亚微米碳化硅超细粉加工方法研究

介绍了一种亚微米硅超细粉的加工方法，对磨机转速，磨介配比，分散剂，纯化处理以及粉体性能等进行了研究，用该工艺方法加工亚微米碳化硅粉体，不需再次分级，粉体分布窄，一致性好，性能达到国外同类产品水平。     

硅灰为原料制备类球形亚微米碳化硅粉体

以硅灰为硅源、葡萄糖为碳源制备粉体先驱体,然后经过炭化和煅烧,制备类球形亚微米碳化硅粉体。实验采用1200、1300、1400、1500℃4种温度煅烧样品,并对产物进行物相、粒度、形貌分析。结果表明:1200℃时,碳热还原反应未发生,硅灰中无定形的二氧化硅转变为结晶形态;剩余三种温度下得到的产物均是3C型碳化硅,在1400℃下能够制备出球形度良好的亚微米碳化硅粉体,其平均粒径约为0.2μm;随着煅烧温度的升高,碳化硅的结晶度增强、粒度变大、球形度变差。     

亚微米氧化铝粉体在建筑陶瓷板材中的应用研究

采用建筑陶瓷板的制备工艺,将亚微米氧化铝粉体加入到陶瓷板材坯料中,研究了其对陶瓷板材外观、烧结性能和力学性能的影响。结果表明:在常规的生产条件下,亚微米氧化铝粉体主要以α-Al₂O₃颗粒的形式均匀分布在坯体中,具有较强的增白效果。当氧化铝粉体加入量在15%(质量分数)以内时,陶瓷板材样品的吸水率低于0.1%,烧结致密化程度较高,抗弯强度随加入量增加而提高。当加入量继续增加,吸水率增大,抗弯强度下降。氧化铝粉体加入量为15%(质量分数)时,样品的抗弯强度达到最高值96 MPa,比未外加氧化铝的样品提高了30%。在白度较低的低品质原料中,通过加入亚微米氧化铝粉体可大幅度提高产品的白度和强度,既可减少优质资源的消耗,又能较好地满足陶瓷板材对装饰效果和力学性能的要求。     

CdS亚微米球的制备及性能研究

以Cd(NO3)2·4H2O为镉源,Na2S2O3·5H2O为硫源,采用水热合成法成功制备出CdS亚微米球.利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM),对得到的产物进行了表征,并利用紫外/可见(UV/Vis)分光光度计,对其光吸收性能进行了测试.结果表明,制备的亚微米球状CdS材料在可见光波段具有较好的光吸收...     

碳化硅粉体的氧化动力学行为

对颗粒碳化硅在温度范围 145 7- 1675K下的氧化性能进行了研究。发现采用沉降曲线法获得的粒度数据遵循对数统计分布 ;从等温样品增重测量得到的相对重量比的数据与使用计算机模拟得到的最佳速度常数相吻合     

亚微米ZnO粉体在水中分散特性的研究

以聚丙烯酰胺和聚乙二醇20000为分散剂，通过沉降正交实验对ZnO颗粒的分散稳定性和分散剂、溶液pH值、球磨速度以及球磨时间对ZnO分散行为的影响进行了研究。结果表明：不同分散剂的分散效果不同，分散剂用量及溶液pH值对颗粒的分散有着显著的影响，并获得了制备20％ZnO水悬浮液的最优化配方。最后对亚微米ZnO水分散体系的形貌进行了观察和分析。     

分散剂对亚微米氮化硅粉体分散性能的影响

本文利用研磨机将氮化硅（Si3N4）粉体研磨至亚微米级,并分析分散剂对Si3N4颗粒粒度的影响。从四甲基氢氧化铵（TMAH）、六偏磷酸钠（SHMP）和Darvan—C这三种分散剂对亚微米SbN4分散性能的曲线图中可以看出．TMAH、SHMP和Darvan—c都有很强的抑制沉淀的作用,对亚微米Si3N4的分散效果较好。SHMP的加入量在1％时出现最佳值,随着加入量的逐渐增加,亚微米Si3N。的分散效果也逐渐变差。比较这三种分散剂,0．4％的Oarvan—C对亚微米Si3N4的分散效果优于1％的SHMP和0．8％的TMAH对Si3N4的分散效果。     

