扫描电子束无显影光刻技术

扫描电子束曝光是微细图形加工中的一项核心技术.它既是远紫外、X-射线、投影电子束光刻制备微米、亚微米精细掩模的主要手段,也是在硅片上直接加工微细图形的重要光刻技术之一,并且具有高分辨率、高精度和自动化等优点.但是电子束光刻过程,一     

论反射电子定位技术

一、引言对于任何一项发展中的微细加工技术,如果要付诸实用,不但它要有高的分辨本领和合算的经济效益,而且还要解决与其作图精度相适应的自动对准的技术问题。对于微米或亚微米线宽图形的光刻技术,要求图形的对准精度必须优于0.25微米。在扫描电子束曝光系统中,检测反射电子,可以最有效地测定涂有抗蚀剂的衬底表面上定位标记的位置。     

远紫外线复印装置

<正> 属微细加工技术的离子束曝光法及电子束曝光法是在真空中处理试料的,它做为平坦而厚的掩模制造方法逐步为人们所认识。把图形光刻在硅片上,其光刻方法正从以往采用的紫外线接触光刻或接近式光刻向缩小投影曝光或反射投影曝光方向转变。您想找到一种适于批量生产的微细图形复印的理想方法吗?笔者认     

电子束和 X 射线曝光的发展概况

<正> 随着集成电路的高度集成化和大功率微波晶体管的发展,芯片图形越来越复杂,线条越来越细,传统的紫外曝光由于衍射效应的影响,已不能满足亚微米微细加工的需要,因此必须对原有的光刻法作重大的改革或采取新的技术。光学投影曝光已逐渐取代了过去的接触式紫外曝光;近年来远紫外线光刻又以其廉价和简便的特点迅速走向实用;从60年代至70年代,国外在电子束曝光和 X 射线复印方面的研究更为普遍。本文着重介绍国外电子束与 X 射线光刻的发展情况、目前水平和可能的发展趋势。二、电子束曝光     

X射线光刻法——一种新的高分辨率复印法

阻碍广泛采用提供高分辨率图形清晰度的扫描电子束光刻的两个问题是电子束光刻必须连续曝光所有的图形,以及电子束的设备复杂和成本高。显然,两者可通过新近发展的 X 射线光刻法来克服,用类似于接触影印光刻方法的 X 射线光刻可获得复印亚微米分辨率图形。还有一个优越性是容许掩模与祥片间有一定间隔。本文叙述了 X 射线光刻法并且对制作亚微米分辨率图形清晰度的实施的前途作了估价。     

半导体装置中的精密定位机构

<正> 近年来,随着大规模集成电路集成度的不断提高,其图形更加微细化。目前,已经达到0.5微米或0.5微米以下。在制造这种大规模集成电路的过程中,特别在光刻工艺的光刻设备内和检测过程的测试装置中,高精度的定位机构起着重要的作用。 例如,在形成微细图形时,广泛使用的缩小式投影光刻机和电子束光刻机中,承放硅晶片并移动的xy工作台的定位精度就决定着光刻图形的位置精度。 另外,在x射线光刻机中,光刻图形的位置精度也由定位机构的机械精度来确定。 为了高精度地形成大规模集成电路的图     

PMMA在LIGA技术中的应用

合成了用于LIGA微细加工技术的聚甲基丙烯酸甲酯抗蚀剂,采用同步辐射装置X射线深度曝光,可得到深宽比45－90,深度大于450微米,细线宽5－10微米的良好光刻图形。     

光化学工艺在光刻、制版中的应用

光化学表面加工是近年来开发的新方向,从七十年代末,八十年代初起步,经过几年来许多研究人员的潜心研究,即将登上工业舞台.在光刻工艺中,光化学微细加工的目标是实现0.25微米的光刻,为下一代VLSI提供一种简便的、快速的和耗资少的光刻工艺.它很可能是替代x-射线、电子束或离子束工艺的新一代光刻工艺技术.另外,光化学工艺还可发展成为一种激光直写工艺,这种工艺对于高精度修版,整片规模集成和电路原型设计都是十分有用的.     

用灰阶编码掩模进行邻近效应校正的实验研究

利用灰阶编码掩模实现光学邻近效应精细校正是改善光刻图形质量的有效方法,设计并利用电子束直写系统加工了实现邻近效应校正的灰阶编码掩模,首次在投影光刻系统上用这一方法实现了光学邻近效应校正,获得了满意的实验结果,在可加工０．７微米的Ｉ线曝光装置上获得了经邻近效应校正的０．５微米光刻线条。     

离子注入无显影刻蚀技术

<正> 半导体器件、集成电路制造工艺已进入微米、亚微米级的超精细加工阶段.尽管利用远紫外、电子束、软X射线作光源可大大提高曝光图形的分辨率,但是光衍射始终存在,加之电子束的“临近效应”和软X射线的“半阴影效应”,当要求分辨率进一步提高时,将可能成为不可忽略的因素.所以,近来有人提出用离子束曝光的问题.本文提出了一种“离子注入无显影刻蚀技术”展示了离子光刻的可喜前景.     

