透明导电氧化物薄膜研究的新进展

透明导电氧化物(TCO)薄膜因其良好的光电性能,在光电器件上应用广泛,且已成为研究热点.p型TCO薄膜的出现开辟了透明导电氧化物研究的新领域,红外透明导电氧化物薄膜拓展了TCO薄膜的应用范围.该文综述了近几年p型TCO薄膜的研究进展,并简单介绍了新兴的红外透明导电氧化物薄膜的研究进展.     

柔性透明导电氧化物薄膜的制备及其应用

柔性透明导电氧化物薄膜以其重量轻、不易碎、成本低等独特的优点而备受青睐,在塑料液晶显示、可折叠太阳能电池等领域得到广泛的应用.文章介绍了目前制备柔性透明导电氧化物薄膜的主要技术及其优缺点,总结了近年来对柔性衬底的处理方法,最后对柔性透明导电氧化物薄膜在各个领域的开发应用和未来的重点研究方向进行了展望.     

使用透明氧化物的紫外发光二极管

日本科学技术振兴事业团在世界率先研制成功使用透明氧化物的紫外发光二极管。很久以前，透明氧化物导电体ITO（氧化铟锡）就已实用化，作为透明电极材料在液晶显示等领域广泛应用。可是，透明氧化物作为光电子材料尚未成熟。透明氧化物只有n型导电性，没有p型导电性。该研究小组最近在世界率先发现几个p型透明氧化物导电体，并以此为基础挑战发光二极管。实验中，p型半导体用SrCu2O2(SCO)，n型用ZnO（氧化锌）。ZnO具有大的禁带宽度，作为紫外发光材料是已知的。用它实现电子束激励和光激励的激光振荡已有报道，但还没有用电流注入实…     

光功能透明玻璃陶瓷研究

透明玻璃陶瓷是由纳米晶与氧化物玻璃相组成的复合材料,当掺杂的发光中心(稀土或过渡族金属离子)进入纳米晶相时,该材料综合了纳米晶相优越的光学特性和氧化物玻璃基体良好的力学性能与化学稳定性,在光通讯、光显示、光伏电池等领域具有重要应用前景.主要介绍透明玻璃陶瓷材料制备技术、结构与性能等方面的研究进展,以及相关材料的应用前景;简要介绍我们在这领域开展的一些工作和进展.     

P型透明导电材料及器件应用研究进展

基于透明器件广阔的应用前景,P型透明导电材料及器件应用成为该领域研究的热点,并在近年来取得了令人瞩目的进展.综述了P型ZnO基氧化物、P型含铜氧化物、P型硫族化合物等透明导电材料及其器件应用的研究现状,重点介绍了近年来出现的P型掺杂的新方法、新机制及新材料的性能,并指出了今后的发展趋势和研究重点.     

下一代电子纸将率先利用透明TFT提高清晰度

TFT通常用于驱动电子纸、LCD、有机EL显示屏等,作为TFT的材料,透明氧化物半导体受到了各显示屏生产厂商的瞩目.     

可以结合使用n型非晶氧化物与p型有机半导体

在实际应用方面,同ZnO相比,透明非晶氧化物半导体(TAOS:transparent amorphous oxide semiconductors)很可能较早地用于显示屏的驱动TFT等.     

软印刷法便捷制备非晶Zn-Sn-O场效应晶体管

在柔性透明电子学领域,非晶氧化物半导体是场效应晶体管的关键材料.采用了一种简单、低成本的方法,即软印刷技术制备高性能的锌锡氧化物Zn-Sn-O(ZTO)底栅型场效应晶体管(FETs).利用自组装单分子膜(SAM)进行微接触印刷,制备了铟锡氧化物(ITO)源漏电极和ZTO晶体管沟道材料.柔性聚合物印章被用于SAMs的图形...     

低温磁控溅射制备CdS薄膜的结构和光学特性

用磁控溅射的方法在透明导电氧化物衬底上制备了CdS薄膜,制备时的衬底温度为30~200℃.X射线衍射测试结果表明在这一条件下制备的CdS薄膜是六角纤锌矿的多晶结构.扫描电子显微镜结果显示薄膜具有较好的晶体质量,这一结论也和拉曼光谱、紫外-可见吸收光谱、光致发光光谱的结果一致.拉曼光谱显示CdS薄膜内部的压应力随着制备温度的提高而增大.     

