NPT型IGBT的技术特点

论述了ＮＰＴ型ＩＧＢＴ的结构、工艺和特性。与ＰＴ型ＩＧＢＴ相比,ＮＰＴ型ＩＧＢＴ开关损耗下降了２０％,其安全工作区（ＳＯＡ）和短路承受能力得以改善,可靠性亦相应提高。     

NPT型IGBT静态模型分析及仿真

对非穿通型绝缘栅双极晶体管 (NPT IGBT)的静态工作特性进行了理论分析。从IGBT结构入手 ,把它看作MOSFET驱动的BJT ,从其包含的BJT和MOSFET分别讨论。并且对比了传统BJT模型和IGBT中包含的BJT模型的分析方法 ,详细讨论了用双极传输方程分析BJT模型。在MATLAB的仿真环境中添加相应的模型描述语言S function ,实现静态特性 ,为实现动态仿真提供前提条件     

NPT型IGBT电热仿真模型参数提取方法综述

对NPT型IGBT电热仿真模型的工作原理进行了概述,并将模型参数分为电参数(即基于半导体物理的Hefner器件模型参数)和热参数(即反映器件封装传热的Cauer网络参数)两大类,然后对近年来模型参数提取方法的研究情况进行讨论。依据提取技术手段的不同将IGBT电参数提取方法归纳为仿真提取、经验估计、参数隔离和参数优化4类,并从时效性、准确性、复杂性等方面对各种方法进行了比较和评价;从IGBT的封装结构和封装瞬态热阻曲线2个方向出发讨论了Cauer网络参数的提取。最后讨论了一个模型电参数的提取步骤。     

IGBT驱动电路性能分析

阐述了对ＩＧＢＴ驱动器的基本要求,介绍了ＩＧＢＴ驱动器的各种电路形式及特点,指出了使用时应注意的问题。     

NPT型IGBT静态模型分析及仿真

对非穿通型绝缘栅双极晶体管(NPT-IGBT)的静态工作特性进行了理化分析.从IGBT结构入手,把它看作MOSFET驱动的BJT,从其包含的BJT和MOSFET分别讨论.并且对比了传统BJT模型和IGBT中包含的BJT模型的分析方法,详细讨论了用双极传输方程分析BJT模型.在MATLAB的仿真环境中添加相应的模型描述语言S-function,实现静态特性,为实现动态仿真提供前提条件.     

IGBT的驱动与保护

本文讨论了ＩＧＢＴ驱动电路的特点及设计驱动电路应考虑的问题,并叙述了ＩＧＢＴ使用时故障产生的机理及基本的保护方法。在此基础上,给出了一些实用的驱动与保护电路。     

IGBT器件使用指南

在国际上80年代中后期出现的一种绝缘栅双极晶体管IGBT,它是微电子的先进工艺技术向电力电子领域渗透发展的产物,人们称之谓第三代电力电子器件(第一代为硅晶闸管,第二代为GTO可关断晶闸管、GTR-巨型晶体管),它具有功率MOSFET(包括VDMOS)器件和双极功率晶体管的一系列优点。现在新型的IGBT已克服了早期IGBT常见的锁定(Latch-up)问题,正在许多产品中取代双极功率晶体管。IGBT具有易于驱动、快速开关等优点,     

有源滤波器IGBT驱动模块应用与性能分析

针对有源电力滤波器( APF) IGBT的驱动问题,利用2SD106驱动模块,搭建了有效的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动电路.通过分析2SD106驱动模块特性,设计出电压抑制及互锁电路、电压监控及错误复位电路,并在不同频率下将其与常用驱动模块进行了驱动能力和通断情况的性能对比.实验结果表明,该设计能提供有效的IGBT驱动信号,驱动效果良好,并能提供相应保护,保证系统可靠运行.将提出的驱动电路成功应用于一台100 kVA APF实验样机,样机的长期运行证明了该设计的有效性和实用性.     

