高性能移动电话音频功率放大芯片分析与设计

文章成功地将一种全差分析叠式共源共栅运算放大器结构应用于移动电话音频功率放大芯片的设计中。仿真表明，该音频功率放大芯片的电源抑制比（PSRR）在20Hz～20kHz频段始终高于60dB；尤其是在217Hz的频率上，其PSRR值达到了82dB。该设计提高了音频芯片的抗电源噪声能力，改善了通话语音质量。芯片采用华润上华（CSMC）0．6μm、3．3V／5V电源电压、2层多晶2层金属CMOS工艺制造。     

一种新型功率放大电路的设计

文章介绍了一种新型功率放大电路的设计，利用普通元器件自制杜比环绕声解码器，将直流控制技术应用到前置放大电路，将有源伺服技术应用到超重低音电路，各具特色，采用ＬＭ３８８６功率放大芯片，功率大，效果好。     

多芯片组件的热分析

本文简述热分析所用的基本定理和分析方法，讨论了多芯片组件的热阻，举例说明典型的热分析过程，还介绍了两种组件的散热方式。     

VMOS高速功率放大电路

本文介绍了VMOS功率场效应管的特性和基本电路,讨论了VMOS功率放大电路的设计思想和计算方法,并给出了实际电路和测试结果。     

大功率LED多芯片集成封装的热分析

随着高亮度白光LED在室内、室外照明领域的应用,多芯片LED的集成封装方式是其发展的主要趋势之一,而热问题却是多芯片LED集成封装的瓶颈问题之一。建立了多芯片LED集成封装的等效热路模型,并采用有限元分析(FEA)的方法对多芯片LED集成封装的稳态热场分布进行了分析,同时通过制作实际样品研究大功率LED多芯片集成封装的热阻、发光效率与芯片工作数量的关系。结果表明集成封装的多芯片白光LED结温随着集成芯片数量的增加成线性增长,芯片到基板底面的热阻随着芯片工作数量的增加而增大,而其发光效率随着集成芯片数量的增加成线性减小。     

电磁随钻测量系统D类功率放大电路设计

针对煤矿井下电磁随钻测量系统传统功放电路功耗大、效率低、体积大、难以适应井下供电有限的特殊环境及工作空间狭小、负载不稳定等问题,设计并实现了一种高效D类功率放大电路。该电路以TDA7492MV功放芯片为核心,采用MSP430系列超低功耗单片机对其进行过流监控保护,其具有输出阻抗低、体积小、输出电流大等优点。现场试验表明,该电路能够很好地实现功率放大级的低功耗和高效率。     

功率芯片温控技术工艺改进

本文针对目前全金属气密封装混合集成电路电源产品的功率芯片缺乏合适有效的温度控制方法的现状，优选合适粘结胶，开展粘接新工艺研究，并摸索出一套可行、可靠、工艺上易操作的温控芯片粘接新工艺，此工艺提高了温控芯片响应速度、减少了测量温差，并且能满足电性能、导热性能和粘接性能等要求，适合在高可靠产品中使用。     

90°电桥功率放大／合成器的非线性分析

本文首次对９０°电桥功率放大／合成器进行了较完善的非性线分析，得到了功率放大／合成器的大信号动态方程及小信号增益解析表达式，讨论了每个放大器固有电路参数对功率放大／合成器大小信号合成结果的影响．在Ｋａ频段进行了功率放大器的合成实验，理论计算与实验结果吻合很好。     

基于红外热像技术的服装舒适性研究

根据热辐射理论和红外热像仪的测温原理,建立了基于红外热像技术的服装舒适性研究的测试平台,并用红外热像仪直接测量不同环境里的服装在穿着状态下表面温度场的分布。通过采集到的热图像来进行温度场分析和数据处理,直观判断出服装在真实穿着条件下衣内的实际温度变化情况,进而推出服装及服装面料的隔热性能。通过对紧贴皮肤部位的服装面料的最高温度来比较服装面料的热阻大小,从而判断整个服装隔热值的相对大小。分析了穿着实验的客观结果和主观评价结果,并得知三种实验服装中50／50大豆／棉服装的热湿舒适性能最好。红外热像技术测评方法在服装热舒适研究领域和实际应用中不失为一种行之有效的方法,是判断服装的热舒适性能的重要工具之一。     

