X波段介质稳频电调FET振荡器

本文介绍了X波段介质稳频电调FET振荡器(FET DR VCO)的研制。采用反馈型电路结构,获得振荡频率为7774MHz,输出功率Po>10dBm,线性电调带宽>42MHz(功率变化△P<1dB),电调灵敏度为3.0MHz/V,在-20℃～+60℃范围内,频率温度稳定度<±5.7ppm/℃。     

环路反馈式场效应管介质稳频振荡器

本文介绍了一种环路反馈式场效应管介质稳频振荡器.该振荡器主要是由一个FET放大器及一个独立的介质谐振器反馈电路结构组成.通过分别仔细地调试此两部分的指标,可以获得较好性能的振荡器.所研制的振荡器的基本性能为:振荡频率为2.7GHz;从室温到50℃范围内频率稳定度可达0.3ppm/℃;输出功率为5～20mW.     

3.5WS波段振荡用大功率GaAs FETs

<正>GaAs FET已广泛用来制作各种振荡器,应用于各类整机系统中。为满足整机应用的需要,南京电子器件研究所已研制出S波段振荡用大功率GaAs FET。主要技术指标为,在S波段,振荡输出功率≥2.5W,直流—射频转换效率≥30％。最好器件输出功率达3.5W。 为合理利用器件自身的寄生电抗作反馈元件。以实现振荡电路简单化,并有利于提高振荡频率,器件采用共漏工作模式。器件单胞FET的栅宽为2mm。包含10条200μm的栅指。用     

介质谐振器反馈型GaAs FET振荡器

本文扼要分析了高Q介质反馈型FET振荡器的原理,认为介质反馈型振荡器类同于高Q介质谐振器与FET栅极耦合的反射型振荡器。实验表明,在-40～+55℃范围内,频率稳定度达2.0ppm/℃,最佳可小于0.2ppm/℃。同时,介质温度系数对振荡电路的过补偿比欠补偿更有利于提高输出功率温度稳定性。     

晶体管反馈振荡器的频率稳定

振荡器的一项重要性能是振荡频率的稳定度,对电子管振荡器的频率稳定性能已有比较长时期的研究。然而,对晶体管振荡器频率稳定性能的研究则尚欠完善。本文将对晶体管反馈振荡器的频率稳定性能作比较详细的研讨。 根据四端网络分析及级联参数矩阵表示法,首先推导反馈振荡器的通用振荡方程,然后对共发射极网络的各种等效电路以及对各种纯电抗元件的反馈网络的级联参数进行分析,用这些网络形成各种晶体管反馈振荡器,并推导这些振荡器的振荡方程。根据振荡方程对这些振荡器的振荡性能,包括振荡频率的稳定性能,进行分析及比较。 假设反馈网络所用外加电抗元件固定不变,而晶体管参数改变(包括晶体管的输出输入电阻,输出输入电容,电流放大系数的虚数部分,负载电阻等的改变),对由于这些参数改变所引起的振荡频率漂移作了分析及比较。 根据所用反馈网络的几何构造,将反馈网络分成三臂π形,四臂及五臂网络等三类,对采用这三类网络而组成的晶体管振荡器的振荡性能进行分析,重要结果分别在三表中列出,供研究及设计者参考。     

GaAs MESFET可靠性及快速评价新方法的研究

提出了一种快速评价GaAs FET可靠性寿命的新方法.利用GaAs FET失效敏感参数的温度特性和在一定电应力下的退化特性,及温度斜坡法在线快速提取器件失效敏感参数的退化量与温度的关系,从而进一步求出器件的失效激活能等相关的可靠性物理参数.     

双介质谐振腔FET振荡器

介质谐振腔FET(场效应晶体管)振荡器有吸收式、并联反馈式和串联反馈式(反射式)等数种.并联反馈式是利用谐振腔把栅极和漏极耦合起来而形成的振荡器,此类振荡器的性能良好.目前并联反馈式振荡器还没有一个合适的数学模型,设计只能靠经验,并且不便采用普通封装的低噪声放大用的FET.吸收式振荡器比较简单,但当谐振腔放在输出端时,高Q值的谐     

一种小型压控恒温晶体振荡器的设计

简要介绍了一种小型的恒温晶体振荡器,通过对振荡参数的反复试验、修改,提高了振荡器的频率稳定度。提出一种新的设计理念,利用晶体谐振器与电感随温度变化对晶体振荡器频率所产生的不同影响,合理安排晶体振荡器内部的热场,调整晶体谐振器、热敏电阻及振荡参数的热平衡关系,在去掉恒温槽的情况下提高了温度频率特性,且大大缩小了晶体振荡器的体积。     

外部反馈对GaAs FET最小噪声系数的影响

本文论述串联和并联反馈对GaAs FET最小噪声系数的影响,并推导了一组串联和并联反馈等效噪声参数的转换公式;利用测得的最小噪声系数F_(min)、等效噪声电阻R_N和最佳源导纳Ys,计算了外部反馈对GaAs FET最小噪声系数的影响.     

