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到目前为止,性能不断迅速提高的透明氧化物半导体全部都是n型半导体(由电子导电).而对p型半导体(由空穴导电)来说,尽管许多工程师在很久以前就进行了开发,但取得的成果却没有n型半导体那么多. 相似文献
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王林 《电子产品可靠性与环境试验》1996,(5):32-37,60
半导体器件的可靠性在很大一部分程度是取决于产品的可靠性设计。在产品的开发研制过程中,必须合理地采用可靠性设计技术和工程方法才能有效地提高产品的可靠性,以保证产品的可靠性指标。只有在器件设计时就奠定可靠性基础.才能实现产品的高可靠。本文是本人参阅有关技术资料及自己多年的实际工作经验和生产中的具体问题、数据及结果整理而成,可供从事双极型电路设计的人员作参考。双极型半导体集成电路的可靠性设计分为以下几个方面:(1)可靠性目标;(2)设计标准化;(3)线路设计;(4)版图设计;(5)工艺设计;(6)结构设计;(7)可靠性试验及失效分析;(8)设计评审。 相似文献
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本文从单晶硅材料的某些性质和压阻原理出发,对硅扩散型半导体压力传感器的光刻掩模版设计进行了较为全面地探讨,从而提出五种方案。文中还指明了某些使用条件下的最佳方案。 相似文献
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光MOS继电器是一种半导体继电器(SSR),它分别用LED替代机械式继电器的线圈,用功率MOS场效应管替代继电器的触点。也就是说,它是一种将LED与光电元件进行光电耦合,并用光电元件产生的光生电压使输出端的功率MOS场效应管工作的器件。 本文主要介绍一种薄型封装(3.7mm/3.9mm),容量为2A的PD型光MOS继电器。 器件特点与原理 以往的普通型半导体继电器由于在输出端使用了双极型晶体管或者三端双向可控硅元件,因此它会产生偏旨电压,致使无法控制小于几百毫伏的微电压或模拟信 相似文献
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GM—101型自动滚磨机电子工业部第45研究所刘文平,田惠兰前言用直拉法或者区熔法提拉单晶时,籽晶杆周围由于温升和热量梯度造成杂质表面扩散等原因,使晶体内部和表面存在特性差异,提拉速度和多晶熔融温度不均匀造成单晶棒直径不匀,这就需要滚磨以便将单晶表面... 相似文献
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碱锑型光电阴极非晶特性研究及Cs的体作用 总被引:1,自引:1,他引:0
本文从迁移率涉及的单晶理论的局限出发,对碱锑型光电阴极建立了类似于非晶半导体的能带结构模型。用MottDavis的电导理论首次成功地解释了这类光电阴极的的电导特性,并用晶界间悬挂键的补偿作用解释了Cs的体积作用这一困惑很久的问题。文中得出几种碱锑阴极非晶特性强弱(有序度)的结果是自洽性的。这种类非晶模型对长期以来碱锑型光电阴极的晶态理论作出了修正,对碱锑光电阴极的认识和发展具有重要的意义。 相似文献
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