颈椎病治疗前后的红外热像分析

应用医用远红外热成像仪,采集临床确诊颈椎病患者及随机人群项背区红外热图,16级色码表达,IRIAS专用软件定位、定量,统计学处理。结果显示,颈椎病治疗前后的红外热像表达,具有明显的定位、定量规律,它可准确表达针灸治疗颈椎病的时效关系。     

红外热成象系统侦察能力分析

本文从目标与背景的红外探测特征出发，初步分析了红外热成象系统的侦察能力，并依据实验结果，对ＭＲＴＤ进行修正，并给出计算实例。     

多芯片组件的热控制

多芯片组件热控制的任务在于有效控制温度以满足系统可靠性的要求。MCM的散热途径可分为内、外两部分，文中介绍了内热通路与外热通路的热控制方法，并提供了工业中实用热控制系统的概貌，着重考察了某些设计的热控制特色。     

多芯片陶瓷封装的结-壳热阻分析方法

随着半导体行业对系统高集成度、小尺寸、低成本等方面的要求,系统级封装(Si P)受到了越来越多的关注。由于多芯片的存在,Si P的散热问题更为关键,单一的热阻值不足以完整表征多芯片封装的散热特性。介绍了多芯片陶瓷封装的结-壳热阻分析方法,通过热阻矩阵来描述多芯片封装的散热特性。采用不同尺寸的专用热测试芯片制作多芯片封装样品,并分别采用有限元仿真和瞬态热阻测试方法分析此款样品的散热特性,最终获得封装的热阻矩阵。     

非制冷焦平面红外热像仪光机热分析

非制冷红外热像仪在军事和民用领域具有广阔的应用前景.在空间或军事应用中,环境温度变化对系统成像质量影响很大.红外光学系统对温度变化非常敏感,温度的变化引起镜片间距的改变等,使系统产生离焦等热像差,从而使系统成像质量下降.利用光学设计软件Zemax的多重结构功能分析了红外光学系统在-20～60℃温度范围内的光学传递函数变化情况,结果表明系统的传递函数下降很小,满足设计指标的要求.     

功放芯片热分析及散热片结构优化

通过红外热像仪测量Ga As功率放大器芯片的结温可知,温度最高点出现在芯片的栅条上,红外热像仪的放大倍数会导致芯片结温的差异性,正确选择测量的距离系数和放大倍数,可以提高红外热像仪的测温准确性。采用Flotherm软件仿真,并与试验值比较,两者的误差低于6%,由此验证了仿真的可靠性。运用Flotherm软件对T/R组件的散热片优化处理可知,散热片底板对温度影响较小,随着散热片数目的增加,温度逐渐降低,直到散热片的数目阻碍了空气流动,温度开始上升。     

一种基于热阻网络的叠层芯片结温预测模型

提出了一种基于热阻网络的叠层芯片结温预测模型,该模型根据芯片内各组件的尺寸和热导率计算出对应的热阻,同时考虑了接触热阻和热量耦合效应,从而得到每层芯片在不同功耗情况下的结温预测值。在一个三芯片堆叠结构中,使用提出的方法对芯片结温进行预测,并与ANSYS仿真软件结果作比较,发现结温预测值的相对误差均小于4.5%。因此,该模型仅需根据芯片结构和材料参数,便可快速精确地估算出芯片在不同工作环境下的结温值。     

建立封装芯片热阻网络模型的方法研究

针对电子设备系统级热分析中封装芯片模型复杂程度与计算精度的矛盾,引入热阻网络法,替代系统级分析中封装芯片的详细物理模型;并以某PBGA封装芯片为例,进行两种建模方法的对比分析,同时介绍一种快速确定网络中热阻值的方法.结果表明,热阻网络等效方法具有模型简单、分析快速、准确度高的优点,在系统级热分析中可完全替代详细的物理模型.     

OCL音频功率放大电路的仿真分析

<正> 引言0CL电路是高保真音频功率放大器的基本电路之一,它去除了输出级与扬声器之间的耦合电容,使扬声器与输出级电路直接相连,因此电路的频带进一步向低端扩展(接近于零),保真度更高,使用更普遍。与此同时在设计和制作中也给我们带来了一些缺点,如修改某个元件的参数就会影响前后级的工作点,需要