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相似文献
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1.
热解对碳纤维/环氧复合材料激光烧蚀的影响   总被引:2,自引:1,他引:2       下载免费PDF全文
为研究复合材料的热解问题,设计了氮气流保护条件下的低功率密度辐照实验,获得了不同辐照时间和不同功率密度下碳纤维环氧树脂复合材料层合板的热解规律。实验结果表明:试样质量损失随辐照时间持续呈单调增大趋势,但热烧蚀率却逐渐减小并有稳定趋势;试样质量损失与功率密度呈线性关系;激光功率密度的增加可提高热烧蚀率,但随功率密度的增加,试样热烧蚀率增幅减小并有饱和趋势。  相似文献   

2.
采用谐振腔法研究透波材料的高温介电性能   总被引:2,自引:0,他引:2  
根据H01n模可加热圆柱谐振腔磁场分量及电场分量的特性,利用谐振腔中活塞的滑动接触不损害谐振器的质量因素的谐振腔法,研究介电常数不大于200和介电损耗角正切不大于0.05的固体电介质在高温下及9-10GHz频率范围内的ε和tgδ,并对影响电介质高温介电性能测试精度的设备因素、计算方法和实验结果的应用等进行了分析与讨论.  相似文献   

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4.
由于难分子激光器已经从一种实验室工具扩展到工业应用而变得成熟起来,激光加工的制造工艺的发展利用了这类激光器的独特性能.已知的最为广泛的应用之一是喷墨打印机喷头的生产,该微量流体装置是商业上至为重要的一个创新产品实例.属于这一类产品的有药剂传送系统、微刻度的热管和热交换器、化学反应网络及化学分析仪器.对于所有这些器件来说,精密控制小量流体是至关重要的,根据工作流体和所希望的流动速率的不同,需要l一10o。m以上的长度刻度范围.这些器件的制造需要了解难分子激光加工过程的特性,本文讨论了常常与准分子辐射特…  相似文献   

5.
激光等离子体和烧蚀对含能材料的激光点火过程的影响   总被引:9,自引:2,他引:9  
沈瑞琪  叶迎华  涂建 《中国激光》2004,31(11):323-1326
通过测试激光点火的延迟时间、等离子体电荷通量和等离子体对激光的吸收能力,研究了激光等离子体和烧蚀对激光点火过程的影响。实验采用的含能材料为B/KNO3(m(B):m(KNO3)=40:60),外加5%的酚醛树脂,激光器为脉冲宽度为680μs的Nd:YAG固体激光器。实验结果表明等离子体密度随激光能量的提高而增大,而且激光等离子体的电荷通量大于燃烧流的电荷通量。当激光能量密度低于某一临界值时,点火延迟时间随激光能量密度的提高而线性变短,然而激光能量密度超过该临界值后,激光点火延迟时间保持恒定。在实验条件下,激光等离子体几乎不吸收入射的激光能量,但是点火延迟时间的变化规律表明了烧蚀会阻碍激光能量向含能材料注入。  相似文献   

6.
建立了基于飞秒激光抽运-探测原理的时间分辨阴影成像平台,直接获取了飞秒激光烧蚀石英微孔的超快过程图像。在不同能量密度、时间延迟、脉冲数量条件下,观察到随时间延迟变化的等离子体通道衰退、冲击波膨胀和微孔伸长现象。实验结果表明,所提系统有助于飞秒激光烧蚀诱导透明介质内部微纳结构的原位观察。  相似文献   

7.
英国萨里大学已发展了一种把样品直接引入等离子体的激光技术。然后可用感应耦合等离子体质谱术(ICP-MS)对样品进行分析。  相似文献   

8.
根据面齿轮材料18Cr2Ni4WA的飞秒激光扫描加工中的温度传递过程,建立了三温传热模型,并建立了扫描加工中的多脉冲能量累积模型。仿真分析了改变激光能量密度对烧蚀材料时电子晶格温度的变化,多脉冲加载下电子、晶格和材料表面最高温度的变化,以及改变扫描速度和扫描间距对加载能量的变化,结果表明随着能量密度的增大,电子最高温度从37000 K上升至44000 K、最终平衡温度从17000 K上升至22000 K。在多脉冲的加载下,随着能量密度的增大,电子最高温度也有一定程度的增大,并且材料表面最高温度的平衡温度也会增大,从2600 K上升至3250 K。随着扫描速度和扫描间距的增大,多脉冲累积能量有一定的减小,能量分布尺度在增大。试验分析了不同能量密度、扫描速度和扫描间距对飞秒激光烧蚀面齿轮材料的影响,并对烧蚀形貌进行了粗糙度分析,结果表明,当能量密度为4.34 J/cm2、扫描速度为300 mm/s、扫描间距为18μm时,烧蚀形貌质量较好。该研究为提高飞秒激光扫描加工面齿轮材料的表面形貌质量提供了研究基础。  相似文献   

9.
简要评述了国内外关于飞秒激光烧蚀半导体材料的理论研究、数值模拟和实验研究进展,报道了飞秒激光对几类光电探测器件损伤阈值的研究结果.  相似文献   

10.
采用传统固相烧结法制备了熔融石英微波介质材料,研究了表面析晶对材料物相组成、表面形貌及微波介电性能的影响。结果表明:材料从1 250℃开始析出方石英,且其析出量随烧结温度的升高而增多。当烧结温度低于1 300℃时,方石英析出量较少,表面析晶对材料微波介电性能影响不大,其介电性能主要随体积密度的增加而提高;而烧结温度超过1 300℃后,方石英析出量显著增加,引起材料内应力增大,使其表层裂纹加深甚至剥落,导致材料性能下降。经1 300℃烧结3 h所制材料具有最佳的微波介电性能。  相似文献   

