半导体导电型号非接触式测量方法

本文论述非接触式半导体P/N型判别方法。把红外光脉冲照射在半导体单晶的样片上,以产生光电动势,利用P型半导体和N型半导体所产生的光电动势的极性不同,可以判别其导电型号。     

碳化硅单晶生长及其应用

碳化硅(SiC)可以说是半导体中最老的化合物半导体,长期以来被用作避雷器及可变电阻材料。由于它的禁带宽度大以及通过掺杂可容易进行 p 型和 n 型两种导电型的控制,将其用作可见发光(尤其是蓝色等短波长发光)元件材料具有很高的吸引力。另外,SiC 具有很好的热、化学性能和很高的抗放射性能力,故很早就被人们期望用作能在苛刻环境下使用的电子元件材料。结晶的 SiC,以 Si 和 C 原子间距0.189nm的 SP~3混成轨迹的共价键为主,但由于电负度的差异,其离子性约占12%,且由于原子最密充填时产生的重迭差,存在各种结晶形     

电子设计工程师认证综合知识辅导讲座(7) 第四讲 半导体器件(上)

<正> 一、半导体二极管 (一)问答题 1、何谓半导体?常用的半导体材料有哪些?它们有何特点? 2、何谓本征半导体?它有什么特色? 3、何谓N型半导体?N型半导体中的多数载流子(多子)是什么?少数载流子(少子)是什么? 4、何谓P型半导体?P型半导体中的多数载流子(多子)是什么?少数载流子(少子)是什么? 5、N型或P型半导体中的多数载流子与少数载流子的数量与什么因素有关? 6、何谓PN结?它有何特性? 7、何谓载流子的扩散?何谓载流子的漂移? 8、何谓半导体二极管?共阴极、阳极     

用于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的掺杂技术

<正>据日本《电子材料》1992年第11期报道,日本三洋电机公司在世界上率先开发新的杂质扩散技术,即在GaAs为主的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体上,在低温及短时间内重新形成n型和p型导电层。该技术在半导体上用等离子体CVD法沉积氧化硅膜和氮化硅膜,这种片子经过短时间热处理,把SiO_x中的Si扩散到半导体中,在高浓度下重新形成薄的导电层(n型和p型)。可在片子的整个表面和凹凸部(腐蚀孔)等处,在不同形状(亚微米图形到大面积图形)下,任意选择形成导电层。该技术可控制膜的折射率和腐蚀速度,其措施如下;(1)SiO_x下层膜,硅和氧的比例超过1:2,富含Si(2)Si _xN_y上层膜,使晶体中的As等Ⅴ族原子不向外界扩散。     

电子设计工程师认证综合知识辅导讲座(8) 第四讲 半导体器件(下)

<正> 二、半导体三极管和场效应管(一)问答题1、何谓双极型晶体管(BJT)?2、何谓NPN型半导体三极管?何谓PNP型半导体三极管?它们的导电载流子有何区别?3、何谓BJT三极管的β值?何谓α值?二者有何关系?4、同一个BJT三极管的β值是一常数吗?其值与什么参数有关?     

常用元器件的识别与使用（五）用途广泛的晶体二极管

晶体二极管简称二极管，它和晶体三极管一样都是由半导体材料制成的。所谓半导体，是指导电性能介于导体和绝缘体之间的一类物质，常用的半导体材料有硅和锗。我们常听说的美国硅谷，就是因为起先那里有很多家半导体厂商。     

新型半导体光电材料—CVD金刚石

综述了近年来 CVD 金刚石作为新型半导体光电材料的研究进展。主要包括:p型、n 型掺杂 CVD 金刚石的制备和性能;CVD 金刚石的发光特性;由 CVD 金刚石制备的发光器件。指出了目前 CVD 金刚石工业也所急待解决的一些问题。     

过渡金属氧化物半导体薄膜的光子学特性及其应用

本文概述了３ｄ族过渡金属氧化物半导体光电子薄膜的特性及其应用。由于这些氧化物半导体薄膜的特殊结构使它们具有结构相变、导电相变或磁性相变，并且在相变前后的光学、电学和磁学性质发生跃变，使它们成为制备相变型光盘介质的极有价值的材料，另外，因其具有宽的禁带和明显变化的光电导特性，所以在可见光和近紫外光探测及太阳能电池等方面显示了极大的应用前景。     

Fraunhofer研究所的“n型”单晶硅太阳能电池效率达到23．4％

德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所（FraunhoferISE）宣布,该机构研制的以n型半导体为底板,然后在其上面形成较薄的P型半导体层的单晶硅太阳能电池,其能量转换效率达到了23.4％。太阳能电池单元面积为2cm见方。FraunhoferISE有可能量产该款电池,并参与三洋电机等公司推进的提高结晶硅类太阳能电池效率的竞争。     

半导体导电陶瓷的研究

半导体导电陶瓷的研究薄占满（天津大学材料科学与工程系，天津３０００７２）ＳｎＯ＿２制成的导电陶瓷能否耐强酸腐蚀，至今尚未见报导，且ＳｎＯ２熔点很高，难以烧结成瓷，本文对烧结温度低的半导体导电陶瓷及其耐酸能力进行了研究。采用试剂纯ＺｎＯ，ＣｕＯ作为加入...     

