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《激光与光电子学进展》2007,44(4)
首条非晶硅光电薄膜生产线在无锡投产近日,由香港华基光电能源集团、无锡源畅光电能源有限公司和美国CMI公司合作,总投资5亿美元的国内第一条全自动化的非晶硅光电薄膜项目生产线,在无锡新区源畅光电能源有限公司进入安装调试阶段,预计上半年将投入量产。 相似文献
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我国太阳能产业规模居世界第一。但我国目前95%以上的光伏电池产品多为多晶硅电池,成本高且生产环节复杂,导致价格过高而难以取得市场竞争优势。强生光电进入太阳能产业较晚,但生逢其时,顺应国际最新潮流,采用非晶硅薄膜光电新技术,与多晶硅相比,非晶硅薄膜电池所用原材料只是多晶硅电池的1%,不存在原材料供应的瓶颈,在生产制造中的用电量仅为后者的15%,且应用领域将更加的广泛,是最有可能将发电成本接近火电成本的技术,清洁且环保。强生集团董事长沙晓林先生充满自信的声称:"强生光电薄膜电池产能将在2010年达到15条生产线,总产量达到500MW,成为世界前五位非晶硅薄膜电池生产商之一"。 相似文献
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《电子工业专用设备》2007,36(10):36-36
记者获悉,大理高新技术产业开发区管委会与源畅高科技(集团)有限公司近日就大理太阳能非晶硅薄膜光电项目投资协议举行签字仪式。作为外交部“波恩”项目在云南省启动的第一个具有国际领先水平的高科技项目,大理太阳能非晶硅薄膜光电项目总投资额约5亿美元,一期工程年产40MW,生产线投产后可实现年销售收入约8000万美元,年利税总额可达约4092万美元;项目全部达产后可实现年销售收入约24000万美元,年利税总额可达约12276万美元。当地政府表示,该项目投产后将成为亚洲最大的非晶硅生产基地。[第一段] 相似文献
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由海力士和意法半导体公司于2005年4月在无锡合资建设的存储器芯片前端制造厂于近期正式落成。该工厂主要生产8英寸和12英寸的NAND闪存和DRAM芯片。目前,DRAM芯片采用80nm、90nm和110nm制造工艺,90nm和110nm晶圆在8英寸生产线上生产,80nm晶圆在12英寸生产线上生产。2007年中,除 相似文献
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《电子工业专用设备》2006,(9)
国内要闻据韩国芯片厂商海力士日前(HynixSemiconductor)透露,该公司在中国的子公司获得一笔为期5年的7.5亿美元贷款,这笔资金将用于在江苏无锡扩建1条φ300mm芯片生产线。提供这笔贷款的是包括中国工商银行在内的19家中国金融机构。海力士2004年与欧洲半导体企业意法半导体(STMicroelectronics)合资在江苏无锡组建一家半导体生产企业Hynix-ST Semiconductor,合资厂投资20亿美元,意法半导体和海力士的投资比例为1:2。该合资厂的φ200mm芯片生产线已于今年5月投产,以生产内存芯片(DRAM)为主。Hynix-ST Semiconductor公司计划在2007年6… 相似文献
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HynixSemiconductor近日表示,将投资2.30亿美元在无锡与STMicroelec tronics的合资工厂边上兴建一座新工厂,生产DRAM和NANDFlash产品。HynixSemiconductor与STMicroelectronics在无锡投资建造的存储器前端制造工厂,主要生产针对中国半导体市场需求的产品,采用HynixSemiconductor旧设备及生产工艺的第一条200mm晶圆生产线将于今年7月投入使用,而300mm晶圆生产线最快会在2006年底投产。HynixSemiconductor发言人表示,新建工厂除为了增加HynixSemiconduc tor自有产能外,也将承担部分与STMicroelectronics合资企业的生产任务。Hynix… 相似文献
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《信息技术与信息化》2008,(5)
9月1日,山东省信息产业厅副厅长张宁波在威海会见了美国集成电路设计与制造代表团,并到威海中玻光电有限公司、日月光半导体(威海)公司,重点考察半导体非晶硅薄膜太阳能电池以及半导体封装测试项目的进展情况。 相似文献
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田晋 《激光与光电子学进展》1986,23(11):44
西德罗登斯托克公司研制成一种光电系统,它可以获取生产过程中传运表面加工零件质量控制的数据。由于许多公司转向先进的计算机集成制造,运动过程中元件的非接触测量将愈来愈重要。这种新系统具有在车间自动制造系统上装设简单的特点,且易于在生产线外应用,如用在实验室中物品进口和检验部门。 相似文献
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利用等效电路,估算出高性能液晶光阀对非晶硅光电导层交流电阻率的要求。用化学气相沉积法在最佳工艺条件下制备了非晶硅薄膜,测量了样品的交流电阻率。结果表明,非晶硅薄膜的交流电阻率随照射光的波长增大而先减小后增大,随功率密度、衬底温度和射频功率的增大而减小。样品的交流电阻率满足高性能液晶光阀光电导层的要求。 相似文献