电容器绝缘电阻测量的瞬态定量分析

在电容器未经研究充电和预充电两种超始条件下，对绝缘电阻的测量值进行瞬态分析，定量地导出两种起始条件下测量值与仪器内阻、电容器固有特性之间的关系。为分析测量结果和制定标准提供依据。     

电容器盖板绝缘电阻的温度特性

从绝缘电阻的角度比较国产与进口电容器盖板的差异 ,指出国产盖板的不足之处。分析国产板材与进口板材的 lgρ- t曲线图 ,揭示出高温下盖板绝缘电阻的下降是阳极腐蚀的重要原因 ,建议生产厂家从材料纯度、粘结剂、橡胶配方、检测方法等几方面加以改进。     

片状多层瓷介电容器可靠性问题分析

本文介绍了片状多层瓷介电容器在生产和使用过程中出现的可靠性问题，如片状电容瓷体断裂、微裂和电性能-绝缘电阻下降失效等，分析了可靠性失效原因和机理。     

微波MLCC绝缘电阻的工艺影响因素研究

在即定原材料和多层电容器整体结构设计基础上,立足于微波片式多层陶瓷电容器的规模化生产工艺,对各种影响绝缘电阻的生产工艺因素进行了系统研究.结果表明,工艺因素对微波片式多层陶瓷电容器(ML-CC)绝缘电阻的影响较大;在实际生产过程中,优化流延工艺改善陶瓷膜片性能,在印刷中采用合适的内电极烘干温度,叠层后采用合适的干燥工艺、合理的排胶烧结制度和电镀工艺均能有效提高微波MLCC的绝缘电阻.     

浅谈外界因素对电容器绝缘电阻测量值的影响

通过我们长期的工作实践，阐述了测量时间、环境温度、测量电压、潮湿环境等外界因素对电容 器绝电阻的影响。     

多层瓷介电容器绝缘特性RC的研究

采用N-沟道MOS场效应晶体管搭建电路,测得了多层瓷介电容器通过本身绝缘电阻放电的时间常数τ,对比了Ni和Pd/Ag内电极多层瓷介电容器的绝缘特性RC(绝缘电阻乘以电容量)指标,分析了Ni内电极绝缘特性较差的原因和潜在风险。结果表明:RC反映了介质材料的本身属性,代表电容器通过本身绝缘电阻放电的时间常数τ;Ni内电极的RC考核指标相对于Pd/Ag内电极从1 000 s降至100 s;Ni内电极多层瓷介电容器在高可靠长寿命电路使用时应提高其绝缘特性RC的考核指标。     

CBB型电容器绝缘性能分析

在GB 3 667-1997《交流电动机电容器》标准中对绝缘电阻无专项要求。通过对电动机用CBB型金属化聚丙烯薄膜交流电容器的试验分析认为 :电容器生产企业有必要对电容器绝缘电阻进行检测 ,以提高电容器性能。     

CCF片式塑封型交流瓷介电容器

多层瓷介电容器(MLCC)制成交流瓷介电容器相对困难,利用用于制备圆片瓷介电容器的单层被银瓷片,开发设计了片式交流瓷介电容器以满足市场需要。将陶瓷芯片与带状连体引线焊接后,再模塑环氧树脂封装和切割成型,由单层被银瓷片制成了C型(内折弯)和Y型(外折弯)单层片式塑封型交流瓷介电容器。该产品制造相对容易,且可靠性高,适用于SMT。     

电镀工艺对多层瓷介电容器介电性能的影响

用滚镀和静态电镀的实验方法研究了电镀过程对多层瓷介电容器（ＭＬＣＣ）的介电性能的影响。镀镍后，ＭＬＣＣ的电容量略有提高，损耗和温度系数几乎没有变化。镀锡后，ＭＬＣＣ的电容量下降幅度较大，损耗增大，并且随着温度的升高而迅速增加，从而导致电容量变大，进而使电容量温度系数增大。并且高温损耗随着测试频率的提高而降低。将ＭＬＣＣ置于正在电镀的镀镍液和镀锡液中浸泡，发现镀锡液较镀镍液对ＭＬＣＣ有更强的渗入能力和侵蚀能力。     

