共查询到18条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
在蓝宝石衬底上,用金属有机物气相沉积(MOCVD)法外延生长AlGaN/GaN异质结样品。溅射Ti/Al/Ni/Au和Ni/Au金属膜,在氮气气氛中高温快速退火,分别与样品形成欧姆接触和肖特基接触。随着退火时间的增加,金属一半导体金属(MSM)结构的I-V特性曲线保持良好的对称性,但C-V曲线逐渐失去其对称性。MSM探测器的紫外响应曲线具有良好的对比度和选择性,出现明显的光电导增益效应。 相似文献
2.
美国哥达德空间飞行中心最近研制了一种基于氮化镓的紫外探测器线列,这种紫外探测器线列对大部分可见光光谱是盲目的,其截止波长为370 nm.它能在存在大量可见光辐射的情况下进行紫外光成像,而无需用大面积的挡板来抑制杂散光或者用昂贵的滤光片来阻挡可见光.该GaN探测器列阵的体积、重量及功耗比现在用于深测紫外光的光电倍增管和微道板低一个数量级,它还能够在较低的电压下工作.此外,GaN材料比较坚固,用它制备探测器比较容易. 相似文献
3.
4.
GaN/6H-SiC紫外探测器的光电流性质研究 总被引:5,自引:4,他引:1
本文研究了以金属有机物化学气相沉积方法生长在6H-SiC衬底上的GaN外延薄膜制成的光导型紫外探测器的光电流性质.通过对其光电流谱的测量,获得了GaN探测器在紫外波段从250~365nm近于平坦的光电流响应曲线,并且观察到在~3.4eV带边附近陡峭的截止边,即当光波长在从365nm变到375nm的10nm区间内,光电流信号下降了3个数量级.在360nm波长处,我们测得GaN探测器在5V偏压下光电流响应度为133A/W,并得到了其响应度与外加偏压的关系.通过拟合光电流信号强度与入射光调制频率的实验数据 相似文献
5.
6.
7.
8.
研究了GaN/AlGaN异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。GaN/AlGaN外延材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝石,缓冲层为AlN,n型层采用厚度为0.8 μm的Si掺杂Al0.3Ga0.7N形成窗口层,i型层为0.18 μm的非故意掺杂的GaN,p型层为0.15 μm的Mg掺杂GaN。采用Cl2、Ar和BCl3感应耦合等离子体刻蚀定义台面,光敏面面积为1.96×10-3 cm2。可见盲紫外探测器展示了窄的紫外响应波段,响应区域为310~365 nm,在360 nm处响应率最大,为0.21 A/W,在考虑表面反射时,内量子效率达到82%;优质因子R0A为2.00×108 Ω·cm2,对应的探测率D*=2.31×1013 cm·Hz1/2·W-1;且零偏压下的暗电流为5.20×10-13 A。 相似文献
9.
适合在高温下工作的紧凑型太阳盲固态紫外光电探测器,无论在民间还是在政府部门,都有着广泛的需求.将Ⅲ-Ⅴ族氮化物用于光电探测器应用,预计可以使光电探测器在一个很宽的温度范围内工作,并具有低的暗电流和高的响应率.GaN和AIN的直接带隙分别为3.4eV和6.2eV,其相应的截止波长分别为365nm和200nm.由于它们可互相混合成一个完整系列的AlGaN合金,所以用它们研制截止波长位于该范围任何一处的探测器应当是可能的. 相似文献
10.
p-i-n结构GaN光电探测器性能的研究 总被引:3,自引:1,他引:3
近年来,可见盲与太阳盲光电探测器在火灾监控、太空通信和导弹尾焰探测等方面的应用引起了越来越多的关注。由于氮化镓(GaN)是直接宽带隙半导体材料,所以成为了在可见区与紫外区的光电器件的首选材料,而p-i-n结构的器件因其响应度高、暗电流低、便于集成等优点倍受人们的青睐。采用金属有机气相外延(MOCVD)法制备了p-i-n结构的GaN紫外光电探测器。在此基础上,采用N2气氛下热退火处理的方法,提高了p型GaN层的载流子浓度,从而降低了器件的暗电流。器件在1 V偏压下,暗电流仅为65 pA。器件在1 V偏压下的最大响应度值出现在361 nm处,大小为0.92 A/W。 相似文献
11.
