共烧多层陶瓷基板制造技术

本文对共烧多层陶瓷基板制造技术作了较为全面的探讨，详细分析和研究了它的工艺物性和材料系统特性。在分析和研究过程中用大量的数据和实例说明共烧多层陶瓷基板技术在微组装领域具有强大的生命力。事实表明，共烧多层陶瓷基板制造技术在未来的微电子封装技术中将发挥重要作用。     

应用于MCM-C/D的减薄抛光工艺

混合型多芯片组件(MCM-C/D)研制技术具有共烧陶瓷技术高密度多层互连集成和薄膜电路高精度和高可靠性等优点,是目前先进实用的混合集成技术.共烧多层基板的总厚度差(TTV)和表面粗糙度是影响共烧多层基板在多芯片组件(MCM)中应用的关键因素.选取低温共烧陶瓷基板,研究了减薄抛光工艺对基板的作用机理,结合实际加工要求选择...     

低烧基板的流延料浆配制及流延工艺研究

陶瓷材料的成膜技术是制造低温共烧多层陶瓷基板的关键技术之一，本文介绍了低温共烧（８００－９００℃），低介电常数（ε〈５）多层陶瓷基板中，流延料浆的配制及最佳流延工艺参数的研究。     

低温共烧多层陶瓷基板实用化技术研究

在第五代电子组装技术中,低温共烧陶瓷多层基板(LTCC)由于具有高密度布线、高信号传输速度、低损耗和高可靠性,在国内外受到极大重视。自八十年代以来,日、美很多公司做了大量研究工作,开发出这种高技术电路基板,并试制出多芯片组件(MCM),在先进的航天、航空电子设备和复杂的通信机、计算机中得到应用。目前,我国已基本形成一条低温共烧多层陶瓷基板研制线。本文根据电子部43所的研究成果和现有工艺装备,介绍低温共烧多层陶瓷基板的应用情况。     

LTCC多层微波互连基板布局布线设计及制造技术

采用低温共烧陶瓷 (LTCC)技术制造多层微波互连基板 ,可以研制出高密度的T/R组件。讨论了多层基板中微带线和带状线的结构及其优化设计技术 ,介绍了制造工艺流程和关键工艺难点。     

TCLL多层微波互连基板布局布线设计及制造技术

采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术制造多层微波互连基板,可以研制出高密度的T/R组件.讨论了多层基板中微带线和带状线的结构及其优化设计技术,介绍了制造工艺流程和关键工艺难点.     

LTCC基板制造工艺研究

低温共烧多层陶瓷（ＬＴＣＣ）基板是制造复杂微电子产品多芯片组件（ＭＣＭ）的重要部件。详细地讨论了ＬＴＣＣ基板制造工艺，介绍了多年研究之经验及国外的有关技术，还指出了目前工艺中存在的技术问题及在工艺水平上与国外的差距。采用目前工艺，可做出２０层布线、线宽及间距均为０．２０ｍｍ、８０ｍｍ×８０ｍｍ的多层共烧基板     

片式多层电容电阻复合元件的研制

采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术将电容、电阻元件集成在多层陶瓷基板里,构成了一种新型的片式多层复合元件,并研究了其制造工艺性能和频率特性。结果表明,片式多层电容电阻复合元件制造工艺适合批量化生产,并为片式多层LC滤波器、LTCC基板及器件的研发提供了极好的参考价值。     

混合多层布线用AIN共烧多层基板技术研究

大功率混合多层基板（AIN混合多层布线基板）是采用在AIN共烧多层陶瓷基板上制作薄膜多层布线而形成的。其优良的散热性，高的信号传输速度，以及良好的高频特性，完全能够在微波功率器件和高速数字电路中使用。然而AIN混合多层布线基板的应用，离不开高性能的AIN共烧多层基板。本文仅对AIN共烧多层基板制作过程中需要解决的几个关键技术方面进行了研究，取得了一定的成果。     

MCM用氮化铝共烧多层陶瓷基板的研究

通过实验优化AlN(氮化铝)瓷料配方及排胶工艺,对共烧W(钨)导体浆料性能及AlN多层基板的高温共烧工艺进行了研究,并对AlN多层基板的界面进行了扫描电镜分析。采用AlN流延生瓷片与W高温共烧的方法,成功地制备出了高热导率的AlN多层陶瓷基板,其热导率为190 W/(m·K),线膨胀系数为4.6106℃1(RT~400℃),布线层数9层,W导体方阻为9.8 m,翘曲度为0.01 mm/50 mm,完全满足高功率MCM的使用要求。     

LTCC专用烧结炉的研制

随着低温共烧陶瓷（Low Temperature Co—fired Ceramic,LTCC）多层基板为适应电子器件向着小型化、高密度、多功能的发展,从而对低温共烧工艺设备的也提出了更为严格的要求。针对目前低温共烧工艺设备的主要特点介绍了低温共烧陶瓷技术中新型烧结炉的研制方案及技术难点。     

