半导体物理

Y2000-62422-48 0103656高剂量 SIMOX 硅片 SOI-BOX 界面局域能量陷阱态分析=Evidence of energetically-Localized trap-states at SOI-BOX interface in high-dose SIMOX wafers[会,英]/Ushiki,T.& Kotani,K.//1999 IEEE InternationalSOI Conference Proceedings.—48～49(EC)Y2000-62422-52 0103657绝缘体上硅 MOS 场效应晶体管中的栅极二极管:用     

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Y98-61303-3 9904478多媒体:半导体技术的前景及影响=Multimedia:futureand impact for semiconductor technology[会,英]/Sasak-i,H.//1997 IEEE International Electron Devices Meet-ing.—3～8(AG)     

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Y99-61712 99150621998年 SPIE 会议录,卷3277:半导体中的超速现象=1998 proceedings of SPIE.Vol.3277:Ultrafast phenom-ena in semiconductors[会,英]/SPIE-the InternationalSociety for Optical Engineering.—Bellingham,WA,1998.—316P.(EG)本会议录报道了在1998年1月28日至29日在美国圣何塞市召开的半导体中超速现象专题研讨会上发表的34篇论文。主要涉及半导体和超晶格中的相干效应;体与低维量子结构中超速光处理,超块激光与器件,半导体、超晶格和微空腔中非线性动态响应等内容。     

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2001987BiCMOS 结构中阱特性的研究[刊]/鲍荣生//微电子学.—1999,29(5).—331～335(AC)2001988重掺杂 P 型 Si_(1-x)Ge_x 层中少数载流子浓度的低温特性[刊]/张万荣//微电子学.—1999,29(5).—311～313     

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Y2001-62925-185 0208110浅掺杂对多级深掺杂稳态概率函数的影响=Iuflueuceof shallow impurity on steady-state probability function ofmultilevel deep impurity[会,英]/Divkovic Puksec,J.//2000 IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference,Vol 1 of 3:Regional Communication and InformationTechnoloy.—185～188(E)     

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0617058Ta2O5/ZnO绝缘体-半导体界面研讨=Investigationson Ta2O5/ZnO insulator-semiconductor interfaces〔刊,英〕/S.K.Nandi,W.-K.Choi//Electronics Letters.—2002,38(22).—1390(E)0617059ZnO同质p-n结的研究〔刊,中〕/杨晓杰//真空科学与技术学报.—2006,25(增刊).—101-104(L)调节反应气体中O2的比例和RF电源的功率可以增加本征施主V0的形成焓,降低本征受主Vzn和Oi的形成焓,制备出p型ZnO薄膜;采用掺杂金属Al制备出低电阻n型ZnO薄膜,在此基础上得到性能可观的ZnO同质p-n结。参250617060DMCPS电子回旋共振等离子体沉…     

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SPIE-Vol.3624 01002361999年 SPIE 会议录,卷3624:半导体中的超快速现象(Ⅲ)=1999 Proceedings of SPIE,Vol.3624:ultrafastphenomena in semiconductors Ⅲ[会,英]/SPIE-the In-ternational Society for Optical Engineering.—1999.—298P.(PC)本会议录收集了于1999年1月27～29日在美国加州圣何塞召开的半导体中的超快速现象专题讨论会上发表的33篇论文。内容涵盖超快速载流子与激子动态特性,非线性光学效应,光学激发的相干动态特性,宽带隙半导体中的超快速现象,器件和激光器中的     

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Y2000-62067-438 0016154通过电流瞬态 InMOS 电容器确定载流子生长寿命=Determination of carrier generation lifetime via currenttransient InMOS capadtor[会,英]/Kong,F.& Lau,M.//1998 IEEE Intemational Conference on Phtoelec-tronic and Microelectronic Marerials and Devices.—438～441(EC)     

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Y98-61303-313 9905750MOSFET 畸变分析用的准确漏电导率建模=Accuratedrain conductance modeling for distortion analysis inMOSFETs[会,英]/van Langevelde,R.& Klaassen,F.M.//1997 IEEE International Electron Devices Meet-ing.—313～316(AG)Y98-61303-337 9905751神经微电子学=Neural microelectronics[会,英]/Shiba-ta,T.& Ohmi,T.//1997 IEEE International ElectronDevices Meeting.—337～342(AG)无论当今使用的计算机功能如何强大,数字系统仍不能对许多实际事件实时地作出响应。虽然现在利用反应较慢的化学晶体管已建造出了生物系统,但是,     

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高能粒子辐射掺锗直拉硅中锗可以在硅的晶格结构中产生膨胀场,其引起的附加势能使邻近的空位、间隙原子的周期性的运动势场发生变化,从而锗作为湮灭中心,增大了空位与间隙原子的复合率。参4     

