化学消泡剂在显象管制屏生产中的应用

在显象管制屏过程中,应用消泡剂来消除沉淀液中的气泡,克服倒液时出现的“流粉”现象,提高显象管制屏生产的成品和效率。     

高纯水与紫外线杀菌技术

紫外线杀菌装置在电子工业高纯水制造工艺中得到广泛应用。本文对紫外线杀菌原理、杀菌效果的影响因素、杀菌装置的构造等方面进行了讨论，并介绍了近年来开发的箱内浸水式杀菌装置。     

高纯水与紫外线杀菌技术

紫外线杀菌装置在电子工业高纯水制造工艺中得到广泛应用。本文对紫外线杀菌原理、杀菌效果的影响因素、杀菌装置的构造等方面进行了讨论,并介绍了近年来开发的箱内浸水式杀菌装置。     

大功率发射机高纯水冷却系统设计

发射机中一些大功率器件的强迫液体冷却是一种常用的冷却方式。本文结合实例比较系统地介绍了雷达发射机前向波管加行波管放大链的全密封纯水冷却系统的设计计算等有关问题，提出了全密封纯水冷却系统的设计方法。     

高纯水制备工艺的两点改进

一、凝聚过滤法预处理原水国内外电子工业用高纯水,大多用市政自来水或厂备深井水作为原水来制备.预处理工艺一般仅包括选用各种粗、细及活性炭吸附过滤器,除去原水中各种悬浮颗粒、胶体、有机物、细菌、色素及产生的浊度等.很少用到加药凝聚过滤预处理.     

用于高纯水制备中外压式毛细管超过滤器

本文介绍了外压式毛细管超过滤器的结构、性能，并与内压式毛细管超过滤器进行了对比。外压式毛细管超过滤器完全可以除去７０　以上的胶体、二氧化硅、细菌和内毒素，是适应ＶＬＳＩ需要的最佳终端设备。     

对超高纯水中不挥发剩余物质的监测

对超高纯水中不挥发剩余物质的监测中国电子工程设计院蔡君质电子工业中半导体晶片生产的精细加工已由亚微米进入深亚微米，因此，除了要求专用的加工设备精密化和自动化外，还要求有优质的环境处理设备，它是影响成品生产的重要环节。目前在晶片生产中所采用的洁净室技术...     

兆位电路用高纯水,气和化学试剂的质量控制

本文阐述了高纯水、高纯气和高纯化学试剂的质量对兆位电路的影响,研究了高纯水中颗粒、金属、非金属、细菌以及总有机炭对VLSI性能的影响,研究了半导体器件工艺中氯化氢、氨、氮及硅烷气体中氧、水、二氧化碳、总碳氢化物等杂质对VLSI工艺的影响;研究了化学试剂中杂质对VLSI工艺的影响。     

微量铜-铁对硅片表面污染的初步分析

通过比较微量铜铁单独存在和共存时对p-型硅片表面的污染,采用电化学直流极化和交流阻抗技术以及SEM、EDX和AES等现代表面分析技术,对未污染和受污染的硅片表面进行了初步的研究.结果表明,当氢氟酸溶液中同时含有ppb-水平(10-9)的铜铁杂质时,不但铜会沉积在硅片表面上发生铜污染,而且还导致硅片表面的碳污染,并从电化学极化电阻、元素深度分布和空间电荷效应等方面对硅片表面铜与碳污染进行了初步的分析和讨论.     

黑白显象管制屏材料中痕量铅的测定

本文对黑白显象管制屏材料中的杂质铅,应用巯基棉色谱柱进行分离富集,应用极谱催化波进行测定。对巯基棉色谱柱分离富集铅的条件进行的研究,测定了去离子水,硝酸锶、醋酸钡、有机膜、醋酸丁酯等材料中的痕量铅,加标回收,回收剂在95%～108%。     

微量铜-铁对硅片表面污染的初步分析

通过比较微量铜铁单独存在和共存时对p型硅片表面的污染，采用电化学直流极化和交流阻抗技术以及SEM、EDX和AES等现代表面分析技术，对未污染和受污染的硅片表面进行了初步的研究．结果表明，当氢氟酸溶液中同时含有ppb水平（1e－9）的铜铁杂质时，不但铜会沉积在硅片表面上发生铜污染，而且还导致硅片表面的碳污染，并从电化学极化电阻、元素深度分布和空间电荷效应等方面对硅片表面铜与碳污染进行了初步的分析和讨论．     

M—0405单色管沉淀法制屏配方的探讨

我厂是以生产35SX1B 和44SX1B 黑白显像管为主的厂家,其制屏工艺是为国内同行业厂家普遍所采用的沉淀法。目前,我厂在原有的设备基础上加以改造后,为国外一家公司生产了一批 M-0405单色管,沉屏工艺仍然采用沉淀法。这种方法具有涂层均匀、发光效率高、荧光粉利用率高、对荧光粉的颗粒大小要求不很严格,重复性好等优点。     

硅片背面铜污染的清洗

H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O为半导体芯片生产过程中三种去除硅片背面铜污染的化学清洗液。在单片湿法清洗机上采用这三种化学液对直径300 mm具有类似于实际生产中铜污染的硅片进行了清洗,结果发现H2SO4/H2O2/H2O在清洗过程中不对硅片表面的Si3N4膜产生损伤,但铜污染的去除效率较低;HNO3/HF和HF/H2O2/H2O对Si3N4膜产生微量刻蚀,从而去除扩散至硅片内部铜污染,从而显示出较佳的去除效果。通过比较HF/H2O2/H2O中HF体积分数与Si3N4膜刻蚀深度和清洗后铜原子浓度,HF的体积分数为1.5%时,可以使硅片表面铜原子浓度降至1010cm-2以下,并且Si3N4膜厚的损失小于1 nm。