紫外光辐照产生透明导体

东京技术研究所和日本科技公司的一个小组将绝缘氧化物转变成透明电导体。其方法是在富氢气氛下,通过加热将氢离子注入氧化物晶格结构。用氙灯发出的紫外光照射,使氧化物成为永久导体。     

AZO透明导电薄膜的制备技术、光电特性及应用

AZO透明导电薄膜是一种半导体氧化物薄膜材料,具有高的载流子浓度和较大的光学禁带宽度,因而具有优异的光电性能,极具应用价值.本文介绍了AZO透明导电薄膜的晶体结构和光电特性,综述了国内外对AZO薄膜所开展的研究工作,并简要地介绍了AZO薄膜的实际应用.     

透明导电薄膜最佳掺杂含量的理论计算

分析了几种氧化物半导体透明导电薄膜材料的掺杂改性的实验结果,建立了薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系,并给出了一个能够拟合实验曲线的抛物线方程.该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系,进而导出了一个最佳掺杂含量表达式.应用此表达式定量计算了铝掺杂氧化锌薄膜、锡掺杂氧化铟薄膜、锑掺杂二氧化锡薄膜等氧化物半导体透明导电薄膜材料最佳掺杂剂在不同制备方法下的最佳掺杂量.结果表明定量计算的结果与部分实验数据相符合.     

透明导电薄膜最佳掺杂含量的理论计算

分析了几种氧化物半导体透明导电薄膜材料的掺杂改性的实验结果,建立了薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系,并给出了一个能够拟合实验曲线的抛物线方程.该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系,进而导出了一个最佳掺杂含量表达式.应用此表达式定量计算了铝掺杂氧化锌薄膜、锡掺杂氧化铟薄膜、锑掺杂二氧化锡薄膜等氧化物半导体透明导电薄膜材料最佳掺杂剂在不同制备方法下的最佳掺杂量.结果表明定量计算的结果与部分实验数据相符合.     

磁控溅射NiO/ZnO透明异质结二极管及其光电特性研究

采用磁控溅射方法在ITO玻璃基板上沉积NiO,ZnO,AZO三层透明氧化物薄膜,成功制备了NiO/ZnO透明异质结二极管.实验结果表明,PN结展示出明显的I-V整流特性,正向开启电压1V;在氙灯光照条件下,二极管反向电流在5V偏置时,达到1.5 mA.二极管在可见光的平均透过率约为25%.     

采用纳米管制作柔性透明导体

一种采用碳纳米管制作的柔性、透明导电涂层不仅有望加快柔性显示器和电子纸张的开发进程，还可以取代锡化铟氧化物(indium-tin-oxide，ITO)而作为一种可选的透明导体。     

透明氟氧化物玻璃陶瓷研究进展

氟氧化物玻璃陶瓷由于兼具氟化物与氧化物的优点，成为人们最近研究的热点。概述了透明氟氧化玻璃陶瓷近十年的研究进展，在材料的制备、性质的研究等方面进行了阐述，并对其前景进行了展望。     

基于氧化铟锡主动超表面的相位调制

透明导电氧化物由于特殊的光学性能,已经被广泛地运用于光电器件中.在近红外波长范围内,其介电常数实部将从正转变为负.在介电常数近零(ENZ)区域中,光与物质之间将产生强相互作用,由此将有望实现较宽的相位调制.采用基于氧化铟锡(ITO)的金属-氧化物-半导体电容器(MOS)结构,通过施加0～5 V的偏置电压,对界面附近1 ...     

PV产业的进展带动相关金属的应用

NanoMarkets（弗吉尼亚州，Glen Allen）发布了一系列关于光伏产品中金属应用的报告，其中的一篇指出，在透明电极铟锡氧化物（ITO）中使用金属铟和锡的传统方法已经过时，而锡的氧化物正日渐走俏。     

p型透明半导体开拓出新的道路可能会替代多晶硅

到目前为止,性能不断迅速提高的透明氧化物半导体全部都是n型半导体(由电子导电).而对p型半导体(由空穴导电)来说,尽管许多工程师在很久以前就进行了开发,但取得的成果却没有n型半导体那么多.     

银纳米线复合透明电极在太阳能电池中的应用

正近年来,银纳米线透明电极技术引起了广泛关注,它有希望替代通用的铟锡氧化物(ITO)透明电极,广泛地应用于光电技术相关领域。介绍一种基于银纳米线和金属氧化物复合结构的透明电极技术,并将其成功地应用在有机聚合物光伏器件和无机CIGS薄膜光伏器件中,所实现的器件性能可以与基于ITO透明电极的器件性能相媲美。