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美国 Moton International 公司是世界上最早采用化学气相淀积法(CVD)商业规模制造碳化硅大尺寸材料的厂家。该公司通过其在日本的独资公司于92年初正式销售样品,预计第一年销售额为1亿日元,五年内超过10亿日元。迄今,在要求高硬度、高温强度、高热传导率、高刚性的领域中大量使用的碳化硅制品,全都是粉末碳化硅烧结固化的粘合烧结品或反应烧结品,由于这些制品是由两种以上的材料构成的,在很多场合下仍含30~40%的粘合剂及硅,所以降低了碳化硅本身的特性,产品质量不稳定,次品率高。 相似文献
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等离子化学传输淀积[PCTD]法是我们设计的一种用来制备非晶态硅合金膜的新法。利用从气体源产生的等离子体中的活性元素,在腐蚀区腐蚀多晶硅或多晶硅加掺杂料。腐蚀后的产物由于气流和电场的作用,传输到淀积区与衬底表面起反应淀积出非品硅合金膜。用此法也能淀积出非晶态砷化镓薄膜。 相似文献
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蓝宝石衬底上6H-SiC单晶薄膜的化学气相淀积生长 总被引:5,自引:0,他引:5
采用低压化学气相淀积方法以相对较低的生长温度(900~1050℃)在蓝宝石(0001)衬底上外延生长了6H-SiC单晶薄膜。其晶体质量和结构由X射线衍射谱和喇曼散射谱的测量结果得到确定。俄歇电子能谱和X射线光电子能谱的观察表明所制备的6H-SiC薄膜中的Si-C键的结合能为181.4eV,Si与C的原子比符合SiC的化学配比。扫描电子显微镜的分析显示6H-SiC外延层和蓝宝石衬底间的界面相当平整。由紫外及可见光波段吸收谱的结果得到所生长的6H-SiC的禁带宽度为2.83eV、折射系数在2.5~2.7之间。均与6H-SiC体材料的相应数据一致。 相似文献
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阐述了SiOx涂塑包装膜的最新发展及等离子体化学气相沉积技术在制造SiOx涂塑包装材料中的应用。 相似文献
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利用SiH4(80%Ar稀释)和CH4作为源气体,通过改变源气体流量比、基片温度、沉积气压等参量,使用微波电子回旋共振化学气相沉积法生长非晶碳化硅薄膜。实验结果表明碳化硅薄膜沉积速率随气体流量比R(CH4/(CH4+SiH4))的增加而减小、随基片温度的升高明显减小、随沉积气压的增加先增大后减小。红外结构表明:在较低流量比R下,薄膜主要由硅团簇和非晶碳化硅两相组成,而当R>0.5时,薄膜的结构主要由非晶碳化硅组成,薄膜中键合的H主要是Si和C的封端原子。同时,沉积温度的升高使碳化硅薄膜中Si-H,C-C和C-H键的含量减少,而薄膜中Si-C含量明显增加且峰位发生了红移。薄膜相结构的转变是薄膜光学带隙变化的原因。 相似文献
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本文以四氯化钛(TiCl4)和硅烷(SiH4)为源物质,采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)工艺结合常规热退火制备了优良的TiSi2薄膜。研究了淀积和退火条件对薄膜性质的影响。用四探针检测了退火前后薄膜的薄层电阻,用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射分析了薄膜的化学组成和晶体结构。 相似文献
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本文介绍和评述了化学气相沉积法制备人造金刚石薄膜及其进展。重点评述了反应机理、发展历史、沉积方法、补底材料、检测手段。论述了有利于形成立方晶系金刚石材料的沉积条件。 相似文献
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本文介绍和评述了化学气相沉积法制备人造金刚石薄膜及其进展,重点评述了反应机理,发展历史,沉积方法,补底材料,检测手段,论述了有利于形成立方晶系金刚石材料的沉积条件。 相似文献
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《真空科学与技术学报》1987,(6)
中国真空学会薄膜专委会化学气相淀积学组于1987年9月24~27日在无锡召开了第二届全国CVD学术讨论会。会议由学组正、副组长王季陶、蒋翔六主持。华东师范大学王济身教授专程参加会议并作了学术报告。全国各地代表68人参加了会议。学术论文共70篇。与1985年第一届全国会议相比,人 相似文献
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从分子动力学的观点出发,引入了吸附因子,建立了势壁低压化学气相淀积多晶硅薄膜的膜厚模型,在此进行计算机模拟。模拟结果与R.S.Rosler的实验结果相似,该模型从分子动力学的角度阐明了多晶硅薄膜的生长过程。 相似文献
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谢常青 《真空科学与技术学报》1995,(4)
从分子动力学的观点出发,引入了吸附因子.建立了热壁低压化学气相淀积多晶硅薄膜的膜厚模型,在此基础上进行了计算机模拟。模拟结果与R.S.Rosier的实验结果相似。该模型从分子动力学的角度阐明了多晶硅薄膜的生长过程。 相似文献
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无机薄膜在现代科学技术中占有重要地位。CVD法是制备这类薄膜的有效手段之一.它装置简单,操作方便,工艺重现性好,且可在沉积薄膜的过程中随时调节薄膜的组成.过去20年里,在常压CVD得到广泛应用的同时,低压CVD、等离子体增强CVD(包括微波等离子体CVD)、光激发CVD(包括激光激发CVD)相继出现,并被成功地应用于优质薄膜的制备中。可预言,随着实践和理论的不断发展,CVD将更广泛地应用于现代科技领域中. 相似文献