全息光刻微细图形加工技术

<正> 从曝光光源看,光刻技术分光学(UV,DeepUV)、X 射线、电子束、离子束等类别。目前,下一代亚微米领域的图形形成技术的实用化研究工作正在全面展开。当前的主流仍然是光学光刻。为使光学光刻的分辨率提高到0.8μm,有希望达到0.5μn 以下的 X 射线、电子束、离子束等光刻技术亦应在纷繁的光刻     

国外光刻技术现状及发展趋势

<正> 前言光刻技术是微细加工的核心。到目前为止人们提出并采用有如下几种方式:接触式光刻;1:1反射投影光刻;直接在硅片上分步重复光刻(DSW);电子束光刻;软X射线复印;离子束光刻。     

电子束曝光技术的应用

电子束曝光技术是一种日益完善的超微细图形加工技术,它被广泛应用于航天通讯国防军工及超大规模集成电路等诸多领域。电子束曝光技术具有极高的分辨率,理论上甚至能达到原子量级。电子束曝光可以在基片上进行无掩膜直接曝光,具有极高的灵活性,因此是研制各种超微细结构器件的有力工具。目前先进的高性能电子束曝光系统主要用于0.1～0.5微米的超微细加工,甚至可以实现纳米线条的曝光制作。 电子束曝光技术是在扫描电镜技术的基础上发展起来的,其原理是计算机控制电子束成像电镜及偏转系统,     

电子束光刻在纳米加工及器件制备中的应用

电子束光刻技术是推动微米电子学和微纳米加工发展的关键技术,尤其在纳米制造领域中起着不可替代的作用。介绍了中国科学院微电子研究所拥有JEOLJBX5000LS、JBX6300FS纳米电子束光刻系统和电子显微镜系统的电子束光刻技术实验室,利用电子束直写系统所开展的纳米器件和纳米结构制造工艺技术方面的研究。重点阐述了如何利用电子束直写技术实现纳米器件和纳米结构的电子束光刻。针对电子束光刻效率低和电子束光刻邻近效应等问题所采取的措施;采用无宽度线曝光技术和高分辨率、高反差、低灵敏度电子抗蚀剂相结合实现电子束纳米尺度光刻以及采用电子束光刻与X射线曝光相结合的技术实现高高宽比的纳米尺度结构的加工等具体工艺技术问题展开讨论。     

武藏野通研用电子束技术试制256千位NMOSRAM

<正> 日本电信电话公司武藏野电气通信研究所最近用电子束直接曝光技术研制了256千位动态 NMOS RAM,这个成果已在2月份美国举行的国际固体电路会议上发表。器件构成为256千字×1位,由5伏单一电源操作,采用16脚双列直插式封装,存贮器为每单元1个晶体管方式,采用1微米规范的工艺,单元尺寸为8.05×8.6微米~2。该器件的特点是:1)用电子束直接曝光代替过去的光刻方式,以实现微细图形的加工;2)在其他字线中用钼栅技术代替过去所用的多晶硅,以提高存取时间速率;3)采用为弥补缺陷而用的不良位的补救回路,使可靠性大大提高。器件特性是:存取时间100毫微秒,     

干法刻蚀在亚微米制版中的应用研究

本文简述了当前国内外微细图形加工技术的各种方式;着重介绍了用电子束曝光、氯等离子体刻蚀工艺制作高质量亚微米铬掩摸版的工艺实验及条件选择,应用效果等;还提出了干法刻蚀过程中的安全防护措施及下步工作考虑。     

向微米、亚微米进军——日本超大规模集成电路制造设备一瞥

<正> 从某种意义上说,集成电路制造设备就是物化了的集成电路制造技术。本文拟从设备的角度介绍日本超大规模集成电路(VLSI)制造技术的一些近况。目前,日本集成电路企业生产的64KRAM(线宽3～2微米)占世界产量的80％,不少企业又计划在一、两年内开始生产256KRAM(线宽1.5微米)、同时,正在研制中的VLSI的线宽已突破(小于)1微米而进入亚微米的阶段。因此,实现微米,亚微米级微细加工是日本集成电路制造技术面临的中心课题。电子束曝光是突破光波波长的局限,实现亚微米级图形加工的一个基本手段。但是,由于目前的电子束曝光机的加工速度慢,不适于     

电子束光刻技术的原理及其在微纳加工与纳米器件制备中的应用

电子束光刻是微电子技术领域重要的光刻技术之一,它可以制备特征尺寸10nm甚至更小的图形.随着电子束曝光机越来越多地进入科研领域,它在微纳加工、纳米结构的特性研究和纳米器件的制备等方面都呈现出重要的应用价值.本文以几种常见的电子束曝光机为例,说明电子束光刻的工作原理和关键技术,并给出一些它在纳米器件和微纳加工方面的应用实例.     

下一代曝光(NGL)技术的现状和发展趋势

通过介绍光刻技术的演变和所面临的挑战,揭示下一代光刻技术的发展潜力和研究现状. 通过比较几种具有较大潜力的NGL(浸没式ArF光刻机、极紫外光刻和电子束曝光)的特点、开发现状和有待解决的关键技术,预言将来可能是以极紫外光刻、电子束曝光和某种常规光刻机结合的方式来实现工业、前沿科学技术需要的各种微米/纳米级图形的制备.     

电子束光刻技术与图形数据处理技术

介绍了微纳米加工领域的关键工艺技术——电子束光刻技术与图形数据处理技术,包括:电子束直写技术、电子束邻近效应校正技术、光学曝光系统与电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术、电子束曝光工艺技术、微光刻图形数据处理与数据转换技术以及电子束邻近效应校正图形数据处理技术。重点推荐应用于电子束光刻的几种常用抗蚀剂的主要工艺条件与参考值,同时推荐了可以在集成电路版图编辑软件L-Edit中方便调用的应用于绘制含有任意角度单元图形和任意函数曲线的复杂图形编辑模块。