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相似文献
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1.
三、触头材料的开发真空开关对触头材料具有一定的要求,但对不同用途的真空开关其要求则各有侧重。归纳起来主要有下列几个方面:(1)开断能力;(2)抗熔焊性能;(3)截流水平;(4)耐电压强度。 1.开断能力到目前为止CuCr合金是开断性能较大,适合作真空断路器的触头材料。为了进一  相似文献   

2.
程礼椿 《高压电器》1993,29(1):28-33
<正> 1992年9月6~10日,第15届真空放电与绝缘国际会议在德国Darmstadt举行。会上,日本东芝公司的代表就日本真空灭弧室近期发展情况提出报告。报告内容包括:在小尺寸灭弧室中阳极斑点的新机理;小电流和过电压的新研究;低过电压和高耐压触头材料的开发;电压老炼作用的新研究;低过电压和大电流真空灭弧室的开发。这篇报  相似文献   

3.
现代真空灭弧室   总被引:1,自引:0,他引:1  
本介绍了现代真空灭弧室的基本结构设计,触头材料,触头形状及波纹管等方面的最新成果。  相似文献   

4.
真空断路器具有很多优点,如容易维护、免检修、安全和无环境污染等,因此国内外均在研究开发高于中等电压水平的真空灭弧室及真空断路器。  相似文献   

5.
6.
本文对影响真空灭弧室性能的触头结构形式,触头开矩,屏蔽罩等因素进行了分析,可为真空灭弧室内部结构的合理设计及改善其性能提供依据。  相似文献   

7.
程礼椿 《高压电器》1995,31(5):44-46,59
简要介绍了美国西屋公司最近研究获得的纵磁真空灭弧室交流临界纵磁经验公式,它对于设计灭弧室纵磁触头结构有重要的参考价值。  相似文献   

8.
真空灭弧室冲击电压作用下的击穿统计特性研究   总被引:7,自引:3,他引:7  
本文实验测取了实际真空灭弧室在雷电冲击电压下的静态击穿统计特性。根据实验结果,引入一个特征参量x来描述电场应力的作用,指出真空灭弧室的绝缘击穿是在电场应力达到一定值后才有可能发生。借助击穿弱点的概念,从间隙击穿的微观过程出发,推导了击穿累积概率分布特性,并对理论结果和击穿机理做了分析。最后,对x参数的物理意义进行了初步探讨。  相似文献   

9.
10.
高电压等级真空灭弧室绝缘结构的研究   总被引:6,自引:1,他引:5  
闫静  马志瀛 《高电压技术》2005,31(6):6-8,18
为了解真空灭弧室的绝缘性能,通过对72.5kV真空灭弧室试品的冲击耐压试验以发现规律、分析其影响因素并改进绝缘结构。试验表明,其内部绝缘击穿并非发生在触头间隙,而是触头背部与主屏蔽罩间的间隙放电。增大触头边缘与背部过渡处的圆弧半径后,提高了耐压水平。进一步提出126kV真空灭弧室内部绝缘结构的设计方案,计算了电场分布情况并用真空灭弧室绝缘击穿的统计特性分析其耐压特性。  相似文献   

11.
高电压真空灭弧室触头间长真空间隙静态绝缘特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
在真空开关向高电压方向发展的背景下,高电压真空灭弧室触头间长真空间隙的绝缘特性成为关键问题之一。Slade提出了临界击穿场强理论,解释了真空中平板电极间直流电压临界击穿场强及其与开距的关系。笔者以临界击穿场强理论为基础,以126 kV真空灭弧室触头间隙为研究对象,将临界击穿场强理论应用于长真空间隙(开距60 mm)和交流电压(工频50 Hz)情况下,得到了高电压真空灭弧室触头间长真空间隙的工频临界击穿场强与触头开距的关系。  相似文献   

12.
本文阐述了真空灭弧室具有强纵向电流磁场的触头结构。纵向磁场单位磁感应强度达到10mT/kA是缩短强电流电弧从集聚形态到准散射形态过渡时间的先决条件。为使电弧从集聚形态过渡到准散射形态用径向磁场分量来控制电弧在触头整个表面的移动。电弧的两个强电流形态能够降低触头分离速度,因而,在保持怕短路电流条件下能成倍地提高灭弧室的寿命。  相似文献   

13.
关于高电压等级真空灭弧室研究与开发   总被引:3,自引:5,他引:3  
总结分析了高电压等级真空灭弧室研究开发的关键问题 (包括真空灭弧室绝缘设计、触头结构和触头间隙纵向磁场、触头材料、真空灭弧室与操动机构配合等 ) ,可为此类灭弧室和断路器研究开发提供参考  相似文献   

14.
高电压真空灭弧室触头间长间隙的真空绝缘特性   总被引:2,自引:0,他引:2  
对高电压真空灭弧室触头间长真空间隙(40 mm及以上)的真空绝缘特性进行了讨论,包括击穿电压(直流电压,工频交流电压和标准雷电冲击电压)与触头开距的关系以及长真空间隙的老炼特性.目前对72/84 kV级高电压真宅灭弧室触头间隙范围(40mm及以上)的长真空间隙绝缘特性有了一定的了解,而126 kV级高电压单断口真空灭弧室触头问长真空问隙范围(60mm及以上)的绝缘特性研究还有待深入开展.  相似文献   

15.
真空灭弧室一般采用CuCr材料.介绍目前真空灭弧室的触头材料采用添加第三种元素的技术,经特殊冶炼,从而很大程度地提高了触头的耐压性能,并具有大的开断能力和高熔点低截流的优点.  相似文献   

16.
李建基 《电气制造》2014,(10):56-57
在高电压领域,研发真空断路器,这是形势发展的需要,能大大减少对SF6气体的使用量,有利于环境保护,减少温室效应。同时,高电压真空断路器具有良好的低温特性,可以避免高寒地区SF6气体液化问题,是高寒地区高电压等级的最佳选择。  相似文献   

17.
论高压真空灭弧室和真空断路器的产品开发   总被引:8,自引:1,他引:8  
介绍了真空断路器的简史,真空断路器与SF6断路器的对比,以及我国开发126kV高压真空断路器的途径。  相似文献   

18.
基于磁场对电流的作用力的观点,计算分析了真空电弧自生磁场的收缩效应及对分断电弧的影响:分析讨论了外加磁场中纵向磁场分量和径向磁场分量对减小自生磁场收缩效应的作用;计算比较了线圈式结构触头产生的外加磁场的纵向磁场分量和径向磁场分量在空间分布的比值,进一步探讨了纵向磁场提高真空灭弧室分断性能的机理。  相似文献   

19.
阐述了真空灭弧室的发展历史及现状,对决定真空灭弧室发展的4个关键技术:触头材料、电弧控制系统、灭弧室结构及灭弧室制造技术进行了分析,同时对真空灭弧室的发展趋势作了介绍。  相似文献   

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