日益丰富的半导体材料

半导体材料应用广泛 ,是信息技术和产品发展的“粮食” ,对信息产业的发展速度起着举足轻重的作用。经过几十年的探索 ,半导体材料已从单元素发展到两元或多元化合物 ,从常用的几个品种发展到性能各异的几十个品种 ,而且半导体材料研发方面的深度和广度也在不断加强 ,新材料、新技术正在不断涌现 ,未来的发展空间极大。1　传统半导体材料　应用前景依然广阔半导体材料是指电阻率介于典型的金属和典型的绝缘体之间 (10 - 2 ～ 10 7Ω·ｃｍ) ,导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。在电子器件中 ,常用的半导体材料有 :元素半导体 ,如硅 (Ｓｉ…     

采用砷化镓场效应晶体管的18千兆赫前置放大器

引言砷化镓金属半导体场效应晶体管(MESFET)比双极晶体管噪声低,增益高,适用于高至20千兆赫左右频率下的低噪声前置放大器。金属半导体场效应晶体管的特性金属半导体场效应晶体管由高阻衬底上的薄导电层构成。N 型导电层包括源和漏两个欧姆接触以及栅的整流接触。图1示出的砷化镓金属半导体场效应晶体管中,1×200微米的栅     

用于大功率半导体激光器的新型焊料

在大功率半导体激光器列阵及叠阵的组装中,焊料的选择是极其关键的,因为焊料直接参与对激光器的导电、导热激光器所需的电流全部从焊料通过,而半导体激光器列阵或叠阵工作时电流是很大的,可达50A～100A。同时半导体激光器工作时产生的热量非常大,如焊料的导热性不好,由于电流的热效应,就会在焊料上产生巨大的热量,使焊料熔化。文中研制了一种新型的焊料,这种焊料在两层铟之间蒸镀几层金,焊料由钨/镍/金/铟/铜等多层金属构成。利用这种焊料研制出脉冲功率达100W的半导体激光器列阵。     

半导体碳纳米管的长度分选及其薄膜晶体管性能研究

半导体型碳纳米管薄膜的高质量制备及其优化对于碳纳米管基电子器件具有重要意义.其中半导体型碳纳米管的长度是影响薄膜质量的重要因素之一.文章通过聚[9-(1-辛酰基)-9H-咔唑-2,7-二基](PCz)成功制备了高纯度半导体型碳纳米管溶液,经过循环沉积工艺,高效地降低了分散液中的短碳管含量,有效地提升了半导体型碳纳米管的平均长度,在此基础上通过标准工艺成功制备了高性能碳纳米管薄膜晶体管.结果显示,优化后的长碳纳米管溶液制备的薄膜晶体管具有优异的电学性能,其开关比高达107,迁移率高达34 cm2·V-1·s-1,比相应的短管性能提升了 3倍.     

低电压氧化锌压敏电阻器

叙述了压敏电阻器的特性、微观结构、导电机理。分析了实现低电压氧化锌压敏电阻器的方法——增大氧化锌半导体瓷晶粒直径和压制厚度很薄的氧化锌半导体瓷片。探讨了低压氧化锌独石型、薄膜体型压敏电阻器的主要特性和其制造工艺的关键技术。     

离子注入高分子材料的研究动态及应用

离子注入聚合物(在一定的能量和一定的剂量),可引起聚合物电导率增加几个到十几个数量级.利用这个特性,可制作导电图样,制作连线,制作p型半导体材料和n型半导体材料,制作pn结,制作二维和三维集成电路互连接.离子注入聚合物还使聚合物的颜色加深,光吸收增加,可制作有机太阳能电池.离子注入聚合物还引起聚合物力学、磁学、光学性质发生变化.     

ADI公司发布创新的iCMOS 圃旃ひ

ADI日前发布了一种创新的半导体制造工艺—iCMOS^TM(工业CMOS)，它将高电压半导体工艺与亚微米CMOS(互补金属氧化物半导体)和互补双极型工艺相结合，使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面达到了空前的水平。     

运算放大器可实现带宽增倍与噪声减半

场效应晶体管简称FET，其主要利用场效应原理工作。场效应即改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中的多数载流子的密度或类型。与双极型晶体管相比，FET的特点是输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小、温度性能好、抗辐照能力强、多功能和制造工艺简单等。FET已广泛用于各种放大电路、数字电路和微波电路等，     

硅基异质结n-SiOxNy/n-Si二极管的I-V特性分析

n-SiOxNy是硅上热生长的超薄绝缘SiOxNy薄膜在电、热应力作用下形成的一种具有双施主型掺杂的宽带隙(Eg=9eV)n-型半导体材料.随着施加电应力时的环境温度的增加,n-SiOxNy的形成效率显著增加.其形成时间的对数lnt随着应力电压、应力环境温度的增加而减小并呈近似的线性关系.n-SiOxNy中的双施主能级是一种施主型的双缺陷能级,当电应力引导的施主缺陷密度达到1.26×1020cm-3时,SiOxNy,绝缘薄膜呈现n型半导体导电特性.在n-Si或p-Si衬底上形成的硅基异质结n-SiOxNy/n-Si或n-SiOxNy/p-Si二极管的I-V特性具有饱和性质,在电压大于1V的电压区,I-V特性可以用1eV势垒的FN隧道机制来描述.当衬底Si的掺杂增加时,势垒高度下降.     

静态存储单元电路设计工艺的研究

论述了静态存储单元电路对目前高速数字系统的意义。通过采用对双极型(Bipolar)、互补对称式金属–氧化物–半导体型(CMOS)、双极互补金属氧化物半导体型(BiCMOS)三种不同工艺所设计的静态存储单元电路在性能、特点方面进行比较的方法,从而提出一些实际的解决措施,以便研发人员在设计具体的SRAM电路时有所参考。