消除引线电阻影响的三线制测量方法

推荐一种消除引线电阻影响的三线制测量新方法。新的三线制区别于惠斯通电桥中的三线制的基本依据是：两根相同规格并在相同环境中的引线，它们的引线电阻是相同的，可以利用减法电路将它们上面的电压消去，同时省去了一根采样线。在对远端负载稳压时只是省了一根采样线，而运用在电阻式传感器的恒流测量电路中时，其性能比四线制更好。     

多层瓷介电容器的应用现状及失效分析

电容器已广泛应用于各种电子设备中,其中多层瓷介电容器具有体积小、容量大、高频特性好、可靠性高等一系列优点。本文对多层瓷介电容器的应用现状进行研究,发现电容器失效主要表现为自身缺陷和在装配、使用过程中的引入缺陷,通过分析得出机械应力和热应力是导致多层瓷介电容器失效的主要原因。因此,在装配、焊接等使用过程中要避免引入过大的机械应力及热应力,防止多层瓷介电容器失效。     

片式高压多层瓷介电容器最新进展

片式高压多层瓷介电容器（ＭＬＣＣ）的研制生产水平已达额定直流电压０．５～２０ｋＶ。额定交流电压２２０～１１００Ｖ，标称电容量范围为：０．５ｐＦ～０．１５μＦ（Ｃ０Ｇ），４７ｐＦ～２．２μＦ（Ｘ７Ｒ）。产品技术标准尚未统一纳入国际标准体系。高压ＭＬ－ＣＣ在Ｖ－Ｃ、ＴＶＣ（温度、偏压、容量关系）、耐电压及电晕等性能和试验方法方面有特殊要求，设计制造技术有独到之处。高压ＭＬＣＣ的包装和使用须严格控制工艺过程。     

光缆护层对地绝缘电阻的监控

用于直埋或管道敷设的光缆，一般在光缆绝缘塑料外护套内有金属铠装防护层。图１所示的ＧＹＳＴＳ（Ａ）型铠装护套层绞式光缆，即为广播电视传输干线直埋或管道敷设常用的缆型之一。光缆敷设以后，在光缆金属铠装防护层与大地之间，会形成对地绝缘电阻，该阻值是光缆的金...     

铝电解电容器电极箔与引线间接触电阻的改进

铝电解电容器的内部电阻直接影响产品电性能,生产过程中必须降低并稳定电极箔与引线间的接触电阻。通过对铆接过程的分析和研究,提出改进铆接工艺的方法,即采用电极箔预冲孔的铆接工艺。实物测试表明,电极箔与引线间的接触电阻较工艺改进前降低8%～15%,其阻值离散度显著缩小,且后续制造工序及产品使用中的阻值也更稳定,有利于保证产品质量,延长产品寿命。     

多层片式瓷介电容器的ESR测试方法研究

介绍了两种常用的多层瓷介电容器ESR的测试方法.射频同轴谐振传输线法是国际标准的ESR测试方法,可用于低ESR的测试,但只能得到谐振频点的ESR值,局限性明显.利用射频阻抗分析仪进行ESR测试,能够得到ESR的频率特性曲线,但测试精度不高,不适用于低ESR的测试.     

成型工艺对高介薄型单层陶瓷电容器电阻性能影响

采用流延和轧膜成型两种工艺制作了尺寸为38.1mm×38.1mm×0.15mm,介电常数为25000左右的单层微波电容用陶瓷介质基片。系统对比了两种不同成型工艺对该基片的显微结构和电阻性能的影响规律。实验结果表明．轧膜成型制备出的电容器样品的绝缘电阻偏压特性和温度特性均优于流延成型工艺制得的样品,而且在各个温度下的介电损耗低于流延成型工艺制得的样品。不同的陶瓷基片表面扫描电镜图显示,流延成型的陶瓷介质表面粗糙多孔,而轧膜成型的陶瓷介质表面致密紧实。     

组装工艺过程对瓷介电容器可靠性的影响

混合集成电路的组装工艺对片式电容器的性能会带来影响。本文对混合电路中片式电容器经过环境试验后的失效现象进行了分析，并提出了组装片式电容器的合理工艺，以提高其可靠性。     

多层片式瓷介电容器标准中几个问题的讨论

对制定、修定多层片式瓷介电容器有关标准过程中和使用过程中发现的一些问题,诸如：片式元件的尺寸、性能参数和性能试验等１０个问题进行讨论。