非对称型IGBT击穿电压的数值分析

根据数值计算结果，提出了一种简便又相当精确的设计非对称ＩＧＢＴ击穿电压的方法。     

压接式IGBT模块的开关特性测试与分析

随着柔性直流输电技术朝着更高电压等级、更大系统容量方向的发展,作为其中关键设备的换流阀和混合式直流断路器对大容量IGBT器件的封装特性和电气性能提出了更高要求。与焊接式IGBT相比,压接式IGBT具有功率等级更高、开关速度更快、易于串联等优点,成为柔性直流输电的优选器件。为系统掌握压接式IGBT模块的应用特性,设计了基于双脉冲测试原理的压接式IGBT模块开关特性的测试平台。基于测试结果,分析了不同压接力、负载参数和结温条件对压接式IGBT模块开关特性的影响规律;并从器件封装特性和半导体物理层面、初步探讨了压接式IGBT模块开关特性的变化机理,为其在大功率电力变换领域的推广和应用提供参考。     

翅柱式IGBT水冷散热器的热仿真与实验

为分析翅柱式绝缘栅双极型晶体管(IGBT)水冷散热器的换热性能,利用Hyper Mesh软件对IGBT元件和完整散热器建立高质量的网格,通过FLUENT软件计算得到了水冷散热器内部槽道的流速分布、IGBT元件与水冷散热器的温度场分布。为验证仿真方法的可行性,建立了水冷测试系统进行温升实验。考虑到IGBT元件不能长时间工作在极限工况,损耗特性与结温互相影响以及内部芯片结温不便测量等问题,实验中采用了自制的模拟热源代替IGBT元件。以实验条件作为输入参数,建立模拟热源与水冷散热器的网格模型并求解计算,对比分析表明水冷散热器安装面上测温点仿真结果与实验数据的相对误差在4%以内。     

一种大功率IGBT软开关驱动电路

针对单一阻值栅极驱动器的不足,分析了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的开关特性,阐述了IGBT驱动电路的关键点,设计了一种基于复杂可编程逻辑器件(CPLD)多等级控制的大功率IGBT软开关驱动电路。最后通过双脉冲实验,分别对比了软开关驱动和3.3Ω,10Ω单一阻值驱动在控制IGBT开通和关断时的特性参数,验证了软开关驱动在某些特性参数方面具有明显的优越性。     

用于工业牵引的软穿通IGBT技术大功率模块

随着1.7 kV SPT(软穿通)IGBT LoPak密集型封装结构模块类型的引入,为进一步开发利用新的1.7 kV SPTIGBT和二极管芯片的特性,研发了电压为1.7kV,电流额定值为2.4 kA新封装类型的模块,该模块采用了E1和E2工业标准模块封装形式.在长期高可靠性应用的经验基础上,设计了新的封装类型,其特性适用于牵引市场.讨论了1.7 kV SPT IGBT(E1/E2)模块范围的特性,尤其论述了改进的静态和动态特性.     

高频条件下IGBT驱动电路的设计与仿真

对大功率IGBT的开关特性、驱动要求进行了分析和讨论,介绍了一种高频条件下实用的IGBT驱动电路,并通过理论分析和仿真波形说明该驱动电路的有效性和适用性。     

驱动1700V IGBT的几种高性能IC选型设计

通过对几种常用的1700V IGBT驱动专用集成电路进行详细的分析,对M579系列和CONCEPT公司的2SD系列进行深入的讨论,给出了电气特性参数和内部功能框图,设计了典型应用电路,讨论了使用要点及注意事项。根据每种IC驱动IGBT试验,验证了各自的特点及驱动1700V IGBT时的性能。     

2.5kA/1.2kV两单元IGBT模块

介绍一种工业用2.5 kA/1.2 kV两单元IGBT模块.在该大电流器件中,P端到N端的内部连线电感非常小.半导体硅片的巧妙布局有效地提高了模块的散热能力,采用铝底板直接连接绝缘基板来提高热循环能力.对于这种底板面积较大的器件,为了获得更好的底板和散热片之间的热接触.底板被分成几段.2.5 kA/1.2 kV两单元IGBT模块的封装同样适用于1.8 kA/1.7 V两单元IGBT模块.     

IGBT模块窄脉冲解决方案

绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块在运行过程中,若出现窄脉冲,会对IGBT造成较大影响,甚至损坏。主要是因为内部IGBT或体二极管单元在未完全开通情况下又重新关断,这一过程产生的di/dt要比正常完全开通再关断的情况大很多,从而对于IGBT单元会产生很大的关断电压尖峰,而对于体二极管单元而言,会产生很大的du/dt和振荡。在此以模块FF1000R17IP4为例,分析了出现窄脉冲的原因,然后给出了限制窄脉冲的方法。     

IGBT变电阻开通策略的研究

提出了一种新的驱动策略来改善绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的开通特性。将短路检测与变电阻开通结合,根据实际情况选择两级变电阻或三级变电阻开通IGBT,同时研究了不同变电阻方式下门极电阻切换的时刻。实验结果验证了该策略既有三级变电阻开通的优势,又能保证在Ⅰ类短路的情况下集电极电流的变化率不至于过大而损坏IGBT。