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报道了一种大功率无衬底N-GaAlAs/P-GaAs:Si单异质结红光二极管的制造工艺和主要光电特性。该器在50mA工作电流下,输出功率典型值7.5mW,最大功率11mW。 相似文献
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报道了高亮度GaAlAs/GaAs双异质结红色发光二极管的制作和实验结果。该器件在20mA工作电流下,最大发光强度约500mcd。 相似文献
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报道了高亮度GaAlAs/GaAs双异质红红色发光二极管的制作和实验结果。该器件在20mA工作电流下,最大发光强度约500mcd。 相似文献
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陈福荫 《固体电子学研究与进展》1991,11(2):137-142
本文应用普适参数紧束缚方法计算了GaAs/Si异质中界面组成、键能、自然键长、力常数以及键的弛豫等性质.由键能和力常数推断As和Ga原子均能在界面处与Si原子成键,但Si-As键更强一些,考虑到Si和Ga原子在界面的互扩散作用,提出了界面层的可能生长机理.作者认为界面层应由SiAs和GaSi组成的膺合金Ga_xA(?)_(1-x)Si构成,根据价带极大值随组分x的变化,指出x的范围处在0.1~0.6之间.由键的弛豫效应预示x的最佳范围在0.1~0.3之间.由此设想,通过控制组分,有可能使由晶格畸变产生的界面应力减至比较小,从而为消除因晶格畸变产生的应力缺陷给出了理论依据. 相似文献
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由于可以把Si集成电路和GaAs光电子器件集成在一块电路上的广阔应用前景,而使人们对si上异质外延GaAs产生了浓厚的兴趣,但si和GaAs的晶格常数和热膨胀系数失配,GaAs/Si产生高的位错密度和微孪晶,由于这个原因,很难获得高质量的外延层及用这种材料生产优质的光电子器件,为了减少缺陷,研究缺陷的性质及其成因是很有意义的。已有很多人对GaAs/Si的微孪晶进行了研究,如吴小京等做出了微孪晶的结构模型,谢强华等观察到微孪晶的不对称分布,而对微孪晶的的形成机理还未见报 相似文献
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佳水 《激光与光电子学进展》2002,39(4):36-37
1引 言激光二极管线阵是固体激光器抽运系统的一种基本元件。研制和生产二极管线阵的复杂性在于,它是含有50~100个单条或多条激光结构的集成单块器件,它的总宽度约为10mm。仅在所有条状激光器输出特性高度均匀时才能得到功率大于100W的激光线阵,不然的话,由于异质结构参数的局部不均匀性、腔镜或组装缺陷,以及电流抽运达100A时,一 相似文献
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硅基GaAs/GaAlAs平面光波导的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)GaAs/GaAsAl/GaAs/Si材料结构的性能,用MOCVD法地硅衬底上生长了GaAs/GaAsAl/GaAs材料,并用这种材料制备了平面光波导样品,测定了1.3μm,单模激光的传输损耗小于0.65dB/cm。 相似文献
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C.J. Brabec C. Winder N.S. Sariciftci J.C. Hummelen A. Dhanabalan P.A. van Hal R.A.J. Janssen 《Advanced functional materials》2002,12(10):709-712
A novel low‐bandgap conjugated polymer (PTPTB, Eg = ∼ 1.6 eV), consisting of alternating electron‐rich N‐dodecyl‐2,5‐bis(2′‐thienyl)pyrrole (TPT) and electron‐deficient 2,1,3‐benzothiadiazole (B) units, is introduced for thin‐film optoelectronic devices working in the near infrared (NIR). Bulk heterojunction photovoltaic cells from solid‐state composite films of PTPTB with the soluble fullerene derivative [6,6]‐phenyl C61 butyric acid methyl ester (PCBM) as an active layer shows promising power conversion efficiencies up to 1 % under AM1.5 illumination. Furthermore, electroluminescent devices (light‐emitting diodes) from thin films of pristine PTPTB show near infrared emission peaking at 800 nm with a turn on voltage below 4 V. The electroluminescence can be significantly enhanced by sensitization of this material with a wide bandgap material such as the poly(p‐phenylene vinylene) derivative MDMO‐PPV. 相似文献
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LIULu FANGuang-han LIAOChang-jun 《半导体光子学与技术》2004,10(2):86-92
A simple model of the graded heterojunction in AIGalnP compound semiconductors was introduced to analyze the band profile. The band profiles are analyzed with the different grading ways but the same grading length and under the different doping densities. The effect of the different grading lengths on the surplus of the potential of the spike to the potential of N region are also analyzed under the different doping densities. Through the experiments, it proves that the performances of high brightness light emitting diodes can be improved by the effects of the graded heterojunction. 相似文献
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MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较 总被引:2,自引:0,他引:2
用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/AlGaAs量子阱材料,并制成红外探测器.测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性,峰值波长7.9μm,响应率达到6×103V/W,与分子束外延法(MBE)生长的材料和相关器件进行了比较,MOCVD法可满足量子阱材料和器件的要求. 相似文献
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半导体超晶格量子阱红外探测器的研制近年来取得了引人注目的成果,其中 GaAs/AlGaAs 红外器件的发展最快。本文在简要综述其单元探测器的基础上,着重介绍这种材料用于红外探测器列阵和焦平面的新成果。 相似文献
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文章旨在介绍适应于长波红外焦平面阵列技术发展的红外探测器,由于篇幅的关系,本文着重评述InAsSb应变层超晶格红外探测器和GaAs/GaAlAs多量子阱红外探测器的特点、器件结构、主要制作工艺,性能参数,以及急需要解决的一些问题。 相似文献
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