离子束增强沉积制备TiB2薄膜及其性能研究

用离子束增强沉积法（ＩＢＥＤ）在硅及铜基体上沉积了ＴｉＢ２薄膜，研究了轰击离子束能量和束流对薄膜的微结构及力学性能的影响。用俄歇电子谱（ＡＥＳ）分析了膜的成分及其界面状况，用Ｘ射线衍（ＸＲＤ）研究了膜的微结构，并测定了膜的硬度及进行膜的高温氧化试验。结果指出：（１）离子束轰击使薄膜晶化，从而影响到膜的硬度及抗高温氧化性能；（２）离子呸增强的二硼化钛薄膜是一种耐高温氧化的高硬膜。     

离子束增强沉积形成梯度薄膜

在金属衬底（Ａｌ，钢，铝－碳纤维），Ｎｉ３Ａｌ）上用离子束增强沉积形成氮硅化物的梯度薄膜。在薄膜的一侧有很高的电阻（１０＾７Ω），而在另一侧电阻很低（１Ω），在绝缘层和导电层之间电阻呈梯度变化，对梯度薄膜组分，硬度，附着力，疲劳寿命，抗腐蚀能力和抗高经性能进行了测试和分析。     

离子束增强沉积TiN薄膜的研究

利用多功能离子束增强沉积设备，采用三种不同工艺方法制备ＴｉＮ薄膜，并对制备的ＴｉＮ薄膜进行了ＡＥＳ，ＸＰＳ，ＸＲＤ，ＲＢＳ和ＴＥＭ等分析。结果表明：所制备的薄膜都有很好均匀性，ＴｉＮ薄膜处在压应力状态；在溅射沉积的同时，在０－２０ｋｅＶ范围内，Ｎ＾＋和Ａｒ＾＋离子的轰击使得ＴｉＮ薄膜的生长呈现不同择优取向；随着Ｎ＾＋离子轰击能量的增加，制备的ＴｉＮ薄膜的晶粒增大。     

离子束增强沉积TiN薄膜的研究

利用多功能离子束增强沉积设备，采用三种不同工艺方法制备TiN薄膜，并对制备的TiN薄膜进行了AES，XPS，XRD，RBS和TEM等分析。结果表明：所制备的薄膜都有很好均匀性，TiN薄膜处在压应力状态；在溅射沉积的同时，在0～20keV范围内，N 和Ar 离子的轰击使得TiN薄膜的生长呈现不同择优取向；随着N 离子轰击能量的增加，制备的TiN薄膜的晶粒增大。     

离子束增强沉积钛氧化物薄膜及其抗凝血性能研究

首次采用离子束增强沉积技术对钛基生物材料表面进行了Ｔｉ－Ｏ薄膜系统合成研究，获得了离子呸合成参数－薄膜成分，结构－表面物理性质－抗凝血性能的相互关系，合成的非晶Ｔｉ－Ｏ苤膜具有超过热解碳的优异的抗凝血性能。     

离子束增强沉积立方氮化硼薄膜的研究进展

介绍了用离子束增强沉只法制备立方氮化硼薄膜的主要研究单位及其研究内容和获得的结果。     

新型离子束增强沉积技术

离子束增强沉积技术是近年在离子注入技术基础上发展的新型材料表面改性技术，本文简要介绍多功能离子束增强沉积设备和应用技术研究，设备具有金属离子注入、气体离子注入、离子束增强沉积、磁控溅射沉积功能，进行材料表面改性和制备各种材料薄膜科学研究。     

离子束辅助沉积制备多晶Al2O3薄膜

利用电子枪蒸镀Ａｌ２Ｏ３，同时辅以Ａｒ离子轰击的离子束辅助沉积方法（ＩＢＡＤ）制备Ａｌ２Ｏ３薄膜，并与单纯电子枪蒸镀方法（ＰＶＤ）制备的薄膜进行了结构和表面形貌的比较，ＩＢＡＤ法可以得到结构均匀致密的γ－Ａｌ２Ｏ３晶态薄膜，而ＰＶＤ９方法仅能得到非晶态疏松的结构，分析结果表明，薄膜沉积过程中，提高离子轰击能量和增加基片加热温度在一定程度上具有相同的效果。     

离子束增强沉积制备碳化硼及C—B—Ti化合物薄膜的结构与力学性能…

利用离子束共混制备具有高硬度、高熔点及良好化学稳定性的Ｃ，Ｂ化合物对于彩和离子束增强沉积技术进行材料表面改性有重要意义。利用对烧结碳化硼合物靶进行溅射沉积，同时利用不同能量的Ａｒ＾＋进行轰击的方法，制备了碳化硼及碳、硼、钛混合膜膜，并对它们的结构与力学性能进行了研究。     