GaN基肖特基结构紫外探测器 总被引:6,自引:5,他引:6
在蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)方法生长GaN外延层结构 ,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器 .测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C V特性曲线、光响应曲线和响应时间曲线 .该紫外探测器在 5V偏压时暗电流为 0 4 2nA ,在 10V偏压时暗电流为 38 5nA .在零偏压下 ,该紫外探测器在2 5 0nm~ 36 5nm的波长范围内有较高的响应度 ,峰值响应度在 36 3nm波长处达到 0 12A/W ,在 36 5nm波长左右有陡峭的截止边 ;当波长超过紫外探测器的截止波长 (36 5nm左右 ) ,探测器的响应度减小了三个数量级以上 .该紫外探测器的响 相似文献
12.
采用金属有机气相外延(MOCVD)方法在(0001)面蓝宝石衬底上生长了AlN和高铝组分AlGaN材料。通过优化AlN和AlGaN材料的生长温度、生长压力和Ⅴ族元素/Ⅲ族元素物质的量比(nⅤ/Ⅲ)等工艺条件,得到了高质量的AlN和高铝组分AlGaN材料。AlN材料X射线双晶衍射ω(002)半宽为74 arcsec,透射光谱测试带边峰位于205 nm,带边陡峭;Al组分为45%的AlGaN材料X射线双晶衍射ω(002)半宽为223 arcsec,透射光谱测试带边峰位于272 nm,带边陡峭。采用此外延工艺方法生长了AlGaN基p-i-n型日盲紫外探测器材料并进行了器件工艺流片,研制出AlGaN基p-i-n型日盲紫外探测器,响应峰值波长为262 nm,在零偏压下的峰值响应度达到0.117 A/W。 相似文献
13.
XIE Xue-song ZHANG Xiao-ling LV Chang-zhi LI Zhi-guo FENG Shi-wei XU Li-guo 《半导体光子学与技术》2007,47(1):76-79
The I-V characteristic of GaN-based p-i-n ultraviolet detector is presented. It is measured at different temperatures and analyzed with changing temperature. The ideality factor of the device is 2.09 at room temperature. The maximum ideality factor is 2. 14 at 100℃, which declines above 100 ℃, and the minimum ideality factor is 1.26 at 300 ℃. The coefficient of forward voltage vs. temperature is - 1.97 mV/℃ with a forward current of 1 mA. Based on double injection model, the deep lying impurity activation energy in the i-region is 0.1 343 eV 相似文献
14.
日盲型AlGaN PIN紫外探测器的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
采用MOCVD方法在双面抛光的(0001)蓝宝石衬底上生长了高铝组分AlGaN材料,研制出日盲型AlGaN PIN紫外探测器.详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对该器件进行了光电性能测试.测试结果表明:器件的正向开启电压约为4.5 V,反向击穿电压大于20 V;常温下(300 K),该器件在3 V反向偏压下的暗电流约为50 pA,在零偏压下270 nm处峰值响应度达到0.12 A/W,长波截止波长小于285 nm. 相似文献
15.
16.
半导体紫外探测器技术进展 总被引:2,自引:1,他引:1
介绍了几种新型半导体紫外探测器。列出了这类探测器的各项用途及优点,并对其结构,制作方法以及性能作出了简要说明。N化物半导体紫外探测器具有探测波长范围可调,可靠性好等优点,可以认为是半导体紫外探测器发展的主要方向。 相似文献
17.
R. T. Green W. S. Tan P. A. Houston T. Wang P. J. Parbrook 《Journal of Electronic Materials》2007,36(4):397-402
Dry etching of GaN-based devices can introduce damage onto exposed layers of the semiconductor. In this paper, electrode-less
wet etching of nominally undoped GaN is investigated in terms of light intensity, solution concentration, and mask geometry
in order to determine the conditions required to obtain smooth surface morphologies. Using the results, surfaces were etched
with a root-mean-squared (RMS) surface roughness of 1.7 nm. Furthermore, the etch selectivity is used to gain access to buried
p-type layers allowing n-p diodes to be fabricated. Contact resistances to the exposed p-type layers were found to be superior to those obtained by dry etching. 相似文献
18.