回旋加速器快中子治癌装置的研究

就30MeV回旋加速器上建立快中子治癌装置的几个主要方面,如中子束特性参数、中子屏蔽准直器、中子靶、中子剂量监测及中子治癌控制等进行了可行性的研究。     

反应堆快中子实验装置辐射场参数测量

利用多箔活化法测量了设计的反应堆快中子实验装置的中子能谱及中子注量,并采用Monte Carlo方法分析了能谱的不确定度.用热释光剂量片法测量了装置的γ剂量.装置各参数测量结果均达到了预期的设计指标.     

快中子脉冲堆动力学特性研究

快中子脉冲堆是一种可超瞬发运行的链式反应堆,在研究裂变反应堆瞬态物理过程和中子动力学过程等方面有重要的应用价值。介绍了快中子脉冲堆的动力学过程与特性,推导了动力学方程和超瞬发临界状态下的解析解。介绍了实验研究结果,测量了快中子脉冲堆超瞬发临界运行产生的脉冲中子辐射场的脉冲特性参数,获得了快中子脉冲堆中子动力学的基本特性参数。实验结果与建立的理论模型很好地符合。     

D-T快中子照相准直屏蔽体设计及中子束特性的模拟研究

设计一个用于氘氚(D-T)快中子照相的准直屏蔽体系统,对D-T中子发生器快中子在准直屏蔽体材料中输运的MCNP模拟研究,给出准直中子束的中子能谱、注量率及均匀性、γ射线能谱和γ射线注量率等重要参数.模拟结果显示,用D-T中子发生器中子源和合理的准直屏蔽体系统可得到快中子照相所需的准直快中子束.     

铜镜的快中子活化分析

利用中子发生器产生的快中子对50面古代青铜镜进行了快中子活化分析。铜镜标本取自不同朝代,采用比较分析法测定了铜镜中的铜、锡、铅三个组分的含量。文中介绍了测量过程中的具体方法和设备。     

快中子照相的实验研究

快中子照相是一种优良的无损检测技术,它有着X射线、热中子照相等所不具有的独特优势。本文介绍了作者分别采用^241Am-Be同位素中子源和中子发生器进行的快中子照相研究,并利用自制的Gd2O2S：Tb快中子转换发光屏进行探测,成功实现照相。     

快中子共振成像实验研究

利用两次成像法对快中子共振成像进行研究.分别利用6.3 MeV和6.1 MeV快中子对石墨、铜、铝构成的样品进行成像,经图像处理后,消除铜和铝的影像而获得了碳元素的分布图像.     

快中子脉冲堆中子价值计算研究

利用MCNP程序建立了CFBR-Ⅱ堆结构的三维模型,借助中子倍增的方法实现了计算中子价值的功能。为消除实验中用中间钢托盘孔道内的中子价值代替上下半球的中子价值而引起的差异,利用均匀抽样技巧对各区域沿径向分层细致计算。结果表明,中子价值最大处位于高富集度铀区域中间某层而非系统中心或上下半球球心,其他区域中子价值则沿径向单调递减。     

用包镉热释光剂量计测量热中子剂量当量

本文叙述了在环境辐射监测中用包镉热释光剂量计(TLD)测量热中子剂量当量的方法。用这种方法,剂量计的标定不需要用反应堆热中子源而可用~(60)Co_γ源代替,并可用公式 H=(R_N)/(153·R_(γ1)·F)计算热中子剂量当量 H(S_ν),其中 R_N 为 TLD 对热中子的响应,R_γ为 TLD 对1R~(60)Co-γ照射量的响应,F 是对包镉尺寸的修正因子。     

一种新型中子周围剂量当量(率)测量装置的性能实验

本文介绍一种新型中子周围剂量当量（率）监测方法,搭接了一套单球多计数器的中子周围剂量当量（率）监测装置,利用蒙特卡罗MCNP4A程序模拟计算了中子注量的响应函数,借用“少道”解谱软件进行解谱并对一些辐射防护量进行了计算.通过对^252Cf和Am-Be两种中子参考辐射场的测试,表明对中子注量率、周围剂量当量率、单位注量平均周围剂量当量和剂量当量平均能量的计算结果与参考值相比,偏差均小于10%, 这种监测方法较好地解决了中子剂量仪表的能量响应问题.     