薄膜金属化低温共烧陶瓷基板的阻碍层对共晶焊的影响

讨论了低温共烧陶瓷基板薄膜金属化技术中,有效阻碍层的选择对基板共晶焊的剪切强度、互连阻抗、可焊性的影响。试验结果表明,Ti / Ni是一种高可靠性的阻碍层,且Ti / Ni / Au也是一种较理想的低温共烧陶瓷基板薄膜金属化结构。     

基于高温共烧陶瓷基板的三维互连技术

基于高温共烧陶瓷技术的多层基板是实现组件小型化、轻量化、高可靠的有效手段。文中研究了基于HTCC技术的多层基板三维立体互连结构,包括基板内垂直转换及基板间立体互连。通过仿真优化设计,实测结果表明,文中所设计的多种结构能够有效地应用于组件三维互连中。     

一种高密度系统封装的设计与制作

介绍了硅基内埋置有源芯片多层布线工艺、低温共烧陶瓷(LTCC)基板工艺、芯片叠层装配等高密度系统级封装技术,重点介绍了系统级封装技术的总体结构设计、主要工艺流程、三维层叠互连的关键工艺技术,以及系统测试和检测评价等技术.     

LTCC基板共烧平整度工艺研究

LTCC共烧工艺是基板加工的重要环节,有很多因素会影响产品加工进程。一般来说,从设计上要预先充分考虑,以避免负面因素影响基板共烧效果。介绍了LTCC基板/低温共烧陶瓷基板技术及共烧致密化技术的机理,阐述了LTCC平整度重要性及改善基板表面平整度工艺的优化过程。通过综合比较版图优化前后的内层金属含量、不同尺寸样品加工、结构设计等因素,经过多重试验验证,结果表明,版图优化措施切实可行,可有效提高LTCC基板共烧平整度。     

多层共烧氮化铝陶瓷金属化工艺研究

氮化铝陶瓷因其热导率高、绝缘性好以及无毒害等特点在许多领域有着广泛的应用。多层共烧氮化铝陶瓷是采用厚膜印厣j的方式将多层的电路金属化做入氮化铝基板并在特定气氛中高温烧结的一种高性能陶瓷。金属化是多层共烧氮化铝陶瓷的一个关键工艺,文章主要介绍了对金属化工艺的研究。重点研究了其中的印刷工艺、叠片层压工艺和烧结工艺。通过对印刷和烧结参数的研究,使得生产陶瓷的热导率大于170W（m·K）^-1,金属化的方阻小于18mΩ／□,金属化的抗拉力大于1．8N（1mm^2焊接面积）,能满足大功率LED封装、大功率功率管封装的性能要求,已经在多种陶瓷外壳和基板中应用。     

我国LTCC多层基板制造技术标准现状及需求研究

介绍了我国LTCC（低温共烧陶瓷）技术的应用情况,以及国内外LTCC多层基板制造的设计、工艺、材料、设备、组装、检测等技术标准的现状,论述了LTCC制造业与技术标准的关系,分析了我国LTCC制造业对相关技术标准的需求。     

微波多层电路与低温共烧陶瓷（LTCC）

讨论了微波多层电路在雷达系统中的应用,与常规的微波网络设计做了优劣的比较。还介绍了低温共烧陶瓷基板以及向微波频率扩展的前景与相应的工艺要求。     

陶瓷基板研究现状及新进展

近年来,电力机车、电动汽车和微波通信等行业发展迅速,系统所用的电子器件具有大功率、小尺寸、高集成和高频率等特点.为满足电子器件散热、密封和信号传输优良的需求,陶瓷基板以较高的热导率、与半导体材料相匹配的热膨胀系数、致密的结构和较高的机械强度等特性得到广泛的应用.首先综述了不同陶瓷基板材料的性能、发展历史和新进展,分析了各自的优缺点;然后综述了陶瓷基板的制备工艺,对多层共烧陶瓷技术进行了详细介绍,并简述了陶瓷基板的应用;最后指出了陶瓷基板的研究方向和面临的挑战.     

低温共烧陶瓷多层基板精细互连技术

微电子技术和封装工艺的发展使超大规模集成电路(VLSI)的密度越来越高,而高密度低温共烧陶瓷(LTCC)基板的制作依赖于基板内部导体的精细互连技术.为了满足LTCC多层基板高密度互连的工艺要求,必须使基板微通孔的直径及导线线宽缩小到100 μm以内.基于此,首先介绍了LTCC生瓷带层的微通孔形成与填充工艺,以及所形成的微通孔的特点;利用厚膜丝网印刷技术形成精细导线,分析了影响印刷质量的工艺参数;最后简要介绍了薄膜光刻等新技术.通过应用上述几种先进的精细互连工艺技术,极大地提高了LTCC多层基板的互连密度.