动集成芯片，该芯片内部集成了互相独立的控制驱动输出电路，可直接驱动两个中功率半导体器件如MOSFET或IGBT，动态响应快，驱动能力强，工作频率高，且具有多种保护功能。文中介绍了IR2304的功能特点、工作原理和典型应用电路。     

IR推出汽车栅极驱动应用IC

国际整流器公司（InternationalRectifier,简称IR）推出AUIRS2117S和AUIRS2118S600VIC,适用于汽车栅极驱动应用,包括直喷装置和无刷直流电机驱动器。