热释光个人中子剂量计的刻度及性能试验

本文叙述了用作个人剂量监则的镉帽型热释光子中子剂量计的中子能响特性和刻度方法。用标准Ａｍ－Ｂｅ中子辐射场测量了剂量计的响应因子，检验了反平方律。给出了相对刻度的总不确定度为７．６％。对油田中子测井和使用中子水份测量仪等测量仪器的单位，可用该剂量计作个人中子防护剂监测。     

参考中子辐射注量－周围剂量当量换算系数的计算

基于ＩＣＲＰ第６０号出版物推荐的中子Ｑ值的拟合函数和Ｗａｇｎｅｒ等人提出的统一的剂量换算函数，对ＩＳＯ推荐的参考中子辐射计算了注量－周围剂量当换算系数，并就有关问题进行了讨论。     

可携式中子剂量当量率仪

本文介绍NH1型可携式中子剂量当量率仪的结构和性能。该剂量仪由包有聚乙烯慢化体和硼塑料层的球形~3He计数管和电子学系统组成,适于热能—15MeV能区的中子剂量当量率的测量。剂量当量率测量范围在0.1—10~4μSv/h之间;在热能附近能区和0.3—5MeV能区,剂量当量率响应随能量的变化在±30％以内,对于能量为1.15MeV的中子,响应值约为0.56cps/μSv·h~(-1)。该剂量仪具有模拟和数字显示,重量为7kg。在改换量的名称并对能响作适当修正的条件下,NH1型中子剂量当量率仪可用于中子周围剂量当量率的测量。     

聚碳酸酯快中子反冲径迹的电化学蚀刻研究

我们研制了一台供扩大固体内核径迹用的电化学蚀刻装置。它可以输出电压和频率皆可调的正弦波(电压0—1100伏,频率50—5000赫)。采用聚碳酸酯膜记录快中子引起的反冲核径迹。对径迹蚀刻的几个主要参量如电场强度、频率、蚀刻时间和蚀刻液的浓度等进行了研究,还对聚碳酸酯的中子灵敏度、能量响应、方向响应、径迹稳定性及本底进行了测量。对于180微米厚的聚碳酸酯膜,实验确定的最佳蚀刻条件为:电场强度13.5千伏/厘米,电场交变频率2.5千赫,6N KOH,15℃,5小时。在此条件下,电化学蚀刻的快中子反冲径迹平均直径约为50微米;对~(252)Cf、AmBe、4.0和14.8兆电子伏中子的灵敏度分别是2.7×10~(-7)、1.8×10~(-6)、2.2×10~(-6)和3.7×10~(-6)(径迹/中子);经预蚀刻的本底径迹密度约为8(径迹/厘米~2)。实验表明,固体核径迹探测器电化学蚀刻方法的显著优点是,它能把反冲核径迹放大成清晰可见的放电蚀坑,从而使径迹测量变得相当简单、快速和可靠。     

γ射线外照射条件下体模红骨髓剂量及剂量深度分布的蒙特卡罗计算

用蒙特卡罗方法,对0.025、0.05、0.11、0.30、0.661、1.25、3.0和6.OMeV等八种能量的平行宽束γ射线沿垂直于体模中心轴线方向的旋转照射,位于体模躯干下端离体模中心轴线的距离分别为50、100和200cm的1.25MeVγ点源对体模正面照射,1.25MeV平行宽束γ射线对体模正面、背面和侧面方向的垂直照射,以及当体模处于年龄为22.5小时的落下灰γ辐射场中时,计算了体模的红骨髓平均剂量D_m、干细胞活存率计权等效剂量D_(sw)和组织吸收剂量的深度分布。计算结果,除低能(<0.05MeV)γ射线和近距离(距体模中心2m以内)点源照射条件之外,D_m和D_(sw)在2％以内相符。对于在落下灰γ辐射场中测量人体红骨髓平均剂量的仪器,可用1.25MeVγ射线平行宽束旋转照射条件进行刻度。     

中子管特性及其工作状态的调整

本文通过对国产冷阴极Penning离子源中子管特性的研究及工作原理的分析,说明加速电压、阳极电压、储存器电流与中子产额的关系。提出中子管的特性曲线并对调整、控制中子产额的方案给予评价。     

两种介入治疗(CA与PTCA)中患者所受剂量调查

大多数介入放射学着眼于研究治疗中的新手术、新设备以及临床经验,然而如何实现介入程序中的辐射防护正当化与最优化也是介入放射学所面临的重要课题。本课题采用剂量面积乘积仪,对在北京宣武医院就诊的51例经皮穿刺腔内冠状动脉成形术(PTCA)及冠状动脉血管造影术(CA)病人所受的辐射剂量进行了调查。结果表明,他们的平均剂量DAP(剂量-面积乘积)分别为22.77 Gy.cm2(CA,33例)和62.96 Gy.cm2(PTCA,18例)。本文同时对相关参数与剂量的关系进行了分析,并与其它研究的剂量参考水平(DRL)值进行了比较。     

受一次低剂量事故外照射人员照后4-15年细胞遗传学观察

本文观察了受一次低剂量事故(10.0—46.8拉德)外照射人员照后4—15年的细胞遗传学变化,结果表明,受照组染色体畸变率和微核率明显高于对照组,二者与照射剂量的密切关系已不存在。