Cu Cr Ta触头材料的开断性能分析

文章介绍了真空灭弧室触头材料的发展方向和正在开发的Cu Cr Ta触头材料的金相结构和性能分析。对Cu Cr Ta触头材料与Cu W Al Fe、Cu Cr50触头材料进行了对比开断试验。从对比开断试验结果说明Cu Cr Ta触头材料能提高现有Cu W Al Fe和Cu Cr50触头材料的1.28-1.51倍。     

影响铜铬触头材料耐压特性的因素

本文研究了Cr粉晶体状态、Cr粉尺寸、Cr粉含量以及添加元素对真空灭弧室铜铬触头材料耐压特性的影响,找出了改善固相烧结法制备的铜铬触头材料耐压特性的方法。     

Cu20Cr5Ta真空开关触头材料特性的对比研究

铜铬广泛用于真空开关，作为真空断路器的触头材料。为了提高铜铬触头材料的分断能力，在其中添加了高熔点金属钽。研究了Cu20Cr5Ta触头材料的截流水平及分断能力，并与常用的Cu50Cr,Cu25Cr进行了对比，发现在触头尺寸相同，采取同样触头结构的情况下，Cu20Cr5Ta的电流极限分断能力比Cu50Cr,Cu25Cr强，而且Cu20Cr5Ta具有更低的截液水平，因此Cu20Cr5Ta是一种适用于真空开关的优良的触头材料。     

真空灭弧室发展分析

阐述了真空灭弧室的发展历史及现状,对决定真空灭弧室发展的4个关键技术:触头材料、电弧控制系统、灭弧室结构及灭弧室制造技术进行了分析,同时对真空灭弧室的发展趋势作了介绍。     

真空灭弧室工频预击穿特性研究

测量了真空灭弧室的工频预击穿电流 ,分析了预击穿电流的电极效应。发现只有当工频预击穿电流增大到一定临界值范围内时 ,才会导致小开距真空间隙的击穿。对目前应用广泛的 Cu Cr5 0触头材料而言 ,此电流临界值范围为m A数量级     

真空灭弧室发展分析

阐述了真空灭弧室的发展历史及现状,对决定真空灭弧室发展的4个关键技术:触头材料、电弧控制系统、灭弧室结构及灭弧室制造技术进行了分析,同时对真空灭弧室的发展趋势作了介绍。     

大开断电流真空灭弧室触头材料含气量允许值理论判据

本文根据真空灭弧室在开断短路电流燃弧过程中灭弧室内动态压力的变化从理论上推导出触头材料含气量、灭弧室有效容积、触头电弧侵蚀率和开断电流之间的关系,给出了大开断电流真空灭弧室触头材料含气量最大允许值的理论判据。     

低氧Cu—Cr真空触头材料的试验研究

本文总结了采用真空热碳还原法以国产Cr粉为原料制备低氧Cu—Cr真空触头材料的研究试验结果。     

大开断电流真空灭弧室触头材料含气量允许值理论判据

本文根据真空灭弧室在开断短路电流燃弧过程中灭弧室内动态压力的变化从理论上推导出触头材料含气量、灭弧室有效容积、触头电弧侵蚀率和开断电流之间的关系,给出了大开断电流真空灭弧室触头材料含气量最大允许值的理论判据。     

直空灭弧室的耐压特性及其分析

对真空灭弧室的耐压特性进行了分析和研究，包括灭弧室触头间隙及触头和屏蔽罩间隙的耐压特性，探讨了面积效应在真空灭弧室设计中的应用，本文对于改善真空灭弧室的耐压特性及高电压大容量真空灭弧室的开发有重要意义。     

真空灭弧室的耐压特性及其分析

对真空灭弧室的耐压特性进行了分析和研究，包括灭弧室触头间隙及触头和屏蔽罩间隙的耐压特性，探讨了面积效应在真空灭弧室设计中的应用。本文对于改善真空灭弧室的耐压特性及高电压大容量真空灭弧室的开发有重要意义。     

关于高电压等级真空灭弧室研究与开发

总结分析了高电压等级真空灭弧室研究开发的关键问题 (包括真空灭弧室绝缘设计、触头结构和触头间隙纵向磁场、触头材料、真空灭弧室与操动机构配合等 ) ,可为此类灭弧室和断路器研究开发提供参考     