离子束辅助沉积制备TiO_2-Nb_2O_5氧敏薄膜

采用离子束辅助沉积方法在Ａｌ２Ｏ３陶瓷衬底上制备了ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５氧敏薄膜。考察了薄膜组分比及退火温度对薄膜氧敏特性和结构的影响。电阻氧分压特性测试结果表明，纯Ｎｂ２Ｏ５薄膜的氧敏特性优于纯ＴｉＯ２薄膜；掺入少量的Ｔｉ可使Ｎｂ２Ｏ５薄膜的氧敏特性提高，以５ｍｏｌ％ＴｉＯ２掺杂的Ｎｂ２Ｏ５薄膜最佳；过量掺杂则使Ｎｂ２Ｏ５薄膜的氧敏特性明显变差。在５ｍｏｌ％ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５薄膜中再掺入少量的Ｐｔ（０３％０５％）可使其氧敏特性更好，而且其响应时间大大缩短。Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ）和Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）分析表明，在退火后的ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５薄膜中Ｎｂ２Ｏ５为单斜（Ｍｆｏｒｍ）结晶相，而掺杂的Ｔｉ以非晶的ＴｉＯ２形式存在，即使在高达３４ｍｏｌ％ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５薄膜中也不例外。纯ＴｉＯ２膜为金红石结构。不同退火温度（９００１１０００Ｃ）对薄膜的氧敏特性和结构无明显影响。     

EBD法制备ZnIn_2Te_4薄膜的性质与XPS研究

用电子束加热沉积法（EBD）制备了厚度420um的ZnIn2ZTe4薄膜。研究了最佳成膜工艺条件和性能，用电子能谱（XPS）分析了ZuIn2Te4薄膜的组成、结构和状态；典型ZnIn2Te4膜最佳参数为：电阻率ρ为3．2×10－1Ω·cm，Hall迁移率是79cm2V－1s－1，载流子浓度是1．58×1017cm－3，禁带宽度（Eg）是2．33eV；探讨了ZuIn2Te4膜导电机理，制作了ZuIn2Te4－Si太阳能电池。     

液相沉积法制备TiO2薄膜及其亲水性能研究

本文采用液相沉积法（ＬＰＤ）制备了透明ＴｉＯ２薄膜,并研究了其紫外一可见吸收性能手紫外光照射下薄膜亲水性能的变化。发现热处理前后的薄膜具有相似的紫外吸收性能,在上光照射下亲水性能都有提高,热处理后的薄膜在紫外光照射下可与水完全润湿。和Ｘ光电子能谱对薄膜表面的分析表明,热处理前后的薄膜亲水性能的差异是由于薄膜表面的Ｔｉ－Ｏ键合及ＴｉＯ２成分增多,在紫外光照射下,Ｔｉ＾４＋变为Ｔｉ＾３＋并有利于水的吸     

二氧化硅薄膜的制备及应用

二氧化硅薄膜具有良好的硬度、光学、介电性质及耐磨、抗蚀等特性,在光学、微电子等领域有着广泛的应用前景,是目前国际上广泛关注的功能材料。论述了有关二氧化硅薄膜的制备方法,相应性质及其应用前景。     

TaOx离子导电薄膜的制备与性能

采用直流反应磁控溅射方法制备Ta2O5薄膜,并研究了其制备工艺;在Amoldussen法的基础上,采用了一种新的方法对Ta2O5薄膜离子导电性能进行了测试。结果表明,制备的Ta2O5,薄膜具有良好的离子导电性能。     

TiO2-ZrO2复合薄膜的制备和摩擦学性能

以ZrOCl2@8H2O和TiCl4为原料,用溶胶-凝胶法制备了高取向的TiO2-ZrO2复合薄膜,研究了复合薄膜的组成结构、表面形貌和摩擦学性能结果表明,该复合薄膜均匀致密、具有四方ZrO2结构;复合薄膜具有良好的减摩抗磨性能.在0.5 N低负荷下,复合薄膜与AISI 52100钢和Si3N4对磨时的摩擦系数为0.14～0.20,耐磨寿命大于5000次.TiO2-ZrO2复合薄膜可用作特殊工况条件下的减摩抗磨保护性涂层.     

磁控溅射防锈MoS2薄膜沉积工艺研究

介绍了磁控溅射制备防锈MoS2薄膜的沉积工艺,同时对影响膜层性能的几个因素进行了初步的探讨,并且制备了防锈性能优良的MoS2薄膜样品。     

Al2O3薄膜的应用与制备

Al2O3薄膜因其光学性能优良、机械强度与硬度高、透明性与绝缘性好、耐磨、抗蚀及化学惰性等特点而引起人们的极大兴趣,已经广泛地应用于光学、机械及微电子等领域。简述了Al2O3薄膜的应用及制备方法。     

离子束辅助沉积碲化铅薄膜的AFM研究

利用原子力显微镜（AFM）研究了离子束辅助沉积碲化铅（Pblle）薄膜的微观结构和表面形貌。结果表明,传统热蒸发方法制备的碲化铅薄膜呈现出明显的柱状结构,离子束轰击可以显著改变薄膜的微观结构,导致柱状结构的逐渐消失和晶粒的长大。