亚微米SiO2粉体对无水泥铁沟浇注料性能的影响

以致密刚玉、碳化硅等为主要原料,以w（SiO₂）=99.9%的亚微米SiO₂粉体(d₅₀=0.242μm)为结合剂,制备了一种新型无水泥铁沟浇注料。研究了亚微米SiO₂粉体加入量（质量分数分别为3%、4%、5%、6%、7%、8%、9%）对其性能的影响,并从亚微米SiO₂粉体的粒度分布、红外光谱等角度,分析探讨了亚微米SiO₂粉体的作用机制。结果表明：1)亚微米SiO₂粉体可以单独作为铁沟浇注料的结合剂制备出无水泥铁沟浇注料;2)相比传统铁沟浇注料,无水泥铁沟浇注料在加水量、高温抗折强度等方面取得突破性进展,亚微米SiO₂粉体的最佳加入量为4%～6%（w）。     

亚微米锌粉制备技术与应用

亚微米锌粉是介于纳米和微米尺度之间的高性能金属新材料,具有良好的附着力、显著的防腐抗氧化效果、高强活性以及优良的导电性能。文章介绍了亚微米锌粉制备技术与应用,该项目的科研项目支撑、项目知识产权、产品技术指标、技术水平和应用领域和前景。     

添加亚微米SiC微粉对聚碳硅烷低温制备SiC多孔陶瓷性能的影响

以平均粒径为20μm的SiC粉末为原料、亚微米SiC微粉为添加相、聚碳硅烷(polycarbosilane,PCS)为黏结剂,通过混粉、模压、热氧化不熔化处理、烧成等工序制备了SiC多孔陶瓷。研究了亚微米SiC微粉添加量对SiC多孔陶瓷微观形貌、线收缩率、孔隙率和抗弯强度的影响。结果表明:随亚微米微粉添加量的增加,多孔陶瓷微观裂纹逐渐减少直至消失,孔隙率先急剧增大后逐渐减小,线收缩率先急剧减小后逐渐增大,抗弯强度先增大后减小;在PCS含量为10%、15%与20%时,对应亚微米SiC微粉添加量为15%、30%与40%时,抗弯强度获得最大值分别为52.1MPa、54.6MPa与62.4MPa,与未添加亚微米微粉时相比,提高幅度分别达180%、285%与392%。     

碳化硅纳米晶须的制备

以SiO2纳米粉和自制的树脂热解碳作原料,用一种新的加热设备－双重加热炉合成了直径在5－30nm范围内,长径比在50－300之间的碳化硅纳米晶须。用化学分析方法,X射线衍射仪、透射电子显微镜等手段对碳化硅纳米晶须进行了表征。研究结果表明：用双重加热炉合成碳化硅纳米晶须的最佳湿度范围为1250－1300℃,恒温时间为60－75min,碳化硅纳米晶须的产率最高可达82％（质量分数）。     

碳化硅致密陶瓷材料研究进展

碳化硅材料以其优异的性能得到了越来越广泛的应用,通过简要介绍碳化硅致密陶瓷的制备方法及其性能和总结近年来国内外的研究进展,来展望碳化硅致密陶瓷材料的研究发展趋势。     

碳化硅纳米晶须的研究进展

本文论述了碳化硅纳米晶须的反应机理和各种制备技术,指出碳化硅纳米晶须主要是通过气固(VS)和气液固(VLS)反应机理生成的,具有纳米尺度的反应原料、催化剂或成核剂是制备碳化硅纳米晶须的关键。     