11.
本文报道具有不同模结构的红宝石激光脉冲对晶体石英的不同损伤的观测。发现多横激光的损伤阈值与入射激光脉冲传播和偏振方向有关;TEM_(00)激光的损伤阈值与传播和偏振方向无关。当在样品内每种激光聚焦时,产生的损伤图形表示与晶体内激光束传播方向有关的特殊的特性,研究唯象学的模型以解释两种激光产生的不同的损伤特性。  相似文献   

12.
通过重复采样和泵浦探测的实验方式,对飞秒激光烧蚀石英玻璃的内部动态过程进行了实验研究,获得了石英玻璃内部的时间分辨阴影图像.实验结果表明,在不同的延迟时间下,石英玻璃内部依次出现了多个应力波,并通过测量应力波的位置获得了其速度的实验演化规律.这些结果直观地展示了飞秒激光与物质之间相互作用中,材料内部的动态行为.  相似文献   

13.
超短激光脉冲烧蚀铜材料的数值模拟   总被引:2,自引:0,他引:2  
梁建国  倪晓昌  杨丽  王清月 《中国激光》2005,32(9):291-1294
使用约化后的双温方程(DTE)对超短激光脉冲烧蚀铜薄层的过程进行了数值模拟;基于超短激光脉冲烧蚀过程中电子与晶格的温度不平衡性,分别模拟了这两个系统的温升过程,并由此得到了单脉冲烧蚀深度;通过变化激光能流,研究了脉冲能量对烧蚀深度的影响。模拟结果表明,随着激光能流的增加,相变爆炸引起的喷射出现得越深,同时材料烧蚀深度越大;理论计算与实验结果相吻合。  相似文献   

14.
简述了试验箱中透波材料的工作原理及透波率。介绍了基于半电波暗室的透波性能测试系统,分析了金属边框、天线极化方向、透波材料形状等因素对透波材料性能的影响。该研究对于ETC试验箱进行透波窗口的改装具有指导性意义。  相似文献   

15.
激光脉宽和功率密度对烧蚀性能影响研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
微纳卫星的飞速发展对微推力器的性能提出了更高的的要求。激光推进微推力器因其比冲高、推力控制精确、能耗低等特点,为微纳卫星提供了一种性能优异的微推力器选择方案。文中在透射式烧蚀模式下,研究了半导体激光器的激光功率密度和脉宽对激光烧蚀性能的影响。结果表明,在工质厚度为200 μm的工况下,随着激光功率密度的增加,单脉冲冲量和比冲都逐渐增大,而冲量耦合系数和烧蚀效率都存在一个最优值。随着激光脉宽的增加,单脉冲冲量逐渐增加,比冲呈现出先增大后减小的趋势,在250 μs时,比冲达到最大值,约为221.8 s;冲量耦合系数和烧蚀效率都随着脉宽的增大而减小;脉宽超过一定的临界值时,会对激光烧蚀工质的靶坑产生不良影响,使得激光能量和工质严重浪费。激光参数的优化对于激光推进微推力器的工程化应用提供了参考。  相似文献   

16.
铋掺杂对BST/MT复相铁电材料介电性能的影响   总被引:4,自引:1,他引:4  
研究了Bi2O3掺杂对钛酸锶钡/钛酸镁(BST/MT)复合体系介电常数、介电损耗以及调谐性等介电性能的影响。实验表明,适量的掺杂能有效的改善体系的电性能。控制掺杂质量分数为0.8%,获得陶瓷介质在微波频段(S波段)的相对介电常数在100左右;介质损耗约为2×10-2;4 000 V/mm的偏压下调谐性可达12%。采用极化理论对掺杂机理作了一定的探讨。  相似文献   

17.
激光功率密度对Ge烧蚀蒸气动力学特性的影响   总被引:1,自引:1,他引:1  
吴东江  许媛  尹波  王续跃 《中国激光》2008,35(3):462-465
建立了一维半导体Ge激光烧蚀模型,对不同功率密度的紫外激光烧蚀半导体Ge的过程进行了模拟,并对计算结果进行了分析,得到激光功率密度对烧蚀过程以及蒸气膨胀动力学特性的影响。结果表明,激光功率密度的变化对烧蚀过程影响非常大。照射的激光功率密度越大,靶的表面温度越高,蒸发深度、烧蚀蒸气温度和膨胀的速度、相应蒸气膨胀的空间尺度也越大,且等离子体屏蔽现象出现得越早。在给定的烧蚀条件下,等离子体屏蔽的阈值在1×108~1.5×108W/cm2之间。  相似文献   

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设计并用分子束外延(MBE)法制备了不同沟道结构的GaAs PHEMT材料,采用高分辨率X射线双晶衍射仪(DCXRD)、应力测试仪和霍尔测试仪对样品的结晶质量、薄层组分和厚度偏差、应力以及电子迁移率进行了分析表征。探讨了外延片应力与沟道结构的相关性,研究了沟道失配应力对电性能的影响机理。建立了GaAs PHEMT材料热应力引起电子传输特性退化的试验方法,进行了高温和低温存储后材料电性能的演化行为测试,并归纳了热应力引起材料电特性退化的实验结果。结果表明GaAs PHEMT材料经高、低温存储并恢复室温后仍能保持原有电性能,沟道应力对材料电性能的影响主要表现为失配应力。  相似文献   

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