用纵向磁场触头结构的真空灭弧室分断中等短路电流的研究

本文分析了目前几种真空灭弧室的触头结构,探讨了各种不同结构触头的发展前途。对三种不同触头结构真空灭弧室,在同样尺寸条件下,在12.5千安电流时,利用合成回路,进行分断能力试验。同时着重对纵向磁场触头的磁场分布作了测试,证实新设计的纵向磁场触头结构真空灭弧室具有较多的优点和广泛的发展前途。     

碳化钨基真空触头材料除气工艺研究

本文对铜含量２０Ｗｔ％的Ｃｕ－ＣＷ基真空接触器用触头材料残存气体的来源，存在状态进行了分析和推测，提出并实施了相应的除气工艺。研究成功一种气体含量低的Ｃｕ－ＷＣ触材料（ＣＷ－２型）。６ｋＶ等级的真空灭弧室改用ＣＷ－２型触头后，其短路分断电流由２５００－３２００Ａ提高到５０００Ａ以上。     

真空接触器用Cu—W—WC触头材料

本文研究了真空接触器用Cu—W—WC触头材料的化学成份和烧结—熔渗—真空脱气制造工艺。Cu—W—WC材料综合了Cu—W和Cu—WC触头材料的优点。具有分断能力高,耐电腐蚀性好。抗熔焊能力强,截止电流较低的特点。样品装在真空接触器上进行电性能试验。通过了通断5000A 25次,AC4电寿命20万次,截流最大值<4A,平均值<2A。该材料广泛应用于引进的VS317低压真空接触器及国产125A、160A、250A低压真空接触器中,使引进真空接触器用触头国产化,同时提高了国产真空接触器的技术性能和可逆转换运行的可靠性。满足了真空灭弧室采用一次封排新工艺的技术要求。     

真空灭弧室触头材料的多孔骨架烧结工艺分析

本文主要分析和探讨了用浸渍法制造真空灭弧室触头材料的多孔骨架烧结工艺。文中首先阐述了多孔骨架烧结过程的特点,其次论述了多孔骨架烧结的方法和工艺,最后介绍了几种典型金属的多孔骨架烧结,并例举目前常用的CuCr触头材料从Cr粉颗粒烧结多孔骨架直至CuCr合金触头材料的制成过程。     

脉冲大电流下的CuCr触头温度场计算

电器开关触头温度场的研究,对于电器开关的正常运行有着重要意义。文中针对真空灭弧室Cu Cr触头,采用数值分析法,考虑触头材料硬度随温度的变化及触头间的电动斥力,提出了一种导电桥半径在仿真中实时变化的MATLAB算法,得到了触头在脉冲大电流下的瞬态温度场分布,并通过试验验证了仿真的正确性。结果表明,在对大电流的仿真中,对触头硬度随温度变化的考虑是十分必要的,文中提出的算法也是准确有效的。     

触头结构对真空灭弧室开断能力影响的试验研究

<正> 真空断路器的灭弧室外形结构,几乎已典型化,而灭弧室中触头的几何形状及触头材料,则相差很大。近几年来,由于触头几何形状设计改变,开断电流有了较大的突破,在实验室中开断能力已达到200kA以上。为了研究触头结构对真空灭弧室的开断能力的影响,我们对几种不同触头结构的真空灭弧室的开断能力,进行了试验研     

最近日本真空灭弧室的发展趋势和研究活动

本文综述了最近日本在真空灭弧室方面的研究活动，最重要的结果是：１．对阳极 理的新认识是及其在真空灭弧室小型化上的应用；２．小电流电弧上的新及其在电涌现象上的应用；３．低电涌触头材料和高耐电压强度的触头材料的材料；４．对电压才炼的新认识以及新的老炼方法的出现；５．低电涌大电流人灭弧室的研制。     

苏联真空断路器的研制

<正> 苏联对真空灭弧室和真空断路器进行着积极的研究、设计和试验工作。非常重视最佳的触头材料的研究,触头形状的研究和真空灭弧室制造工艺的完善。 真空灭弧室的研制工作主要在全苏电工研究院进行。已完成了高压真空开关厂的建