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Y2002-63436-1 0319699研究学生交换合作建议=Research Student exchangeconsortium pmposal[会,英]/Morris,J.E.//2001 IEEEInternational Spnng Seminar on Electronics Technologyand Concurrent Engineering in EIectronic Packaging.—1～6(E)     

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Y2002-63423-412 0314224少数载流子传送的全注入电平传输线模型=All injec-tion level transmission line model of minority-carriertransport[会,英]/Pesic,T.＆ Karamarkovic ,J.//IEEE Region 8 EUROCON’2001-Intemational Confer-ence on Trends in Communications.Proceedings Vol.2/2.—412～415(HE)     

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0608810单根碳纳米管场致发射表面电荷分布研究〔刊,中〕/刘金平//固体电子学研究与进展.—2005,25(4).—432-436(D)0608811基于光外差微波试验的半导体光指数变化测量=Measurement of semiconductor optical index variation inphotonic devices based on optical heterodyning microwaveexperi ments〔刊,英〕/S.Dupont,K.Blary//ElectronicsLetters.—2003,39(3).—295(E)0608812遭受静电放电电流的雪崩结精确电-热模型=Accurateelectro-thermal model of avalanching junctions subject toESDcurrents〔刊,英〕/L.Codecasa,D.D’…     

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Y98-61442-393 9907332采用有图微通路插人物的高密度多层衬底=Highdensity multilayer substrates using patterned microvia in-terposers[会,英]/Matijasevic,G.& Gallagher,C.//1998 IEEE Aerospace Conference Proceedings.Vol.1 of5.—393～398(PV)     

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Y98-61420-16 9913104适于多兆比特网络业务的半导体技术=Challenges insemiconductor technology for multi-megabit network ser-vices[会,英]/Nakamura,M.//1998 IEEE InternationalSolid-State Circuits Conference(Technical Digest).—16～21(HG)     

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010195像散透镜对高斯光束的变换特性[刊]/季小玲//强激光与粒子束.—2000,12(4).—397～400(D)基于广义惠更斯-菲涅尔衍射积分.并考虑了像散的影响,对高斯光束通过像散透镜后的传输特性作了解析研究.以光束传输因子和桶中功率为参数分析了像散高斯光束的光束质量.并以数值计算例子加以说明。参5SPIE-Vok.3631-3 0101955光电子学应用与基础结构(含3篇文章)=Session 1:optoeleetrortics applications and infrastructure[会,英].—3～26(PC)     

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Y2000-62067-106 0009248用传输电子显微术确定量子点轮廓=Transmissionelectron microscopy determination of quantum dot profile[会,英]/Liao,X.Z.& Zou,J.//1998 IEEE Interna-tional Conference on Optoelectronic and MicroelectronicMaterials and Devices.—106～108(EC)     

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Y2002-63306-314 0307140N 型与 P 型磷化铟表面受 Franz-Keldysh 效应的影响=Influence of a surface on the Franz-Keldysh effect inN-and P-type Indium phosphide[会,英]/Sakai,M.&Kurayama,T.//2001 IEEE International Conference onIndium Phosphide and Related Materials.—314～317(E)     

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IELDVD060:9322:29630-157 0600392 采用TiN门电路的HfSiON PMOSFET的热载流子置信度=Hot carrier reliability of HfSiON PMOSFETs with TiN gate[会,英]／Sim,J．H．／／Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits,2004．IPFA 2004．Proceedings of the 11th International Symposium on the．- 157-160(A) Study of the hot carrier(HC)stress of short channel PMOSFETs with the HfSiON gate dielectric and TiN gate electrodes demonstrated greater degradation of high-     

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0622894量子信息中量子态的矩阵表示[刊,中]/张登玉//衡阳师范学院学报．—2006,27(3)．—26-31(G)用矩阵表示量子信息中的量子态便于进行量子并行计算。本文以矩阵及变换理论为基础,对纯态、混合态、缠绕态及量子相干叠加态的矩阵表示进行分析,所得结果有助于加深理解量子理论。参10 0622895抛物量子点中弱耦合束缚磁极化子的性质[刊,中]/陈英杰//固体电子学研究与进展．—2006,26(2)．—152- 156(D)采用线性组合算符和幺正变换方法研究了抛物量子点中弱耦合束缚磁极化子的振动频率和基态能量,并对其进行了数值计算。结果表明：束缚极化子的振动频率随有效受限长度的增加而减小,随库仑束缚势和回旋共振频率的增加而增加；束缚磁极化子的基态