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报道了一种大功率无衬底N-GaAlAs/P-GaAs:Si单异质结红光二极管的制造工艺和主要光电特性。该器在50mA工作电流下,输出功率典型值7.5mW,最大功率11mW。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》1995,15(1):21-25
报道光控平面GaAs-PIN二极管的实验结果。采用V形浅槽的全离子注入工艺,研制了GaAs-PIN二极管。器件击穿电压高达80V,最小电容0.2pF。光控I-V曲线类似晶体管特性,光控电流能力为300μA/mW。装成移相器电路,测得在L波段的光控相移20°~26°。 相似文献
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报道光控平面GaAs-PIN二极管的实验结果。采用V形浅槽的全离子注入工艺,研制了GaAs-PIN二极管。器件击穿电压高达80V,最小电容0.2pF。光控I-V曲线类似晶体管特性,光控电流能力为300μA/mW。装成移相器电路,测得在L波段的光控相移20°~26°。 相似文献
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本文分析了非对称大光腔结构在提高GaAlAs/GaAs激光器输出光功率方面的优越性。计算了为获得最大功率和基模工作所应选用的有关参数。在上述分析的基础上,研制了非对称大光腔(A-LOC)GaAlAs/GaAs激光器,其未涂覆输出光功率达85mW以上,这一结果与理论计算基本符合。 相似文献
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刘鹏 《信息技术与信息化》1996,(2)
本文介绍了国内外SI-GaAs材料的市场现状及应用,简述了SI-GaAs材料制备新工艺和提高质量水平的途径,指出SI-GaAs材料的发展方向及市场前景,并对我国SI-GaAs材料与国外相比所存在的差距作了分析,提出今后发展的方向。 相似文献
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卫星用AlGaAs/GaAs太阳能电池 总被引:1,自引:1,他引:1
介绍了GaAs太阳能电池的基本原理,结构设计和制作工艺。用水平液相外延一室分离多片旬延石墨舟研制了p-AlxGa1-xAs/p-n-GaAs结构的太阳能电池。在AMO,100mW/cm^225℃的测试条件下,开路电压(Voc)为994mV,短路电流密度为23.2mcm^2,填充因子(FF)为0.794,光电转换这18.25. 相似文献
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InP Gunn devices with graded doping profiles were evaluated for second-harmonic power extraction above 260 GHz. The best devices generated radio frequency(RF) output power levels of 3.9 mW at 275 GHz, 4.8 mW at 282 GHz, 3.7 mW at 297 GHz, 1.6 mW at 329 GHz, and 0.7 mW at 333 GHz with corresponding dc-to-RF conversion efficiencies of 0.24%, 0.31%, 0.32%, 0.19%, and 0.07%. The highest observed second-harmonic frequency was 345 GHz. Two devices each in an in-line power combining circuit generated 6.1 mW at 285 GHz and 2.7 mW at 316 GHz with combining efficiencies of more than 65%. 相似文献
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基于六阳极结反向串联型GaAs平面肖特基二极管,设计并实现了0.2 THz大功率二倍频器。肖特基二极管倒装焊接在50m石英电路上。采用电磁场和电路联合设计仿真获得了二倍频器的倍频效率。当入射功率在100 mW时,输出频率在190~225 GHz带内效率大于5%。在小功率(Pin100 mW)和大功率(Pin300 mW)注入条件下,测试了倍频电路的输出功率和倍频效率。在100 mW驱动功率下采用自偏压测试,最大输出功率为14.5 mW@193 GHz,对应倍频效率为14%;在300 mW驱动功率下采用自偏压测试,在188~195 GHz,输出功率大于10 mW,最大输出功率为35 mW@192.8 GHz,对应倍频效率为11%。 相似文献
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半导体激光照射对红细胞流变学性质的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
目的:研究低强度激光对红细胞流变学特性的影响。方法:分别用3mW、4mW、5mW、6mW、10mW的半导体激光照射患者离体血液,直接测量切变率为100 S-1、300 S-1、600 S-1、1000 S-1时红细胞的变形指数Dii、最大变形指数MAXDI和变形指数曲线面积SSS。结果:用650nm激光照射20min后,红细胞变形能力有明显改善,此变形能力的改善随照射功率增大而增强,至4mW后趋于饱和。结论:低强度激光照射能显著提高红细胞的变形能力,功率为4mW效果最佳。 相似文献
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基于四阳极结反向串联型GaAs平面肖特基二极管,设计并实现了0.2 THz宽带非平衡式二次倍频电路。肖特基二极管倒装焊接在75 m石英电路上。在小功率和大功率注入条件下,测试了倍频电路的输出功率和倍频效率。输入功率在10~15 mW时,通过加载正向偏置电压,在210~224 GHz,倍频效率大于3%,在212 GHz处有最高点倍频效率为7.8%。输入功率在48~88 mW时,在自偏压条件下,210~224 GHz带内倍频效率大于3.6%,在214 GHz处测得最大倍频效率为5.7%。固定输出频率为212 GHz,在132 mW功率注入时,自偏压输出功率最大为5.7 mW,加载反向偏置电压为-0.8 V时,输出功率为7.5 mW。 相似文献
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本文报道了利用最大输出功率为650mW的全固态Nd:YVO4/LB0671nm红光激光器作为泵浦源,纵向泵浦Cr:LiSAF,利用LBO腔内倍频,获得430nm的连续蓝光输出的实验研究,并解释了当泵浦功率继续增大时,输出功率下降的原因。在泵浦功率为560mW时,获得了最大输出功率为9mW的430nm蓝光输出,激光的阈值为230mW。 相似文献
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Timo J. Tolmunen Antti V. Räisänen 《Journal of Infrared, Millimeter and Terahertz Waves》1989,10(4):505-518
The multiplication efficiency of a millimeter-wave Schottky-varactor quintupler with fixed idler terminations was studied. The highest efficiency measured was 4.2% at 168 GHz with 10 mW input power and 3.3% with 40 mW input power. Over the range from 165 GHz to 170 GHz the output power was 0.7–1.3 mW withp in =40 mW. 相似文献
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《Microwave Theory and Techniques》1985,33(6):533-538
A balanced, dual-diode varactor frequency doubler for 85-116 GHz is described and its performance compared to that of a single-diode device. The balanced doubler can provide a minimum of 18 mW between 85 and 116 GHz for 190-mW maximum safe input power, while the single-diode doubler using the same diode-type exhibits a minimum output power of 10 mW over the same frequency range for a maximum safe input power of 90 mW. An improved single-diode design using a higher break-down voltage diode has achieved a minimum output power of 18 mW between 97 and 116 GHz for a maximum safe input power of 150 mW. These devices have been used in cascade with a frequency tripler to implement a 6X multiplier chain to 310-350 GHz with a minimum output power in this submillimeter band of 0.6 mW. 相似文献
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1.064 mu m upconversion pumping was used to operate a highly efficient CW and Q-switched thulium (Tm/sup 3+/)-doped fluoride fibre laser at around 1.47 mu m. The maximum CW output power was 100 mW for a launched pump power of 570 mW. The threshold power was 200 mW, the slope efficiency 27% and the wavelength width 20 nm. A peak power of 70 W was generated for Q-switching at a launched pump power of 300 mW.<> 相似文献