微电子技术用高纯金属有机化合物的制备问题

研究了制备高纯金属有机化合物的一些问题,讨论了在合成阶段以及采用蒸馏和结晶方法高度纯化金属有机化合物时杂质组份形成的问题。发现了高度纯化金属有机化合物以除去极小悬浮粒子的问题,以及金属有机化合物设备及贮存、运输容器材料的污染作用。当前,在用MOCVD法生产半导体结构材料时,对高纯挥发性化合物发生了兴趣。如     

高纯金属

近年来,高纯、超纯或超高纯金属的发展十分引人注目。本文就什么是高纯、超纯金属的性质、用途、制法、分析等作如下的简单介绍。实际上并没有严格的定义。材料的纯度是随着时代、金属种类、使用目的、金属物性、高纯化技术水平、分析精确度等的不同     

金属有机化合物在材料合成与制备中的应用

1849年英国化学家用有机化合物乙基碘加热金属锌时,产生了一种含Zn、C、H的有毒且极易反应的液态化合物。这是第一次发现这种既是有机物,又含一个金属原子的化合物——二乙基锌,而且它不像大多数金属化合物通常呈结晶固态。自此以后,化学家     

集成电路用高纯金属溅射靶材发展研究

高纯金属溅射靶材是集成电路用关键基础材料,对实现集成电路用靶材的全面自主可控,推动集成电路产业高质量发展具有基础性价值。本文分析了集成电路用高纯金属溅射靶材的应用需求,梳理了相应高纯金属溅射靶材的研制现状,涵盖高纯铝及铝合金、高纯铜及铜合金、高纯钛、高纯钽、高纯钴和镍铂、高纯钨及钨合金等细分类别。在凝练我国高端靶材制备关键技术及工程化方面存在问题的基础上,着眼领域2030年发展目标,提出了集成电路用高纯金属溅射靶材产业的重点发展方向：提升材料制备技术水平,攻克高性能靶材制备关键技术,把握前沿需求开发高端新材料,提升材料分析检测和应用评价能力。研究建议,开展“产学研用”体系建设,解决关键设备国产化问题,加强人才队伍建设力度,掌握自主知识产权体系,拓展国际合作交流,以此提升高纯金属溅射靶材的发展质量和水平。     

制备金属有机化合物的隔氧,隔水操作法

由于大多数金属有机化合物对空气中的水份和氧气十分敏感,如氧化(甚至自燃)、分解等。所以,必须采取特殊的技术进行操作。根据文献介绍,结合我们近几年来的工作经验,对金属有机化合物合成和分析的操作方法介绍如下。一、不稳定金属有机化合物的一般操作方法许多金属有机化合物主要对水、空气、光及热不稳定。为此,对这些化合物要防止     

高纯挥发性元素金属有机化合物的杂质组份

高纯挥发性元素金属有机化合物的杂质组份等继文献［１，２］中所报道的挥发性氯化物和氢化物高纯样品后，本文介绍了展品中的挥发性金属有机化合物样品的杂质组份和数据．展览会上共提供挥发性元素有机化合物（ＯＣ）２８种物质的３５个样品（表１）。其中元素烷基化合物...     

金属有机化合物在制备半导体材料中的应用

简单介绍了金属有机化合物的制备及其在光电薄膜．陶瓷薄膜及纳米级半导体材料中的应用。     

高纯氨中金属颗粒杂质检测方法

通过蒸发捕集法与溶液吸收法两种前处理方法,利用高分辨电感耦合等离子体质谱对高纯氨中痕量金属杂质进行上机检测。实验表明,双聚焦磁质谱对稀氨水中金属杂质方法检出限低达10-12级,对高纯氨中金属杂质方法检测限低于1×10-9 m/m。方法便捷、准确,容易避免前处理污染,可以作为高纯氨中金属杂质检测的有效手段。     

高纯氯气与铝加工技术

概述了高纯氯气对铝加工技术的重要性 ,实践证明 ,铝熔体净化用高纯气体技术指标的优劣对铝材质量影响很大。     

金属有机化合物气相色谱分析研究Ⅰ──二乙基锌的气相色谱分析

报道了用于ＭＯＣＶＤ工艺制备半导材料的前体化合物二乙基锌的直接气相色谱分析方法。研究了二乙基锌及其中的挥发性有机杂质色谱分离特性．同时指出在严格实验条件下，二乙基锌能和一般有机物一样，从色谱柱上很好流出，并保证不分解。     

钌(Ⅱ)金属有机化合物的合成及抗肿瘤活性研究进展

综述了钌(Ⅱ)金属有机化合物的合成和它们在抗肿瘤方面的研究进展,并重点阐述具有"半三明治"结构的环戊二烯基和芳香基钌金属有机化合物的合成、结构和抗癌活性.     

