一种新式掩膜版制作工艺

无论是在半导体还是在微电子行业，掩膜版的制作都被视为一项非常重要的环节。随着科技及制造业的发展，掩膜版的制作技术也由一开始的手工刻红膜照相制版发展到现在的图形发生器直接绘图制版。不仅仅是效率，更重要的是在精度上得到质的飞跃和提高，为半导体和微电子行业的发展提供了坚实的基础和保证。本文回顾了制版技术的发展，并且结合中国大部分企业的现状，提出了一种独特的制版方法。     

对一台光栅扫描电子束曝光机制作掩膜版质量的分析

本文在成熟使用电子束曝光机制作各处掩膜版的基础上，针对主人掩膜版质量的三大因素即：图形尺寸精度，图形套准精度，芯片合格率逐一详细分析，以研究探讨如何应用电子束曝光机制作高质量的掩膜版。     

接触接近式曝光机曝光方式浅析及实例

不同的曝光方式适应不同的曝光工艺,对接触接近式曝光机的曝光方式进行了研究,分析了不同曝光方式适用的场合。并给出了一个通过改进曝光方式实现曝光工艺的成功实例,进一步证明了将产品生产工艺知识融入到半导体设备设计研发过程中的必要性。     

曝光机中LED光源替代传统汞灯的技术探讨

PCB行业传统普通曝光机使用汞灯光源发射出紫外线光(UV),这UV汞灯为热光源,缺点温度高、耗电量大并且产生臭氧造成环境危害;近几年流行的LED为冷光源,相对UV汞灯发热量低、耗电量少且不产生有害物质.因此PCB普通曝光机新推出的设备逐步使用LED光源取代汞灯,并且原有汞光源传统曝光机选择升级改造为LED光源.文章就曝...     

电子束和接触式曝光机的混合曝光技术

Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光，在50kV加速电压下，其曝光剂量为50-100μC/cm^2，曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍，分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT：一种用Ⅰ线光致抗蚀剂，对源、漏及栅全部都采用电子束曝光，制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT；另一种将源、漏及栅分割成两部分，其中精细部分由电子束曝光，其余部分由光学系统曝光，用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ     

高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法

结合制作光子晶体结构的具体要求,研究了电子束曝光得到的电子束胶上(GaAs衬底)随实验条件变化的图形.结果表明,胶的厚度、曝光剂量、显影/定影时间等参数对图形的质量有重要影响.通过合理优化这些参数,我们得到了高质量的掩膜图形.     

电子束曝光机图形处理系统

本文针对现有电子束曝光机在图形处理过程中存在的一些问题，提出了以辅配微机来增强原机处理能力的方法。对曝光机的图形处理过程及异机通讯等问题作了较详细的介绍。     

掩膜版线状mura的控制方法

在分析掩膜版出现线状mura主要是由于图形关键尺寸(critical dimension,CD)精度周期性波动的基础上,深入分析了光刻设备的曝光原理以及掩膜版光刻过程,得出导致掩膜版图形CD精度周期波动的因素,主要是扫描带(scanstrip)与扫描带之间重叠区域(overlap)的能量与扫描带内的能量差异所致。基于此,给出了几种可以减弱掩膜版线状mura现象的方法,并深入分析了每种方法适用的情景及限制条件,从而可以根据具体的光刻图形,来选取合适的线状mura控制方法,以期在最大程度上减少掩膜版线状mura的问题。     

高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法

结合制作光子晶体结构的具体要求,研究了电子束曝光得到的电子束胶上(GaAs衬底)随实验条件变化的图形.结果表明,胶的厚度、曝光剂量、显影/定影时间等参数对图形的质量有重要影响.通过合理优化这些参数,我们得到了高质量的掩膜图形.     

一种新型接触式双面对版曝光机

本文介绍一种新型双面对版曝光机。该机由传统的单面曝光机改装而成，结构简单，工作原理新颖，操作简便，能方便地在任意中间工序实现晶片定向和双面图形对准曝光。双面图形对准偏差可控制在±１０μｍ以内。本文并分析比较了各种双面对版曝光设备和技术特点。     

Toppan Printing宣布进入32nm掩膜版量产

为了缩短光刻掩膜版循环周期,控制成本,日本掩膜版制造商凸版印刷（Toppan Printing）日前表示,作为业界第一个开发32nm光掩膜制造工艺的制造商,他们于6月开始量产32nm掩膜版,性能已通过了领先向32nm工艺转移的数码相机、移动电话和其他器件的芯片制造商的验证。     

掩膜版清洗和光刻胶去除面临的挑战

在65nm及以下节点,掩膜版的清洗变得更为关键,需要采用新的方法和技术。在传统的湿法工艺化学顺序中,首先用硫酸／双氧水混合液,然     

基于准分子激光工艺制作X射线光掩膜

LIGA工艺是一项能够应用于制造三维微机械结构的微细加工技术,但制作掩膜版工艺复杂、成本高。为了解决商用的微光学系统制造成本问题,在Au薄膜上用准分子激光直写的方法制作掩膜,这样既能够很快得到雏形,同时也能够降低制作的掩膜版的成本。分析讨论了基于电子束制作掩膜版和基于准分子激光制作掩膜版两种方法,得出了准分子激光制作的掩膜在成本和时间上都有优势的结论。将通过准分子激光技术制作的掩膜置于X射线下,在PMMA基板上可以加工很好的三维微结构。通过依次直接激光烧蚀金薄膜可以加工具有一系列微球状结构的吸收体图形,再将此图形转写到PMMA基板上,可以得到的最低像素为25μm。     

高精密度平行光曝光机图形转移技术

随着电子产品高精度成像的需求,对印制电路板的设计与制造的要求也越来越高。这推动了PCB生产所需的曝光设备的研制。为此研发出平行光曝光设备是制作密集细线路的关键。文章介绍了平行曝光机工作原理,解析了高精密度平行光曝光机图形转移技术要点,如PCB粗糙度、贴膜、曝光、显影等。实验结果表明:可以从原来的0.127mm/0.127mm(5mil/5mil)线路能力提升到0.05mm/0.05mm(2mil/2mil)能力,实现了向精细线路的大跨越,为制作高精密度线路板提供了强大的技术基础。     

TFT-LCD阵列基板栅极半透掩膜版设计研究

本文采用40%和45%透光率的栅极半透掩膜版,详细分析了各透光率下的曝光特性、工艺波动性、生产节拍、量产可行性等。研究表明：栅极半透掩膜版透光率设计可结合产品性能要求和生产节拍进行选择。高端产品,工艺稳定性要求高,需求品质优,可以选择40%透光率;中低端产品,工艺波动性容忍度大,考虑生产产能,可以选择45%透光率。     

EUV掩膜版的等离子刻蚀法

<正>随着集成电路制造技术的进步,尽管CD已经接近物理和理论极限,其继续减小的趋势依旧延续着。无论如何,目前的光刻技术将在未来的几年之内达到极限,下一代使用更短波长的光刻技术即将     

EUV掩膜版清洗--Intel的解决之道

对于极紫外（EUV）光刻技术而言，掩膜版相关的一系列问题是其发展道路上必须跨越的鸿沟．而在这些之中又以如何解决掩膜版表面多层抗反射膜的污染问题最为关键。自然界中普遍存在的碳和氧元素对于EUV光线具有极强的吸收能力，在Texas州Austin召开的表面预处理和清洗会议上，针对EUV掩膜版清洗方面遇到的问题和挑战，