C波段介质谐振器稳频FET振荡器

本文运用电磁场理论对圆柱形介质谐振器进行了分析和计算,并设计制作了C波段反馈型介质谐振器稳频FET振荡器,其工作频率f_0=7.4GHz,输出功率P≥30mW,频率稳定度为±2×10~(-5)(-10～+50℃),频率温度系数为0.67ppm/℃。     

体声波滤波器和双工器

Maxim推出推挽式FET驱动器．MAX5075／MAX5077，这两款器件内部集成振荡器，具有可编程时钟输出，可用于同步外部PWM控制器。振荡频率通过外部电阻在50kHz～1．5MHz范围内设置。MAX5075有三个版本，其时钟输出与MOSFET驱动器的频率比分别为1倍、2倍、4倍。MAX5077的时钟输出与MOSFET驱动器频率比可通过两个逻辑电平引脚设置为1倍、2倍、4倍。这些驱动器是设计高效、电流反馈隔离电源所必须的基本结构，适用于电信和网络线卡。     

宽带低噪声MESFET放大器的简化噪声模型和设计

本文的目的是发展一种建立在低噪声 FET 放大器基础上的设计理论。它不是一个 GaAsFET 噪声机理的基本模型。或者说,是试图从物理上建立可测量的器件电容和电阻与器件噪声系数和最佳噪声源阻抗的关系。将要表明,FET 的噪声性能可以由两个无关的噪声源充分地描述。一个是在 FET 的输入端,它是栅-源回路中各种电阻产生的热噪声,这个噪声源与频率有关,并且它可由 FET 的等效电路计算。第二个噪声源在FET 的输出端,它与频率无关,并且对于任何测量参数没有公认的关系。此输出噪声是漏电流和漏电压的函数。FET 的噪声分解为两个无关的噪声源简化了宽带低噪声放大器的设计。只要器件在某一频率的等效电路及其噪声系数已知,则任一频率的最佳噪声源阻抗和噪声系数就可被计算。对于器件设计者,这一模型可以有助于均衡输入输出噪声的折衷。提供了宽带 GaAs FET 放大器的例子,以说明本文提出的简化噪声理论的应用。     

弹箭引信X波段传输线谐振无匹配振荡器

基于砷化镓场效应晶体管(GaAs FET),设计了一种低成本、结构简单的X波段振荡器。以一段传输线实现谐振网络,通过优化反馈元件及传输线电长度,实现振荡器输出无匹配设计。室温、高温、低温环境下实测振荡频率分别为9.314GHz、9.305GHz及9.323GHz;对应输出功率分别为10.26dBm、9.21dBm及11.35dBm。振荡器性能稳定,可应用于弹箭无线电引信中。     

改进的FET设计扩展到毫米波

<正> 虽然通常的FET在求得毫米波性能方面已进行了很多细致的工作,但在满足振荡频率越来越高的工作要求方面,现有的设计是无能为力的。一种完全不同的FET结构,即栅-源对置FET(OGST)的出现,有可能突破现有设计的频率极限。这种新型晶体管结构是将栅和源放置在薄导电沟道的相对的两边。漏则配置在沟道的相对两端,但在晶体管的输出处,它们是电学连接在一起的。这种设计与通常FET相比,有一定的优点:     

文摘选辑

一、声表面波技术269 采用静磁表面波延迟线的微波振荡器——M·Tsutsumi:《电子通信学会论文志-C》(日文),1986:J69C(8)1061—1063在2—4GHz FET放大器的反馈环路中装入一个静磁表面波延迟线制成了微波振荡器.为选择一种适合的振动模式设计成长1mm周期的金属栅阵列.给出了随着磁场大小而变化的振荡频率的功率分布.     

铝合金锁底接头一维振荡激光焊接气孔率分析

采用一维振荡激光对3 mm厚5A06铝合金锁底接头进行焊接，分析振荡幅度、振荡频率、焊接速度以及离焦量对焊缝气孔率的影响。结果表明，随着振荡幅度和离焦量的增大，气孔率明显降低；随着振荡频率的增大，气孔率先降低后升高，最佳振荡频率区间为150～250 Hz;随着焊接速度增大，气孔率先升高后降低；气孔率与深宽比大致成指数式增长关系，深宽比小于1.5时，可将气孔率控制在5%以内。在此基础上，得到优化工艺参数，焊接产品模拟件，焊缝气孔率满足相关标准Ⅰ级要求。     

采用三个叉指换能器的兰姆波频率调制器

本文证实了一种使用兰姆(Lamb)波压控振荡器的频率调制器.该兰姆波器件采用三个叉指换能器,须经过作为压控电阻器的FET(场效应晶体管)馈送调制信号给器件中部的换能器,其余的两个换能器与一个放大器组成延迟线振荡器.振荡频率依加于FET上的电压线性地变化.叙述了该器件的设计和基本特性.     

8～12GHz FET压控振荡器

<正> 用微波场效应管和砷化镓超突变结变容管组成的电压控制振荡器(简称FET VCO),具有调谐频带宽,调谐速度快,线性较好,电路效率高,加电简单等特点。采用南京电子器件研究所的FET和超突变结变容管制成的宽带FET VCO,其电调频率范围已达4GHz,在X波段覆盖频率为8～12GHz。 整个电路采用集总参数和分布参数相结合的混合结构形式。所用FET和变容管都是封装     

FET宽带小信号等效电路的研究

介绍了一种确定宽带FET小信号等效电路参数的一种方法。该方法基于FET内部器件的Y参数(Z参数)进行分析,从中得到与频率无关的等效电路参数(电容、电感、电阻值),根据模型可以得到任意指定频率下的电路等效模型或某频带内的参数均值。通过仿真测试,该等效模型在高达25 GHz频带范围频率变化,器件参数保持恒定,并与实际器件工作状况非常吻合。     

采用介质谐振器的砷化镓MESFET振荡器的温度稳定性

本文提出了采用介质谐振器的场效应晶体管振荡器的简单的温度稳定性模型,并根据振荡条件,用该模型推出了振荡功率和振荡频率与温度的关系。具有适当的线性谐振频率/温度特性的叠式谐振器已试制成功,并被用来稳定采用介质谐振器的振荡器(DRO),在频率为11.5GHz、温度为-20℃到80℃时,获得了±120kHz的频率稳定度((?)±0.1ppm/K)。