新金属及其复合材料的发展现状与动向

众所周知,材料及材料科学和技术在人类社会的发展中起着极其重要的作用。新材料的突破,往往导致科学技术的飞跃。当今,新材料既是高科技的重要组成部分,又是高科技发展的基础,不少国家在制定发展战略时都把新材料摆在高技术的重要位置。本文主要介绍美国的新金属和金属基复合料。     

金属有机非线性光学材料

本文介绍了非线性光学的简史，非线性光学材料的分类及应用，简述了金属有机非线性光学材料的原理，从分子工程和晶体工程的角度讨论了金属有机非线性光学材料的结构与性质的关系，综述了目前已研究的金属有机化合物和金属有机聚合物的二阶、三阶非线性光学材料，二阶非线性光学材料按目前所做的工作可以分成二大类：一类是含有芳香基或杂环的过渡金属羰基化合物；一类是含有二茂铁基和吸电子基的共轭体系化合物。三阶非线性光学材料的研究工作主要集中在酞菁类的金属配合物上，本文对金属有机化合物作为非线性光学材料的独特之处进行了总结，并对金属有机非线性光学材料的前景作了展望。     

高纯金属镝的制备

为制备高纯度稀土金属Dy以适应高科技发展的需求,在钙热一次还原法生产的Dv-4,Dv-8的基础上,用中频感应炉进行二次精炼和真空蒸馏,并对工艺进行优化选择得出,二次精炼温度为1450℃,保温40 min最适宜;真空蒸馏1 500℃～1 530℃,保温8 h最佳.用此工艺所制备的金属Dy的纯度超过国标高纯度Dv-1和Dv-2的要求,接近国外高纯Dy的先进技术指标.     

高纯难熔金属及其合金单晶的发展

介绍了难熔金属及其合金单晶的制备技术,对电子束悬浮区域熔炼技术和等离子弧熔炼技术进行了比较。电子束悬浮区域熔炼法温度梯度易于控制、材料不受坩埚材料污染,但熔体表面张力对活性杂质和温度梯度敏感性高,所能制备的高纯难熔金属及其单晶材料尺寸规格受到很大限制,且材料内部位错密度较高。等离子弧熔炼法加热源能量密度高,原料规格形式多样,可制备单晶棒材、板材、管材及其他特定形状的单晶铸件,可最大程度地去除杂质元素(尤其是C元素),但设备系统复杂,单晶材料位错密度大。讨论了单晶材料发展现状,通过固溶强化可进一步提高材料的高温性能及其稳定性。单晶管材的制备也是一个发展方向。此外还对单晶材料制备技术和发展前景提出了一些建议。     

高纯金属有机化合物(MO源)研制新进展

高纯金属有机化合物(MO)可作为六类高新材料的原材料。MOCVD(金属有机化学汽相淀积)和CBE(化学分子束外延)工艺所需的MO源(Source)和掺杂剂是其主要用途之一。     

高纯难熔金属及其合金单晶的发展

介绍了难熔金属及其合金单晶的制备技术,对电子束悬浮区域熔炼技术和等离子弧熔炼技术进行了比较。电子束悬浮区域熔炼法温度梯度易于控制、材料不受坩埚材料污染,但熔体表面张力对活性杂质和温度梯度敏感性高,所能制备的高纯难熔金属及其单晶材料尺寸规格受到很大限制,且材料内部位错密度较高。等离子弧熔炼法加热源能量密度高,原料规格形式多样,可制备单晶棒材、板材、管材及其他特定形状的单晶铸件,可最大程度地去除杂质元素（尤其是C元素）,但设备系统复杂,单晶材料位错密度大。讨论了单晶材料发展现状,通过固溶强化可进一步提高材料的高温性能及其稳定性。单晶管材的制备也是一个发展方向。此外还对单晶材料制备技术和发展前景提出了一些建议。     

高纯气体输送管路的防污染措施

由于微粒污染对高纯气体的重要影响，本文从系统设计、材料选择、配管技术等方面介绍了控制微粒污染的方法。