晶体管电路及设备的温度补偿

本文主要介绍采用热敏电阻对晶体管电路和设备温度特性进行补偿的一种设计方法,其具有设计简单,效果良好,是晶体管电路工程设计中值得推广的一种设计方法,本文详细地叙述了设计原理和步骤.给出了计算公式和实例.     

晶体管线性电路的“e-b结温度补偿”法

对晶体管线性电路增益的温度敏感性,目前大多采用热敏电阻来作温度补偿。本文针对热敏电阻补偿法存在的种种不可克服的缺点,提出称之为e-b结补偿的方法。这个方法基于控制e结动态电阻r_e的热敏特性,从而可以利用r_e本身来代替外接热敏电阻,达到温度补偿的目的。 本文导出了控制r_e热敏特性的数学模型(为一超越方程),给出我们在某雷达中放上的一个实际使用例子的计算数据,结果说明这个方法是行之有效的。     

晶体管补偿放大器

附图所示的电路,是一种晶体管高增益的补偿放大器电路.具有下列优点:输入阻抗高(220千欧),输出阻抗低(60欧),在很宽的温度范围内(-55～+100℃)运用状态稳定.放大器的电压增益K为6.25,亦可用下列公式计     

温度补偿型光纤光栅加速度传感探头结构设计

采用可调光纤F-P滤波器技术设计了一种光纤光栅加速度传感系统。提出了一种温度补偿型光纤光栅加速度传感探头,探头弹性系统主要有惯性质量块、双弹簧片、钢管等组成。探头采用不受力光纤光栅法进行了温度补偿。该探头具有结构简单,不受电磁干扰,不受光路功率波动和相位噪声影响等优点,且能自动进行温度补偿。     

石英谐振加速度计低温漂结构设计及温度补偿

温度影响加速度计的性能,误差来源主要由石英材料及封装工艺产生的热应力引起。针对加速度计温度漂移现象,该文介绍了集成式石英谐振加速度计低温漂结构设计和补偿方法。首先通过对称的差分结构消除一阶温度系数,并进行工艺优化,降低封装工艺对谐振器产生的热应力;其次采用随机森林拟合算法建立温度模型来补偿加速度计的温漂。在-20～80℃温度范围内对加速度计样机进行温漂测试,结果表明,工艺优化及补偿后的样机偏置稳定性提高了一个数量级。     

高压功率晶体管的纵向结构设计

本文给出高压功率晶体管的纵向结构设计，可以为器件的工艺设计提供依据，以及选择实施的工艺方案。     

温度补偿晶体振荡器

由于温度补偿晶振具有体积小、重量轻、耗电省和开机时间短等优点,近年来获得了广泛应用。本文较详细地讨论了温补晶振的补偿原理,又从模拟温补晶振、数字温补晶振、微处理器温补晶振三方面详细论述了它们的特点并分析了补偿误差以及各自温补精度。     

双极型静电感应晶体管的温度特性

通过双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）与普通双极型晶体管（ＢＪＴ）温度特性的对比，研究ＢＳＩＴ的温度特性。由实验看出，影响ＢＳＩＴ温度特性的主要因素是载流了迁移率μ和邮源极越过势垒的电子数目ｎ。以盯可解释几个在观察ＢＳＩＴ温度特性时所遇到的现象。     

论高频大功率晶体管的温度分布

本文在俞忠钰、王士林两同志的指导和帮助下,对高频大功率晶体管的温度分布进行了较严格的数学分析。得到了用于大功率情况下的晶体管的温度分布公式。从而确定了热沉对硅片表面温度分布的影响。所得到的温度分布公式为高频大功率晶体管的热学设计提供了参考。     

晶体管发射区归一化面积的温度谱

从芯片表面的红外热像图中提取出了发射区热像图,提出了一种定量描述晶体管结温不均匀性的新方法,即发射区热谱分析方法。发射区热谱是发射区归一化面积的温度谱,也就是发射区温度所占有的发射区归一化面积对温度的直方图。本文提供了由红外热像图导出发射区热谱的过程及结果。     

MOS功率晶体管特性的温度效应

已设计的实验能够在同一仪器上方便地测量MOS功率管的脉冲I-V输出特性、直流I-V输出特性和器件内部的温度。对实验结果进行的综合分析表明,阈值电压随温度的增加而减小将引起MOS功率管的热不稳定,而表面迁移率随温度的增高而下降使MOS功率管的直流I-V特性在大电流区域呈观负阻。本文提出了反映热特性的两个特征点,给出了这两点处的栅源电压与器件设计参数的关系,作为MOS功率管热特性设计的依据。     

利用晶体管结点遥测温度的电路

图1所示电路采用通用晶体管作为传感元件,并用一个热敏二极管监测集成电路芯片来测量温度。ADM1021通常与置于CUP裸芯片上的热敏二极管相连,但在本应用场合     

温度对晶体管放大器影响的分析

电子控制部件,尤其是用于航空、汽车、勘探、采矿等室外移动设备上的电子控制部件受环境温度影响的问题是人们普遍关心的问题.由于环境温度变化幅度大,晶体元件对温度又比较敏感,因而寻找它们的变化规律并寻求各种方法以减少温度对元件性能的影响是电子线路设计者的一项重要工作.就以晶体管放大器为核心的电子控制部件而言,由于电阻和电容的温度系数比较小,一般在10一弓左右,而二极管、稳压管又比较简单,因此     

稳压管的温度特性与温度补偿

半导体稳压二极管(简称为稳压管)与其它半导体元件一样,是各类电子装置中不可或缺的。本文就稳压管的温度特性与温度补偿问题,同广大读者共同交流。一、稳压管的温度特性     

多晶硅发射极晶体管的集电区补偿注入技术

本文提出了一种新的提高多晶硅发射极晶体管和电路速度的方法，通过对器件外基区下对应的外延层区域进行离子补偿注入，降低相应外延层中的净掺杂浓度，有效地减小了外基区－集电区单位面积的集电结电容，有利于器件和电路速度的提高．由于内基区下对应的外延层浓度不变，对器件的直流特性无不良影响．本文给出了补偿注入研究结果和器件特性．     

温度补偿晶体振荡器综述

本文叙述了温度补偿晶体振荡器的发展，国内外水平及各种补偿方法和应用电路，文中还介绍了在生产中应用的自动测试系统和补偿元件的计算方法，在－40－＋70度的温度内采用模拟补偿法可以达到±（1－5）×10^-7的频率稳定度，采用模拟一一数字混合补偿法和微机补偿法可以达到±（1－5）×10^-5的频率稳定度。     

温度补偿式晶体振荡器

在无线电通信设备和电子仪器中,广泛使用各种晶体振荡器。对于那些频率稳定度要求在10~(-7)～10~(-9)数量级作为频率基准应用的场合,都采用高稳定度晶体振荡器。它选用高精度石英谐振器,并置于恒温槽中。虽然它的稳定度很好,但由于电路复杂,功耗大,体积重量也比较大,而且需要较长的预热时间才能得到给定的频率稳定度,因此,应用受到一定限制。而温度补偿式晶体振荡器的体积小,省电,具有比普通晶体振荡器频率稳定度高以及接通电源无需预热时间就能达到预期的稳定度等优点,受到越来越多的重视。