碳化硅粉末的制备与应用进展

本文简要评述了SiC粉末在制备方法和应用方面的最新进展，对不同方法所制SiC粉末的特点也作了评述，重点讨论了粒度在超细至亚微米范围内的SiC粉末的应用领域．     

电弧放电制备碳化硅纳米棒

用电弧放电法制备了碳化硅(SiC)纳米棒.将摩尔分数为50%C,25% SiO2和25% Si粉末充分混合,填入已在中心钻孔的石墨棒中,作电弧放电阳极,水冷铜块作阴极,腔内充66.5kPa氩气,放电电流为80A.分析放电后沉积在腔内壁的粉末,高分辨率透射电镜照片表明:粉末中有结晶良好的SiC纳米棒,直径约10～20 nm,长径比为10以上,并且纳米棒头部缀有金属纳米粒子.X射线衍射分析表明:粉体中主相为β-SiC,有少量Cu,Raman光谱中775 cm-1有1个尖锐峰.分析认为,少量阴极材料Cu被电弧蒸发作为催化剂并由气液固过程生成了SiC纳米棒.     

树脂热解炭制备碳化硅晶须

用自制的配合醛树脂热解和炭源，用ＳＩＯ２超细汾作原，根据碳热还原原理，利用常规加热和微波加热两种方式，分别制备了直径在纳米级的ＳｉＣ晶须，Ｘ射线衍射、透射电检测结果表明：制备工艺和条件对ＳｉＣ晶须的性质有较大的影响。     

聚合物先驱体法制备SiC/AlN

将乙基铝胺和聚碳硅烷的溶液混合反应,减压蒸去溶剂后制得混合先驱体,后者经裂解烧结而转化为ＳｉＣ／ＡｌＮ,通过ＩＲ和ＴＧ／ＤＴＡ等表征研究了混合过程的交联反应,结合对裂解产物的分析,表明,采用该工艺可提高裂解烧成率,控制裂解产物的成分并有利于提高其中Ｓｉ和Ａｌ分布的均匀程度。     

高温烧结制备含铝碳化硅纤维

对含较多氧的SiC(OAl)纤维进行高温处理,制备出近化学计量比的含铝碳化硅纤维,即SiC(Al)纤维.用X射线衍射分析、元素分析、扫描电镜、Raman光谱和29Si核磁共振谱等对烧成过程和SiC(Al)纤维的组成、结构以及性能进行了研究.研究发现:烧成过程中β-SiC的晶粒随着温度的升高而增大,纤维的直径逐渐降低;在1 300～1 600 ℃,由于CO和SiO气体的溢出,纤维结构逐渐变得疏松,抗拉强度下降;在1 600～1 800 ℃,随着温度的升高,仍有少量CO和SiO气体溢出,在烧结助剂铝的作用下,纤维结构逐渐致密,抗拉强度开始升高;在1 800 ℃烧成得到的SiC(Al)纤维,化学组成和结构与Nicalon纤维显著不同,具有近化学计量比组成,氧、游离碳以及SiCxOy相的含量大大低于Nicalon纤维,具有优良的耐高温性能和抗蠕变性能.     

2.5维碳化硅纤维增强碳化硅复合材料的力学性能

采用低压化学气相渗透法制备了具有热解碳界面层的2.5维SiCf/SiC复合材料.研究了界面层厚度和基体制备工艺对材料力学性能的影响.结果表明:0.1μm厚的界面层使材料的弯曲强度提高了104.2%从144增加到294MPa),材料表现为非灾难性断裂;界面层厚度进一步增加(到0.161μm),纤维的增强效果减弱,材料的断裂行为变差.基体制备温度由1050℃降到950℃时,材料强度增加了≈45%(从188增加到274MPa):制备压力由8kPa增加到16kPa时,气孔率升高,SiC基体晶粒形状由菱形变为球形.基体的球形晶粒有利于提高材料的承载能力,虽然复合材料的气孔率较高,但其弯曲强度却稍有增加.     

催化剂对合成碳化硅晶须的影响

以炭黑和SiO2微粉为原料,用双重加热技术合成了碳化硅晶须,考查了催化剂的种类、用量和加入方式对合成碳化硅晶须的影响。研究表明:以Fe2O3为催化剂,用量为原料SiO2总量的2%,在1250℃下、1.5h内可以获得平均直径为0.6μm、平均长度为30μm、生成率达80%的碳化硅晶须。